AI 記憶體荒點解拖到 2027：DRAM 仍緊、NAND 或有喘息空間

AI 基建熱潮，令記憶體由以往較典型嘅周期性零件，變成限制運算擴張嘅關鍵資源。高頻寬記憶體（HBM）同高密度伺服器 DRAM 吸收咗大量製造與先進封裝能力，本來可供一般記憶體產品使用嘅資源因而變少。結果係：DRAM 市場明顯偏向賣方，龍頭供應商可用庫存極薄，而影響一路由 AI 加速器延伸到手機。 745

三星、SK hynix：需求旺，但庫存緩衝近乎見底

KB Securities 9 月估計，三星電子同 SK hynix 喺第三季各自持有少過 10 日嘅記憶體庫存。要留意，呢個係分析師估算，唔係兩間公司按可直接對照方式披露嘅數字；較合理嘅解讀係，市場上可即時調配嘅供應非常緊，而唔應當將佢視為精確營運指標。 1921

庫存薄，唔等於生意差；相反，反映嘅係需求同配貨壓力。記憶體廠商正優先供應價值較高嘅 HBM 同伺服器 DRAM，客戶亦更早爭取鎖定供應承諾。HBM 產能受限，同時推高整體記憶體短缺與價格。 2910

HBM4 點樣連一般 DRAM 都拉緊？

HBM 係一種堆疊式 DRAM，會放喺 AI 處理器旁邊，以提供極高資料傳輸頻寬。以 Nvidia Rubin GPU 為例，據報每粒晶片最多可配備 288GB HBM4。 31

所以，HBM 已經係 AI 加速器整套系統不可或缺嘅部分；影響亦唔止於 GPU 出貨。生產更多 HBM，需要有限嘅晶圓產能同複雜嘅先進封裝能力；廠商亦會把資本開支投向伺服器級記憶體。資源轉去高價產品後，供 PC、手機及其他裝置使用嘅通用 DRAM 就會相對減產。 2945

換句話講，呢次唔只係一般去庫存／補庫存周期令價格升：AI 對記憶體嘅需求，會直接卡住實體供應量。

2027 年分水嶺：DRAM 仍緊，NAND 或轉鬆

現有證據支持嘅情景，並唔係所有記憶體種類都會以同一方式短缺。

• **DRAM：**TrendForce 預期，HBM 產能配置、AI 伺服器需求，以及每台伺服器所需記憶體容量上升，會令 2027 年 DRAM 供應繼續受限，價格維持向上。 7
• **NAND Flash：**同一預測認為，到 2027 年下半年，新產能陸續投入、消費電子需求又偏弱，NAND 會進入較寬鬆嘅供應環境，價格面對下調壓力。 7

至於 2027 年 DRAM 缺口究竟有幾大，市場預測未有一致答案。引述 JPMorgan 模型嘅估算，供需增長差距約為 7%；亦有其他預測給出較低嘅缺口。較一致嘅係方向：DRAM 到 2027 年仍然偏緊。 3342

對買家而言，SSD 同儲存裝置嘅價格壓力，日後可能會比 DRAM 較早緩和。因此，「所有記憶體都會一路短缺到 2033 年」呢種講法過於籠統。現有資料支持先進 AI 記憶體與 DRAM 持續受壓，但亦指向 NAND 在 2027 年後段可能較易買。 7

價格點傳導：先係 HBM，之後係整個記憶體市場

HBM4 放量已經同顯著加價有關。韓國國際貿易協會數據顯示，截至 7 月底，HBM 平均出口單價為每件 76.13 美元，按月升 9.5%。 27

一般 DRAM 就受間接影響：當供應與投資都向 HBM、伺服器 DRAM 傾斜，主流買家選擇會減少，供應商議價能力則提高。TrendForce 預期，緊張嘅 DRAM 供需平衡會令 2027 年維持賣方市場。 7

手機、PC、GPU 會點受影響？

手機與 PC

記憶體係裝置物料成本中重要一環，尤其係入門或平價型號。LPDDR 同 NAND 採購成本上升後，品牌通常只有幾個選擇：加零售價、同一價位提供較少 RAM 或儲存空間、削減其他規格，或者自行承受較低利潤。手機市場報道亦顯示，記憶體加價與供應受限正影響業界規模同採購決定。 4551

壓力預料會喺平價裝置最明顯，因為呢類產品本身利潤空間較薄，較難消化零件加價。

GPU 與 AI 伺服器

對 AI 硬件而言，HBM 唔係普通零件：佢係已通過驗證、直接構成加速器封裝嘅必要部件。即使 GPU 需求非常強，HBM 供應不足都可以直接限制高階加速器同 AI 伺服器嘅出貨量。 3129

呢個亦會推動雲端服務商同其他大型買家爭取較長期供應合約，令未被預訂、可靈活購買嘅產能更少，中小型或對價格較敏感嘅客戶更難採購。 10

晶片設計正轉向「記憶體優先」

短缺正加速一個設計取向：AI 效能愈來愈取決於運算單元同記憶體之間搬運資料嘅效率，而唔只係增加算力。因此，設計人員有更大誘因優先處理：

• 每瓦可提供更高嘅記憶體頻寬；
• 以 HBM 為基礎、邏輯晶片與記憶體高度整合嘅封裝；
• 先進封裝與更大嘅封裝內記憶體容量；以及
• 減少記憶體搬運與記憶體容量需求嘅軟件、模型技術。

呢個係由 HBM 成為產能樽頸所引申嘅工程趨勢，並非量化嘅市場預測；但大方向清楚：記憶體嘅可得性同頻寬，正成為 AI 系統設計限制。 317

點解擴產唔會即刻見效？

新產能唔會一落成就變成可用貨。晶圓廠起好只係第一步，之後仲要裝機、提升良率、驗證製程、擴展先進封裝能力，再通過客戶驗證。IDC 指出，AI 伺服器需求增長快過供應反應速度；同時，技術限制亦壓低中國廠商喺先進節點實際可貢獻嘅供應。 8

中國記憶體廠商包括 DRAM 的 CXMT，以及 NAND 的 YMTC，正持續擴產，未來可望成為更重要供應來源。不過，相關 2026 至 2027 年新增產能，料會被 AI 伺服器需求、進口替代、先進晶圓能力限制同漫長客戶認證流程所吸收；佢哋短期內並唔能夠取代已獲認證嘅領先 HBM 供應。 411

實際結論要分開睇：新增產能長遠可以幫手，特別係 NAND 同主流記憶體；但未必能夠快速解除 HBM 同伺服器 DRAM 嘅樽頸。喺供應、良率、封裝同認證追上之前，AI 基建需求仍好可能令 DRAM 維持異常緊張至 2027 年。 78