DRAM市场Q2 2026大洗牌：三星重夺榜首，美光紧追SK海力士，长鑫存储份额突破7%

三星以39%份额重夺榜首

三星电子在2026年Q2以39%的全球DRAM营收份额稳居第一，基本恢复到2024年的水平 。这一增长主要得益于三星在通用和普通DRAM供应及定价方面的强势表现，而HBM价格停滞与通用DRAM价格快速上涨形成鲜明对比 。多家媒体称三星在通用DRAM领域展现出“压倒性优势”，拉大了与2025年Q2市场领头羊SK海力士的差距 。

SK海力士营收增214%，份额却降至26%

SK海力士以26%的营收份额滑落至第二位，较2025年Q2的39%大幅下滑 。这一下滑发生在该公司季度营收同比增长214%的背景下 。营收增长与份额流失的分化反映了市场组合的轮动：SK海力士是HBM领域的绝对主导者，HBM价格虽高但在本季度面临短期定价压力，而通用DRAM价格则急剧飙升。三星的产品组合更加多元化，在通用DRAM上权重更高，因此受益于这一价格动态 。

美光紧追不舍，差距仅1个百分点

美光科技延续了强劲势头，在2026年Q2取得25%的全球DRAM营收份额，与SK海力士的差距缩小至仅1个百分点 。这创下了近年来第二、三名之间的最小差距 。韩国媒体称，这凸显了来自美国竞争对手对韩国存储巨头日益加大的压力 。

长鑫存储：716%增长、7%份额，LPDDR6量产在即

长鑫存储（CXMT）是本季度最亮眼的增长故事，营收同比飙升716%，全球DRAM营收份额跃升至7% 。相较于2025年初约3-4%的份额和2026年Q1约8%的份额，这是巨大的飞跃 。Counterpoint研究副总裁Neil Shah指出，长鑫存储的增长主要得益于中国本土云巨头和手机制造商的强劲国内需求 。在IPO前夕，该公司已与腾讯达成29.4亿美元的DRAM供货协议 。

在LPDDR6方面，长鑫存储正接近一个关键里程碑。其16Gb LPDDR6芯片（速率12.8 Gbps）的研发验证已进入最后阶段，目标是在2026年下半年实现量产 。12.8 Gbps的速度比SK海力士EUV 1c工艺可达的14.4 Gbps上限低约11%，反映出长鑫存储受限于DUV光刻设备 。长鑫存储已向核心客户发送LPDDR6样品 。该公司还计划在2026年底前实现HBM量产 。

AI需求：重塑排名的结构性力量

AI基础设施建设是Q2 2026几乎所有市场变化背后的结构性驱动力 。AI服务器和超大规模数据中心的加速部署持续推动产能利用率达到极限 。HBM生产正消耗越来越多的总DRAM晶圆产能——TrendForce预计，到2027年底，HBM将占所有DRAM晶圆投入的30%，届时供应只能满足60%的预计需求 。瑞银（UBS）预计DRAM供需在2028年Q2之前不会恢复平衡 。

美光和SK海力士均表示其2026年的HBM产能已基本售罄。美光2026全年的HBM产能早在2025年底即告罄 ，SK海力士也表明其2026年的RAM产能已基本全部被预订 。

更广泛的市场背景：剧烈波动与创纪录定价

2026年Q2，元器件市场的紧张程度超过了自2021-2022年短缺以来的任何时期 。通用DRAM合约价在Q2环比上涨58-63%，此前Q1录得创纪录的90-95%涨幅 。通用DDR4 8Gb芯片在2026年5月达到每颗20美元的历史新高 。

内存市场的波动性在2026年上半年不仅没有缓解，反而加剧 。所有主要DRAM产品类别的供应仍然紧张，供应商灵活性有限，定价可见度持续恶化 。一家关键供应商近期建议客户为DRAM价格在2026年底前每月上涨10-20%做好准备 。尽管业绩强劲，美光股价在年初仍出现下跌，因为市场在权衡定价的可持续性 。

Q2 2026 DRAM营收份额一览

注：部分早期Counterpoint报告在SK海力士的具体数据上略有出入（26% vs 某些Q1参考中的29%）。综合韩国、美国和中国多个信源，Q2 2026营收份额的共识为三星39%，SK海力士26%，美光25%，长鑫存储7% 。