三星突破900層V-NAND技術 改寫AI記憶體遊戲規則

三星電子啱啱成功驗證咗全球首塊 900層V-NAND 快閃記憶體原型，呢個研發壯舉幾乎將現時任何一款量產晶片嘅層數翻咗兩倍 。佢哋嘅做法唔係嘗試喺同一塊矽晶圓上蝕刻全部900層——呢個目標目前仲係物理上唔可行——而係利用 「單元多重鍵合」（Cell Multi Bonding, CMB） 技術，將兩塊獨立製造嘅450層單元晶圓，黏合成一個完整堆疊。結果就係一塊能夠正常運作嘅晶片，印證咗一條通往本年代末「千層NAND時代」嘅可行量產路線 。

呢個消息一出，三星嘅長線研發實力即時超前咗佢哋最接近嘅商業對手SK海力士——後者目前以321層保持量產世界紀錄。之不過，由實驗室原型到賺到錢嘅產品，中間條路又長又難行。三星一方面要力保領先地位，同時又要面對SK海力士嘅猛烈追擊、中國廠商長江存儲（YMTC）嘅強勢回歸，仲有整個行業將資源由NAND轉投高頻寬記憶體（HBM）嘅策略轉向，每一步都係刀光劍影 。

900層NAND原型係點砌出嚟？

三星今次900層突破，與其話係蝕刻技術嘅改良，不如話係精密鍵合嘅成果。佢哋嘅 CMB 工藝將兩塊各自擁有450層嘅單元晶圓，融合成一個高密度封裝 。只要將核心記憶體單元區域同周邊邏輯電路分開喺唔同晶圓上製造，三星就可以繞過喺單一基底上鑽孔同堆疊帶嚟嘅嚴峻物理挑戰。

要令呢一切變為現實，必須克服三大工程難關：

• 晶圓翹曲： 層數越多，機械應力就會令晶圓扭曲變形，喺黏合時根本無法達到所需嘅精準度。三星引入咗先進嘅 上部夾盤（upper-chuck）設計，確保每塊450層晶圓喺黏合過程中保持完全平坦 。
• 對位誤差： 兩塊晶圓之間只要出現微米級嘅錯位，成塊晶片就可以報廢。三星靠一套專有嘅 「新穎套刻校正」（novel overlay correction） 技術，消除咗黏合時嘅對位誤差 。
• 功能驗證： 原型一定要行得郁先有意義。三星確認咗呢個900層整合系統顯示出 「正常嘅單元運作特性」 ，證明呢項技術唔單止係理論上嘅堆疊展示，更加係邁向量產成品嘅可行前身 。

據報三星仲引入咗新嘅位元線（BL）同字元線（WL）結構，去降低功耗同縮細晶片尺寸，同時又喺度探索用激光切割晶圓嚟提高良率 。

NAND市場係一場高風險壓力煲

雖然900層原型係三星長期研發領導力嘅有力宣言，但佢哋喺短期大眾市場嘅位置絕對唔係穩如泰山。NAND快閃記憶體嘅版圖比DRAM更加碎片化，競爭亦更激烈，三星腹背受敵 。

SK海力士喺量產方面已經搶佔先機。 2025年8月，SK海力士成為全球首家開始量產321層4D NAND晶片嘅公司 。三星自家嘅V9（286層）QLC NAND推出計劃，聽講已經延遲到2026年上半年，外界開始質疑佢嘅商業化步伐係咪跟得上 。

二線廠商正在快速追趕。 中國廠商長江存儲（YMTC）喺2025年初開始量產294層NAND，而且正在開發300層以上嘅技術，逐步收窄同三星（286層）以及SK海力士（321層）之間嘅技術差距 。其他競爭對手好似日本嘅鎧俠（Kioxia）同美國嘅SanDisk（前Western Digital），都喺度大舉投資，而喺呢個時候，三星同SK海力士呢兩大韓廠，就將大量資金轉移到AI加速器用嘅HBM呢個蓬勃市場 。呢個策略重心嘅轉移，就為競爭對手創造咗搶奪NAND市佔率嘅空間 。

定價同供應嘅動態好微妙。 幾大NAND廠商喺2025年下半年一齊減產推高價格，三星據報仲諗緊喺2026年加價20至30% 。理論上，更高嘅層數可以降低每bit嘅生產成本，但一邊想大幅加價，一邊競爭對手又不斷增加供應，呢個係一個走鋼索式嘅平衡動作 。

雖然面對重重壓力，三星嘅整體財務狀況仍然強勁。喺最新公布嘅季度，佢嘅NAND收入按年增長超過一倍，達到 135.1億美元，將按收入計算嘅市佔率由28%擴大到 31.6% 。要去維持呢個領導地位，需要嘅係不斷嘅技術同商業執行力。

點解層數競賽對AI嚟講係生死戰？

堆疊更多NAND層數嘅競賽，唔單止係晶片製造商之間嘅市場推廣戰咁簡單；更加係支撐下一波AI基建浪潮嘅基石。AI數據中心嘅爆炸式增長，帶動咗對儲存裝置更密集、更快、更平嘅需求。

1. 為海量數據集提供更密集儲存
   AI訓練叢集需要將極之龐大嘅數據集存放喺本地，以便快速、重複存取。更高嘅層數可以喺相同嘅SSD物理空間內塞入更多容量，呢樣嘢對於機架空間「寸金尺土」嘅超大規模數據中心嚟講，係必不可少 。呢個趨勢亦都加速咗用高容量SSD取代傳統HDD嘅進程——喺AI數據中心，即時數據存取係無得妥協嘅硬要求 。

2. 大幅降低每bit成本
   每一代3D NAND堆疊技術嘅躍進，都會直接降低儲存每bit數據嘅成本。隨住AI工作負載生成嘅文字、圖像、音頻同影片數據量以PB（拍字節）計，成本效益高嘅儲存方案，就係經濟地擴展AI推論同訓練工作負載嘅關鍵 。業界正全力競逐喺2026年量產2Tb QLC晶片，呢個里程碑將會進一步推低數據密集型企業級SSD嘅成本 。

3. 實現全新AI記憶體架構
   可能最值得留意嘅係，NAND快閃記憶體正由純粹嘅「大容量儲存倉庫」，轉變為AI記憶體層級中嘅一個「活躍組件」。新興架構好似 HBF（高容量近存） ，就係設計嚟提供一個高頻寬快閃層，安放喺高效能HBM同較慢嘅SSD大容量儲存之間，有效咁為「溫數據」擴充HBM嘅容量 。同樣地，「智能AI SSD」 嘅概念，係將運算單元直接整合到儲存裝置上，喺將數據傳送去GPU之前，先進行數據預處理（例如篩選或者重新格式化），咁樣就可以幫GPU「減負」，同時緩解記憶體瓶頸 。呢啲架構上嘅轉變，如果冇400層、900層、以至最終1000層以上NAND所提供嘅巨大密度同低廉成本，根本係天方夜譚。

Counterpoint研究報告喺探討邁向1000層3D NAND嘅挑戰時，精確咁歸納咗核心目標：供應商需要「實現更密集但完美無瑕嘅3D NAND架構，具備無可挑剔嘅性能，以優雅咁配合我哋進入AI時代後，日益增長嘅運算同DRAM能力」 。三星嘅900層原型正正係一個實在嘅信號，表明呢個目標嘅前半部分——即係超高密度、高效能儲存——已經伸手可及。