表面睇，福建晉華（Fujian Jinhua Integrated Circuit）同長鑫存儲（ChangXin Memory Technologies，CXMT）都係中國於 2016 年推出、由國家支持的 DRAM 項目，目標係打破三星、SK 海力士同鎂光主導的市場格局。兩家公司都計劃興建 12 吋晶圓廠，亦希望盡快形成大規模生產能力。4950

但近十年後，兩者結果幾乎完全相反：晉華未能建立持續運作的商業生產體系；長鑫則成功提升產量、改善技術，並成為中國市值最高的上市公司之一。

真正拉開差距的，唔單止係投資額或者廠房規模，而係兩家公司點樣處理「技術從邊度來」呢個核心問題。

晉華押注聯電：快，但風險集中

DRAM 生產唔係起好一座廠就完成。要成為可靠供應商，仲需要製程技術、設備及材料經驗、工程團隊、高良率、客戶認證，以及足夠資金捱過記憶體市場周期。

福建晉華當時選擇一條較快的技術轉移路線：由自己負責興建生產線及購買研發設備，再與台灣聯華電子（UMC）合作開發 DRAM。按當時報道，聯電原定派出核心技術團隊，協助開發 32 納米 DRAM 製程；晉華則負責生產線和研發投資。35

呢個方法有合理之處——唔使由零開始摸索，可以借助成熟半導體製造商的製程經驗，縮短學習時間。不過代價係，項目的技術進度、法律風險同供應支援，都集中喺一段外部合作關係之上。

風險很快浮面。鎂光指控前僱員及聯電挪用 DRAM 商業秘密，並將相關技術轉移予晉華使用。聯電其後在美國刑事案件中認罪，同意協助調查，並被判支付 6,000 萬美元罰款。33

Entity List 切斷晉華的「技術跑道」

2018 年 10 月，美國商務部將福建晉華列入 Entity List。未獲授權之下，公司取得美國原產貨品、軟件、技術、零部件及技術支援的能力受到限制。37

時間點對晉華尤其致命。當時廠房已接近商業化生產，但半導體廠唔可以只靠建築物和已安裝設備運作。持續量產需要供應商支援、製程調校、故障排除、設備升級，以及大量工程知識。

一旦這些外部支援被截斷，晉華就失去由「接近完成」走到「穩定量產」所需的技術跑道。結果係，項目未能建立足夠的產量、良率、客戶認證及自主製程研發周期，生產計劃亦長期受阻。

之後的法律發展，亦唔應該同工業結果混為一談。2024 年 2 月，美國聯邦法官在非陪審團審訊後裁定，檢方未能證明福建晉華涉及相關刑事罪行，公司獲判無罪。34

鎂光與晉華亦達成全球和解，結束雙方訴訟。36 不過，和解和無罪裁決並唔能夠重新創造已經失去的製程開發時間、供應商關係、客戶認證和市場動能。晉華的案例顯示，一個晶片項目可以在法律問題完全落幕之前，已經在商業上失去翻身機會。

長鑫走較慢的路：建立自己的技術底盤

長鑫一開始同樣需要外部知識。任何新 DRAM 生產商都不可能即時複製業界累積數十年的經驗。不同之處在於，長鑫較早將重點放在建立自己的研發、工程和知識產權能力，而唔係主要依賴一個正在運作的外國技術合作夥伴。

其中一個關鍵步驟，是長鑫據報於 2019 年與 Wi-LAN 旗下子公司 Polaris 達成協議，授權及收購源自德國 Qimonda 的 DRAM 知識產權資產。這宗交易為長鑫提供一個合法的傳統 DRAM 技術及專利基礎，之後再由自己的工程團隊作改良和延伸。31

取得專利唔代表一夜之間變成技術自主。舊有知識產權仍然要配合現代產品、製造設備、材料、設計規則和良率目標重新調整。不過，這種安排令長鑫有一個較能防守的學習平台：公司可以一代一代累積製程經驗，而唔係將成敗押在單一外部夥伴能否持續提供支援之上。

國家支持的資本和龐大的內地需求，亦令長鑫有時間承受研發及擴產成本。公司在建立生產基礎和開發產品期間曾持續錄得虧損，之後隨着記憶體價格及運算需求上升，業績才出現大幅改善。1728

