FMS 2026：三星zHBM、400+层NAND与新AI内存堆栈正式亮相

• 性能：三星宣称采用zHBM的下一代接口系统，性能可达HBM5的约8倍。另有报道称，与HBM4相比，数据传输速度提升4倍，功耗仅为后者的四分之一。
• 密度：借助下一代晶圆键合技术，内存密度可比传统HBM提升超10倍。
• 能效：能效比HBM5提升约3倍（相当于功耗降低约66%）。
• 状态：三星明确表示，zHBM目前仅处于概念模型阶段，并非量产产品。

在同一场发布中，三星还展示了针对边缘AI推理场景的zNAND-O概念架构。

三星V10 BV-NAND：业界首款400+层晶圆键合NAND，已量产

三星推出V10 BV-NAND（Bonding V-NAND），这是业界首款采用晶圆键合技术的NAND闪存：将存储阵列与外围逻辑电路分离，分别制造后通过键合技术将两片晶圆贴合。

• 层数：超过400个有效层，是三星V-NAND产品线迄今披露的最高数字。
• 存储密度：相较上一代V9，密度提升约58%。
• 能效与散热：晶圆键合方案使能效提升约3倍，并显著降低热阻。
• 量产状态：V10 BV-NAND已进入大规模量产，是业界首款跨越400层门槛并实现商业出货的NAND闪存。

SK海力士HBF开放标准：获谷歌与Tenstorrent背书的“新内存层级”

SK海力士与SanDisk在FMS 2026上通过开放计算项目（OCP） 发布了High Bandwidth Flash（HBF） 的首个开放技术规范。

• 规格：初始标准支持8层与16层NAND堆叠，容量最高512GB，通过UCIe接口实现最高3.0 TB/s带宽。
• 生态阵容：谷歌DeepMind和Tenstorrent已加入HBF联盟。
• 定位：HBF被定义为介于高带宽DRAM与传统NVMe SSD之间的“容量型存储层级”，专门解决AI推理过程中的内存瓶颈问题。

行业共识：HBM已不够用，分层内存架构才是未来

在FMS 2026的多场主题演讲与圆桌讨论中，一个明确的行业共识浮出水面：单靠HBM无法满足AI计算日益增长的带宽与容量需求。多位演讲者指出，分层内存架构——将HBM、HBF级闪存、CXL互联内存与NVMe SSD组合成多级缓存体系——将是未来AI基础设施的核心设计方向。Marvell在其展示中明确聚焦“智体AI推理”场景，强调内存与存储组合必须多元化，不能仅依赖HBM。

关于两个未获证实的说法

在原始问题中提到的以下两条信息——英伟达预测AI代理数量将超过全球人口、内存定价将从每GB转向每次I/O，以及三星、SK海力士和美光2027年DRAM及HBM产能全部售罄、客户只能拿到请求量的60-70%——在本次FMS 2026的公开报道来源中均未找到可交叉验证的证据。这些说法可能出现在未在公开渠道完整记录的主题演讲或闭门研讨中。