長鑫記憶體（CXMT）在記憶體市場愈來愈難被忽視，但今次兩項消息的進度並不一樣：第五代G5 DRAM平台已宣布量產；進軍NAND則仍是據報籌備中的研發計劃。845

G5量產，究竟進步在哪裏？

DRAM是手機、電腦、伺服器以至AI系統的「工作記憶體」：處理器正在使用的資料會暫存在這裏，斷電後便無法保留。長鑫宣布G5量產，同時推出兩款24Gb LPDDR5X產品，擴充高容量、低耗電的流動裝置記憶體產品線。488

最搶眼的數字，是長鑫稱G5每片晶圓可製造的晶粒總數，比G4多至少50%。比較採用「8Gb等效容量」作共同基準，並不是說新推出的LPDDR5X產品只有8Gb；「晶粒總數」亦未扣除製程瑕疵、測試或封裝造成的損耗，不能直接當成最終可出售的晶片數目。37

成本也不能照搬「下降50%」。假設每片晶圓的加工費及良率完全不變，晶粒數剛好多50%，每顆等效晶粒的加工成本才會在算術上降低約三分之一。實際成本仍取決於新製程開支和良率。此前《韓國先驅報》引述分析指，長鑫DDR5的每bit成本比三大供應商高逾30%；單憑G5公布，不能斷定差距已收窄多少。19

長鑫另稱，G5以自對準四重圖案化技術，令記憶體陣列的有源區半間距達11.95納米。49 這量度的是陣列中某種重複結構的間距，不代表晶片上所有結構的尺寸，更不能單靠它判斷整顆晶片的效能或製造成本。

市場份額升了，與龍頭仍有距離

TrendForce的2026年第二季DRAM營收數據顯示，長鑫以9.5%排第四；三星佔39.4%、SK海力士佔24.9%、美光佔23.3%。6 另一機構Counterpoint的估算則為長鑫佔10%，可見不同機構的市佔數字並不完全一致。4

份額上升不代表技術全面追平。韓國半導體產業協會估計，中國整體DRAM技術約落後韓國兩年，高頻寬記憶體（HBM）約落後三年；這是行業層面的概括估算，並非專門量度G5。30 有報道指長鑫已小規模生產HBM3E，並與中國晶片設計公司測試，但現有資料未能證明其已具備具競爭力的大規模產能，亦沒有確定下一代產品的量產時間。3430

另一個機會來自供應配置：三星、SK海力士和美光把投資重點放在AI相關HBM及伺服器記憶體，部分傳統DRAM產品的供應增長因而較緊，讓規模較小的廠商有更多拓展空間。不過，現有資料無法量化這對長鑫市佔增長的貢獻。22

NAND：報道指籌備研發，並非已有產品

NAND快閃記憶體與DRAM用途不同：它斷電後仍能保存資料，常見於固態硬碟（SSD）及手機儲存空間。長鑫若要進入NAND市場，須另行研發和驗證製造技術，而不是把G5 DRAM換個銷售渠道。

路透社9月18日引述知情人士報道，長鑫計劃在北京新廠設立NAND研發生產線。45 倘若日後成功推出產品，它將進入一個已有國際供應商、亦有中國NAND專門廠商長江存儲（YMTC）參與的市場。3545 但研發線不等於商業規模工廠；相關報道未確立產品推出日期、產能或確定的客戶訂單。

這個市場已有相當規模的對手：TrendForce數據顯示，2026年第二季三星的NAND市佔率為29.3%，SK海力士為18.2%。這些是現有市場份額，不是長鑫已取得的NAND銷售。6

長鑫對韓國記憶體大廠最直接的競爭，目前仍在傳統DRAM：它已有較大的營收份額，G5亦以提高晶圓產出為目標。63 供應偏緊、價格維持強勢，可能讓成本較高的新競爭者更有空間銷售、投資和改進生產；但這本身不能證明其良率或成本已追上三星和SK海力士。1922 往後要看的，是G5的密度提升能否轉化為合格產量及有競爭力的成本；至於NAND，第一關仍是北京研發計劃能否帶來通過驗證的商業產品。345