由量產到「爆冷」上市

長鑫的成就，唔係短時間內已經追平三星、SK 海力士或鎂光，而係成功做到有意義的 DRAM 量產、逐步改善技術，並建立一個可以吸引更多資本的商業平台。

2026 年 7 月，長鑫在上海上市，集資 579.2 億元人民幣，約合 86 億美元；股份首個交易日升約 466%。路透社報道，長鑫一度成為中國股市市值最高的公司，亦是該年亞洲最大型 IPO。19

市場反應既反映中國對本土記憶體供應的戰略期待，亦反映當時極強的記憶體周期。長鑫公布，2026 年上半年收入達 1,503 億元人民幣，純利 776 億元；在運算需求和記憶體價格急升之下，公司由上年同期虧損轉為盈利。17

不過，呢些數字唔應該被解讀為長鑫已經完全追上三大 DRAM 龍頭。業界報道仍然認為，長鑫在核心製程技術上落後於三星和 SK 海力士，而市場份額及產能估算亦會因計算方法不同而有所差異。5357 長鑫已經係一個增長快速、具實質量產能力的挑戰者，但在最先進 DRAM 和 AI 記憶體產品方面，仍未與領先者站在同一水平。

長鑫避開了晉華的陷阱，但避唔開地緣政治

長鑫較內化的模式，減低了對單一外國技術渠道的依賴，但唔代表公司已經擺脫地緣政治風險。

2025 年，美國國防部將長鑫列為「中國軍工企業」，長鑫否認有軍方關聯，並入稟法院提出挑戰。公司表示，其 DRAM 產品是為民用及商業用途設計和銷售。1

要留意，國防部的軍工企業名單，唔等同於商務部的 Entity List。前者可能帶來政府採購、合約、聲譽及客戶關係方面的影響；後者則是出口管制機制，對指定交易通常涉及牌照要求。路透社於 2026 年 6 月報道，美國曾考慮將長鑫加入更廣泛的貿易黑名單，但當時仍未作出這項安排。2

這個分別亦解釋了點解長鑫即使建立更多本土能力，仍然容易受到政治因素影響。半導體生產依賴一個跨國生態系統，包括製造設備、軟件、零部件、材料、技術服務、客戶和融資。任何一個環節受到限制，都可能拖慢擴產或推高成本。

晉華與長鑫帶來的四個啟示

1. 有晶圓廠，不等於有完整產業能力

兩個項目都追求大型晶圓製造設施，但真正具競爭力的晶圓廠，必須由製程知識、高良率、工程人才、供應商渠道及合資格客戶共同支撐。晉華有硬件項目和技術夥伴，卻未能保住量產所需的整個系統。

2. 技術轉移可以加速，也可以放大風險

聯電令晉華有機會較快進入 DRAM，但亦令項目暴露於技術來源、商業秘密和地緣政治爭議之中。33 長鑫以收購知識產權配合內部研發，雖然速度較慢、成本較高，卻有助建立能夠跨代累積的機構知識。31

3. 記憶體行業需要長錢

DRAM 是資本密集而且周期性很強的生意。長鑫要先承受虧損，等到產品、產能和市場周期同時轉好，才有機會盈利。上市集資為擴產、技術升級和下一代研發提供大量資金，但記憶體價格向好，並唔會消除追趕領先者的長期成本。171952

4. 自主技術仍然會受到政治風險牽制

長鑫證明，本土研發及知識產權可以培養出有實力的 DRAM 挑戰者；但它面對美國國防部名單的法律爭議，也說明自主能力有其上限。公司可以減低對外國技術的依賴，卻仍然可能受制於外國設備、客戶、法規和國家安全政策。12

成敗關鍵：技術學習能否持續

福建晉華和長鑫並唔係因為一間有國家支持、另一間冇，才出現不同結果。兩者都獲得國家支持。真正關鍵係，當法律和政治衝擊出現時，技術學習、工程改善和量產進程能否繼續。

晉華依賴外部合作夥伴的路線，在接近量產之際被打斷；長鑫則透過較慢但更內化的研發、收購知識產權、長期資本和製造規模，令進步有機會一代接一代累積。

但長鑫的崛起並唔代表中國 DRAM 挑戰已經完結。公司仍要面對技術差距、良率和成本壓力、記憶體市場周期，以及出口管制進一步收緊的可能性。

更廣泛的啟示係：中國確實可以建立一個認真有料的記憶體晶片挑戰者，但條路非常窄，必須同時具備耐心資本、本土需求、合法技術來源、持續工程研發、穩定製造紀律，以及避開地緣政治樽頸的能力。長鑫比晉華行得遠得多，但仍未能令條路變得安全無虞。

