CSEAC 2026：中國晶片設備擴闊戰線，離子注入與量檢測仍是硬骨頭

2026 年 8 月 31 日至 9 月 2 日在無錫舉行的 CSEAC 2026，反映出中國半導體設備國產化進入另一階段：焦點已不止於「有冇一部機做到」，而係供應商能否為晶圓廠提供覆蓋更多製程步驟、可整合並可反覆量產使用的設備組合。

展場亦清楚說明，這不代表所有關鍵缺口已經補上。離子注入，以及檢測與量測，仍然是最難攻的「深水區」——技術路徑、投資回報和量產驗證要求，都跟蝕刻或薄膜沉積大不相同。418

進展在哪裏：由單點設備走向平台化

較明顯的進展，集中在可沿用既有技術基礎、同時市場較大的設備類別。

AMEC（中微公司）正擴闊蝕刻以外的產品線。 公司在 CSEAC 發布 6 款新設備，當中包括超高深寬比蝕刻設備，以及用於鉬金屬化的原子層沉積（ALD）系統。這顯示其目標不再局限於單一設備環節，而是要應對先進邏輯、功率半導體及薄膜製程等更多需要。17

NAURA（北方華創）呈現的是平台策略。 作為主要本地參展商之一，NAURA 的設備組合橫跨蝕刻、沉積及清洗等範疇。其意義在於，晶圓廠需要的不是一台單獨替代進口貨的機器，而是多個相連製程步驟都有更多本地選項。4

SMEE（上海微電子）則展示 EUV 以外的光刻持續研發。 它展出 365 納米 i-line 掃描投影光刻設備，解像度為 280 納米；以及 248 納米 KrF 乾式光刻設備，解像度為 110 納米，連同相關子系統一併亮相。使用其設備的客戶累計產出據報已超過 1,000 萬片晶圓。這些當然不是 EUV 系統，但在先進光刻設備極難取得和複製的背景下，仍反映出實際進展。4

整體而言，設備商正由「可以造出來」，走向更高一級的考驗：能否整合入產線、通過資格驗證，並長期穩定地跑量產。業界對今次展會的觀察亦是，競爭正由單點設備突破，轉向設備、核心部件與材料協同的生態系統競爭。1826

為何這個轉變特別重要

美國出口管制限制了中國取得部分先進半導體技術的渠道，令本地供應鏈韌性變得更受重視。分析指出，中國供應商在蝕刻、化學氣相沉積（CVD）、化學機械研磨（CMP）及晶圓清洗等類別，已有較可信的進展。19

不過，製程覆蓋面擴大，不等於已實現全面技術自主。部分設備的知識與技術難以從其他類別直接轉移，市場規模又較小，偏偏還要接受非常嚴格的晶圓廠量產驗證，因此難度會急升。

離子注入：真正的「深水區」

離子注入機正是代表例子。蝕刻和沉積設備可共用等離子體物理、真空腔體和射頻功率等技術底子；但離子注入機依靠的是離子光學、電磁質譜分析、高壓加速、束流傳輸、劑量與能量控制，以及污染控制。它更像一套精密受控的離子束系統，而非一般等離子製程設備。18

目前的缺口仍很大：報道引述的數據顯示，離子注入機整體國產化率不足 15%；高束流機型不足 10%；高能機型在本地則基本仍是空白。18

出口限制令問題更棘手。據展會報道，最先進的海外離子注入機，以及相應的二手機器，均不能出口到中國。晶圓廠因而只能依賴較舊的進口世代，可能影響製程穩定性和良率；同時，本地設備商亦較難取得可用作對標和驗證的參考設備。18

經濟帳同樣難計。離子注入的市場規模小於主流蝕刻和沉積設備，卻同樣需要長研發周期和大量晶圓廠驗證。對較新的本地供應商而言，要持續投入並不容易。18

檢測與量測：晶圓廠必須信得過數據

檢測與量測設備未必直接「造」出晶片，卻決定一片晶圓是否符合規格。在納米級製造中，微小缺陷、薄膜厚度偏差，或關鍵尺寸（CD）誤差，都足以令整批晶圓報廢。18

所以，吸引人的展示效果並不足夠。真正可量產使用的檢測或量測設備，必須在靈敏度、重複性、吞吐量、軟件穩定性，以及不同機台之間的一致性上長期達標。晶圓廠更要按不同製程逐一建立信心，才會取代已經成熟的既有系統。

起步基礎尤其薄弱：CSEAC 相關報道引用的較早數據顯示，前道檢測與量測設備的國產化率不足 10%，是主要設備類別中最低的一環。18 本地供應商正推進缺陷檢測、3D 形貌、薄膜與疊對量測，以及關鍵尺寸量測等範疇；但真正的分水嶺，仍是持續而可信的量產實績。4

重點：展會首發不等於攻克難關

CSEAC 2026 並沒有顯示中國已填平所有半導體設備缺口。它展示的，是 AMEC、NAURA、SMEE 等公司在大型、技術可重用的製程設備類別上，正建立更深和更廣的能力。417

至於離子注入與量檢測，下一階段注定較慢。前者受制於專門的束流控制技術及不利的研發經濟；後者則要讓晶圓廠相信其數據，而不只是相信規格表。最終的衡量標準，會是多年量產下的資格認證與可靠性，而不是展場上一台新機的發布。18