長鑫記憶體（CXMT）在記憶體市場愈來愈難被忽視，但今次兩項消息的進度並不一樣：第五代G5 DRAM平台已宣布量產；進軍NAND則仍是據報籌備中的研發計劃。845

G5量產，究竟進步在哪裏？

DRAM是手機、電腦、伺服器以至AI系統的「工作記憶體」：處理器正在使用的資料會暫存在這裏，斷電後便無法保留。長鑫宣布G5量產，同時推出兩款24Gb LPDDR5X產品，擴充高容量、低耗電的流動裝置記憶體產品線。488

最搶眼的數字，是長鑫稱G5每片晶圓可製造的晶粒總數，比G4多至少50%。比較採用「8Gb等效容量」作共同基準，並不是說新推出的LPDDR5X產品只有8Gb；「晶粒總數」亦未扣除製程瑕疵、測試或封裝造成的損耗，不能直接當成最終可出售的晶片數目。37

成本也不能照搬「下降50%」。假設每片晶圓的加工費及良率完全不變，晶粒數剛好多50%，每顆等效晶粒的加工成本才會在算術上降低約三分之一。實際成本仍取決於新製程開支和良率。此前《韓國先驅報》引述分析指，長鑫DDR5的每bit成本比三大供應商高逾30%；單憑G5公布，不能斷定差距已收窄多少。19

長鑫另稱，G5以自對準四重圖案化技術，令記憶體陣列的有源區半間距達11.95納米。49 這量度的是陣列中某種重複結構的間距，不代表晶片上所有結構的尺寸，更不能單靠它判斷整顆晶片的效能或製造成本。

市場份額升了，與龍頭仍有距離

TrendForce的2026年第二季DRAM營收數據顯示，長鑫以9.5%排第四；三星佔39.4%、SK海力士佔24.9%、美光佔23.3%。6 另一機構Counterpoint的估算則為長鑫佔10%，可見不同機構的市佔數字並不完全一致。4

份額上升不代表技術全面追平。韓國半導體產業協會估計，中國整體DRAM技術約落後韓國兩年，高頻寬記憶體（HBM）約落後三年；這是行業層面的概括估算，並非專門量度G5。30 有報道指長鑫已小規模生產HBM3E，並與中國晶片設計公司測試，但現有資料未能證明其已具備具競爭力的大規模產能，亦沒有確定下一代產品的量產時間。3430

另一個機會來自供應配置：三星、SK海力士和美光把投資重點放在AI相關HBM及伺服器記憶體，部分傳統DRAM產品的供應增長因而較緊，讓規模較小的廠商有更多拓展空間。不過，現有資料無法量化這對長鑫市佔增長的貢獻。22

NAND：報道指籌備研發，並非已有產品

NAND快閃記憶體與DRAM用途不同：它斷電後仍能保存資料，常見於固態硬碟（SSD）及手機儲存空間。長鑫若要進入NAND市場，須另行研發和驗證製造技術，而不是把G5 DRAM換個銷售渠道。

路透社9月18日引述知情人士報道，長鑫計劃在北京新廠設立NAND研發生產線。45 倘若日後成功推出產品，它將進入一個已有國際供應商、亦有中國NAND專門廠商長江存儲（YMTC）參與的市場。3545 但研發線不等於商業規模工廠；相關報道未確立產品推出日期、產能或確定的客戶訂單。

這個市場已有相當規模的對手：TrendForce數據顯示，2026年第二季三星的NAND市佔率為29.3%，SK海力士為18.2%。這些是現有市場份額，不是長鑫已取得的NAND銷售。6

長鑫對韓國記憶體大廠最直接的競爭，目前仍在傳統DRAM：它已有較大的營收份額，G5亦以提高晶圓產出為目標。63 供應偏緊、價格維持強勢，可能讓成本較高的新競爭者更有空間銷售、投資和改進生產；但這本身不能證明其良率或成本已追上三星和SK海力士。1922 往後要看的，是G5的密度提升能否轉化為合格產量及有競爭力的成本；至於NAND，第一關仍是北京研發計劃能否帶來通過驗證的商業產品。345