表面睇，福建晉華（Fujian Jinhua Integrated Circuit）同長鑫存儲（ChangXin Memory Technologies，CXMT）都係中國於 2016 年推出、由國家支持的 DRAM 項目，目標係打破三星、SK 海力士同鎂光主導的市場格局。兩家公司都計劃興建 12 吋晶圓廠，亦希望盡快形成大規模生產能力。4950

但近十年後，兩者結果幾乎完全相反：晉華未能建立持續運作的商業生產體系；長鑫則成功提升產量、改善技術，並成為中國市值最高的上市公司之一。

真正拉開差距的，唔單止係投資額或者廠房規模，而係兩家公司點樣處理「技術從邊度來」呢個核心問題。

晉華押注聯電：快，但風險集中

DRAM 生產唔係起好一座廠就完成。要成為可靠供應商，仲需要製程技術、設備及材料經驗、工程團隊、高良率、客戶認證，以及足夠資金捱過記憶體市場周期。

福建晉華當時選擇一條較快的技術轉移路線：由自己負責興建生產線及購買研發設備，再與台灣聯華電子（UMC）合作開發 DRAM。按當時報道，聯電原定派出核心技術團隊，協助開發 32 納米 DRAM 製程；晉華則負責生產線和研發投資。35

呢個方法有合理之處——唔使由零開始摸索，可以借助成熟半導體製造商的製程經驗，縮短學習時間。不過代價係，項目的技術進度、法律風險同供應支援，都集中喺一段外部合作關係之上。

風險很快浮面。鎂光指控前僱員及聯電挪用 DRAM 商業秘密，並將相關技術轉移予晉華使用。聯電其後在美國刑事案件中認罪，同意協助調查，並被判支付 6,000 萬美元罰款。33

Entity List 切斷晉華的「技術跑道」

2018 年 10 月，美國商務部將福建晉華列入 Entity List。未獲授權之下，公司取得美國原產貨品、軟件、技術、零部件及技術支援的能力受到限制。37

時間點對晉華尤其致命。當時廠房已接近商業化生產，但半導體廠唔可以只靠建築物和已安裝設備運作。持續量產需要供應商支援、製程調校、故障排除、設備升級，以及大量工程知識。

一旦這些外部支援被截斷，晉華就失去由「接近完成」走到「穩定量產」所需的技術跑道。結果係，項目未能建立足夠的產量、良率、客戶認證及自主製程研發周期，生產計劃亦長期受阻。

之後的法律發展，亦唔應該同工業結果混為一談。2024 年 2 月，美國聯邦法官在非陪審團審訊後裁定，檢方未能證明福建晉華涉及相關刑事罪行，公司獲判無罪。34

鎂光與晉華亦達成全球和解，結束雙方訴訟。36 不過，和解和無罪裁決並唔能夠重新創造已經失去的製程開發時間、供應商關係、客戶認證和市場動能。晉華的案例顯示，一個晶片項目可以在法律問題完全落幕之前，已經在商業上失去翻身機會。

長鑫走較慢的路：建立自己的技術底盤

長鑫一開始同樣需要外部知識。任何新 DRAM 生產商都不可能即時複製業界累積數十年的經驗。不同之處在於，長鑫較早將重點放在建立自己的研發、工程和知識產權能力，而唔係主要依賴一個正在運作的外國技術合作夥伴。

其中一個關鍵步驟，是長鑫據報於 2019 年與 Wi-LAN 旗下子公司 Polaris 達成協議，授權及收購源自德國 Qimonda 的 DRAM 知識產權資產。這宗交易為長鑫提供一個合法的傳統 DRAM 技術及專利基礎，之後再由自己的工程團隊作改良和延伸。31

取得專利唔代表一夜之間變成技術自主。舊有知識產權仍然要配合現代產品、製造設備、材料、設計規則和良率目標重新調整。不過，這種安排令長鑫有一個較能防守的學習平台：公司可以一代一代累積製程經驗，而唔係將成敗押在單一外部夥伴能否持續提供支援之上。

國家支持的資本和龐大的內地需求，亦令長鑫有時間承受研發及擴產成本。公司在建立生產基礎和開發產品期間曾持續錄得虧損，之後隨着記憶體價格及運算需求上升，業績才出現大幅改善。1728

