AI 數據中心狂吸記憶體：點解 DRAM、HBM 會愈來愈緊，手機電腦都受影響？

AI 數據中心的擴建，正令記憶體由「配角」變成整套系統的樽頸。每增加一批 AI 加速器，背後不但要配高頻寬記憶體（HBM），亦要用大量傳統伺服器 DRAM，以及企業級 SSD 儲存空間。當供應商把有限產能優先投向這些高價值產品，PC 和智能手機廠商便要面對成本上升、供應彈性下降的局面。換句話講，呢次未必係短暫缺貨，而可能係一個延續數年的記憶體週期。3334

卡住的，不止 HBM

HBM 即係放喺 AI 加速器附近、以堆疊方式製造的高速記憶體；不過，佢只係 AI 伺服器記憶體開支的一部分。大型 AI 系統仍需要傳統 DRAM 去供 CPU 和系統記憶體使用，而數據中心的儲存需求亦會推高企業級 SSD 的用量。TrendForce 預計，伺服器 DRAM 加 HBM 的位元需求，至 2028 年複合年增長率可達 37.4%。33

關鍵在於，HBM 要用到稀缺的先進 DRAM 產能和先進封裝能力。廠商若優先製造 HBM 和高容量伺服器記憶體，留畀 PC、手機的通用 DRAM 資源就會相對減少。TrendForce 指，AI 伺服器同時推高傳統 DRAM 與 HBM 的需求，而產能優先次序正為 PC 和智能手機市場帶來成本壓力。3439

點解高價壓力可能去到 2027 年

供應要追上需求，唔係宣布起新晶圓廠就即刻解決。無塵室建設、設備安裝、製程驗證、良率提升，以及先進封裝擴產，全都要時間；真正可供客戶採用的大量產出，往往要等一段長時間先出現。

9 月一項獲報道的 TechInsights 預測認為，DRAM 價格可能按年升逾 200%。這是相當進取的預測，不是已確認的市場結果。另有報道引述 TrendForce 估算，2026 年伺服器 DRAM 零件價格按年增幅約為 270%，企業級 SSD 價格則約升 235%。4935

預先鎖定供貨亦令市場更緊。基於 DigiTimes 的報道，Samsung、SK hynix 和 Micron 據報已提早分配 2027 年的 DRAM 及 HBM 產能。這項說法要審慎看待：它屬業界報道，並非三家廠商正式聲明每一粒未來產出的晶片都已不可取得。不過，其他訊號同樣反映供應緊張。SK hynix 行政總裁郭魯正向路透社表示，從供應角度看，2027 年可能是行業史上最差的一年。31

對買電腦、手機的人有咩意思？

記憶體加價，不代表每一部裝置都會以同一幅度加價。品牌可以自行吸收部分成本、調整規格、把產量轉向利潤較高的型號，或者直接提高零售價；但壓力方向已經相當清楚。TrendForce 預期，當 AI 伺服器獲優先分配供應、零件成本又上升時，PC 和智能手機需求會放慢。34

最可能見到的情況包括：

• 平均售價上升： 有定價能力的品牌，可能將部分記憶體成本轉嫁予消費者。
• 平價配置愈來愈少： 入門產品可能減少記憶體或儲存容量；若毛利不足，部分型號甚至會消失。
• 低毛利產品供應更緊： PC 廠商、Chromebook 品牌和中階手機品牌，較難承受零件成本上漲。
• 出貨量受壓： 即使消費者本身仍想買，廠商亦可能因無利可圖而減產某些型號。

現時沒有一個可靠的全球 PC 或智能手機出貨預測，可以將影響完全歸因於記憶體。換機週期、匯率、關稅和整體經濟需求都會左右結果；較穩妥的結論是，昂貴記憶體會令「平價機策略」更難長期維持。

DRAM 與 NAND，走勢未必一樣

將所有記憶體當作同一個市場，容易忽略一個重要分別：DRAM，尤其 HBM 和伺服器 DRAM，似乎會持續出現結構性緊張；NAND 則較有機會隨位元產出增加而重回平衡。

類別	2027 年展望	之後可能發展
DRAM 及 HBM	AI 需求、持續把產能分配予 HBM，以及 CPU 記憶體採購增加，預計會令供應維持緊張、價格續受向上壓力。39	新產能及良率改善最終或可紓緩失衡，但價格幾時、以幾大幅度回落，仍未能確定。
NAND 及企業級 SSD	AI 帶動的儲存需求，令 NAND 在 2026 年維持供不應求。42	TrendForce 預計，隨製程遷移、位元產出增加，加上消費電子需求偏弱，NAND 供應緊張或在 2027 年下半年緩和，價格可能轉受下行壓力。4239

這個分歧，是 2027 至 2028 年展望的重點。HBM 產能轉換和 AI 伺服器 DRAM 需求，對 DRAM 構成的限制，並不能直接套用到 NAND 身上。NAND 當然仍可大幅波動，但現有資料較支持它比 DRAM 更早轉鬆，而不是必然延續 HBM 式短缺。3942

中國 CXMT、YMTC：有助本土供應，但未必即刻解到全球缺口

中國擴大記憶體產能，可提升本土供應韌性；但目前仍未能直接取代既有龍頭在尖端 HBM 和伺服器 DRAM 的供應。

**CXMT（長鑫存儲）**是中國主要的 DRAM 挑戰者。據報，公司已開始小規模生產 HBM3E，供本土 AI 晶片開發商使用；能否商業整合，要視乎測試是否成功，並以 2027 年擴產為目標。18

**YMTC（長江存儲）**則是中國主要 NAND 生產商。CXMT 和 YMTC 可為中國本土裝置、SSD 和數據中心部署增添具戰略意義的 DRAM 與 NAND 供應。不過，美國對先進 HBM 及晶片製造設備的出口限制，令中國擴大前沿記憶體技術及相關封裝生態的難度增加；美國在 2024 年 12 月將先進 HBM 納入出口限制。18

中國的擴產未必會迅速紓緩其他市場的短缺。有報道指，CXMT 增加的產出很可能會被中國雲服務供應商吸收；同時，限制措施亦令韓國記憶體廠商較難直接向中國雲端供應商供應先進記憶體。17

實際結論

今次 AI 記憶體緊缺，唔只係 HBM 賣斷貨咁簡單。AI 叢集同時拉高多個記憶體類別的需求，而 HBM 所需的專門製造和封裝流程，又限制供應商可以幾快擴產。兩者疊加，令記憶體廠商在合約議價上更有主導權，成本壓力則逐步傳到消費電子產品。4434

按現有證據，較清晰的基本情境是：DRAM 供應緊張會延續至 2027 年，當中 HBM 和伺服器 DRAM 的影響最明顯。NAND 短期仍受壓，但到 2027 年後段較有機會轉為鬆動。對一般裝置買家而言，影響未必是所有產品一律暴升價，而更可能是主流機款愈賣愈貴、抵買配置減少，以及低毛利產品供貨更緊。3942