由量產到「爆冷」上市

長鑫的成就，唔係短時間內已經追平三星、SK 海力士或鎂光，而係成功做到有意義的 DRAM 量產、逐步改善技術，並建立一個可以吸引更多資本的商業平台。

2026 年 7 月，長鑫在上海上市，集資 579.2 億元人民幣，約合 86 億美元；股份首個交易日升約 466%。路透社報道，長鑫一度成為中國股市市值最高的公司，亦是該年亞洲最大型 IPO。19

市場反應既反映中國對本土記憶體供應的戰略期待，亦反映當時極強的記憶體周期。長鑫公布，2026 年上半年收入達 1,503 億元人民幣，純利 776 億元；在運算需求和記憶體價格急升之下，公司由上年同期虧損轉為盈利。17

不過，呢些數字唔應該被解讀為長鑫已經完全追上三大 DRAM 龍頭。業界報道仍然認為，長鑫在核心製程技術上落後於三星和 SK 海力士，而市場份額及產能估算亦會因計算方法不同而有所差異。5357 長鑫已經係一個增長快速、具實質量產能力的挑戰者，但在最先進 DRAM 和 AI 記憶體產品方面，仍未與領先者站在同一水平。

長鑫避開了晉華的陷阱，但避唔開地緣政治

長鑫較內化的模式，減低了對單一外國技術渠道的依賴，但唔代表公司已經擺脫地緣政治風險。

2025 年，美國國防部將長鑫列為「中國軍工企業」，長鑫否認有軍方關聯，並入稟法院提出挑戰。公司表示，其 DRAM 產品是為民用及商業用途設計和銷售。1

要留意，國防部的軍工企業名單，唔等同於商務部的 Entity List。前者可能帶來政府採購、合約、聲譽及客戶關係方面的影響；後者則是出口管制機制，對指定交易通常涉及牌照要求。路透社於 2026 年 6 月報道，美國曾考慮將長鑫加入更廣泛的貿易黑名單，但當時仍未作出這項安排。2

這個分別亦解釋了點解長鑫即使建立更多本土能力，仍然容易受到政治因素影響。半導體生產依賴一個跨國生態系統，包括製造設備、軟件、零部件、材料、技術服務、客戶和融資。任何一個環節受到限制，都可能拖慢擴產或推高成本。

晉華與長鑫帶來的四個啟示

1. 有晶圓廠，不等於有完整產業能力

兩個項目都追求大型晶圓製造設施，但真正具競爭力的晶圓廠，必須由製程知識、高良率、工程人才、供應商渠道及合資格客戶共同支撐。晉華有硬件項目和技術夥伴，卻未能保住量產所需的整個系統。

2. 技術轉移可以加速，也可以放大風險

聯電令晉華有機會較快進入 DRAM，但亦令項目暴露於技術來源、商業秘密和地緣政治爭議之中。33 長鑫以收購知識產權配合內部研發，雖然速度較慢、成本較高，卻有助建立能夠跨代累積的機構知識。31

3. 記憶體行業需要長錢

DRAM 是資本密集而且周期性很強的生意。長鑫要先承受虧損，等到產品、產能和市場周期同時轉好，才有機會盈利。上市集資為擴產、技術升級和下一代研發提供大量資金，但記憶體價格向好，並唔會消除追趕領先者的長期成本。171952

4. 自主技術仍然會受到政治風險牽制

長鑫證明，本土研發及知識產權可以培養出有實力的 DRAM 挑戰者；但它面對美國國防部名單的法律爭議，也說明自主能力有其上限。公司可以減低對外國技術的依賴，卻仍然可能受制於外國設備、客戶、法規和國家安全政策。12

成敗關鍵：技術學習能否持續

福建晉華和長鑫並唔係因為一間有國家支持、另一間冇，才出現不同結果。兩者都獲得國家支持。真正關鍵係，當法律和政治衝擊出現時，技術學習、工程改善和量產進程能否繼續。

晉華依賴外部合作夥伴的路線，在接近量產之際被打斷；長鑫則透過較慢但更內化的研發、收購知識產權、長期資本和製造規模，令進步有機會一代接一代累積。

但長鑫的崛起並唔代表中國 DRAM 挑戰已經完結。公司仍要面對技術差距、良率和成本壓力、記憶體市場周期，以及出口管制進一步收緊的可能性。

更廣泛的啟示係：中國確實可以建立一個認真有料的記憶體晶片挑戰者，但條路非常窄，必須同時具備耐心資本、本土需求、合法技術來源、持續工程研發、穩定製造紀律，以及避開地緣政治樽頸的能力。長鑫比晉華行得遠得多，但仍未能令條路變得安全無虞。