三星FMS 2026详解：zHBM垂直堆叠、V10 BV-NAND突破400层，内存业务模式迎来巨变

zHBM —— 垂直HBM概念架构

最引人注目的是 zHBM 概念架构。它革命性地将高带宽内存 垂直堆叠在AI加速器正上方，而非并排放置在硅中介层上 。先进的晶圆键合技术使这种排列成为可能 。三星宣称，zHBM系统有望实现 约8倍于HBM5的性能、超过10倍的内存密度、3倍的能效提升，并将热阻降低一半以上 。需要明确的是，zHBM目前只是一个物理概念模型，并非量产产品，三星也未提供商业化时间表 。如果该架构得以实现，将终结目前每一代HBM都依赖的硅中介层技术 。

zNAND-O —— 面向边缘AI的3D NAND概念

三星还推出了 zNAND-O 概念产品，它将V-NAND技术与硅通孔（TSV）相结合，将 4颗或8颗NAND芯片 垂直堆叠在一个封装内 。该架构专为 边缘AI工作负载 设计，三星强调其在空间利用率、I/O性能和延迟方面的改进 。与zHBM一样，zNAND-O目前也仅是概念展示，没有具体的商业化日期 。

HBM4E样品与HBM5模型

三星在其展台展示了 HBM4E样品 —— 其HBM路线图的下一步，以及 HBM5概念模型 。公司于2026年2月使用其 1c DRAM和4纳米芯片技术 开始了业界首款HBM4的量产，并在同年5月成为首家向全球客户交付HBM4E样品的公司 。HBM4E的量产目标定在2027年，将采用三星的第四代混合键合工艺 。

LPDDR5X-PIM —— 存内处理技术

三星演示了 LPDDR5X-PIM，并称其为业界首款具备片上存内处理（PIM）能力的LPDDR内存 。该设计可在内存内部执行部分数据运算，减少AI推理工作负载下内存与CPU/GPU之间的数据传输，从而提升效率并降低功耗 。

企业级SSD平台

三星还展示了其下一代企业级SSD平台 PM1763和BM1773，这些平台专为AI基础设施工作负载设计 。

市场背景：三星重夺DRAM领导地位

三星2026年第二季度DRAM市场份额领先

根据 Counterpoint Research 的数据，三星在2026年第二季度占据了全球DRAM市场 39%的营收份额，超越SK海力士（下降至 26%），美光则以25%位列第三 。这一转变主要得益于通用DRAM的强劲需求以及三星HBM产量的扩大，而SK海力士则面临HBM价格停滞的挑战 。尽管SK海力士的营收同比增长了214%，但其市场份额却从2025年第二季度的39%下降到了2026年第二季度的26% 。这标志着三星在经历SK海力士此前几个季度的短暂领先后，重新夺回第一的位置 。

向长期AI客户协议（LTA）的战略转型

在7月30日举行的2026年第二季度财报电话会议上，三星宣布了一项重大战略转变：计划将 60-70%的总内存产能 置于长期供应协议（LTA）之下 。

LTA结构的关键细节：

• “5年滚动”合同结构：以5年为基础期限，每年进行续约协商 。
• 合同包含 预付款（三星透露已收到总预付款的约四分之一）和 价格上限条款。协议规定每季度价格下调幅度上限为5%，但价格上涨的灵活性则基本不受限制 。
• 三星已与 五家主要全球数据中心客户（据报道为AWS、微软、谷歌、Meta和甲骨文）签署了LTA，并正在与另外五家进行最后阶段的谈判 。
• 相比之下，美光的目标是将其约50%的销售额纳入其战略客户协议 。

根据美银美林的一项调查，这些合同条款明显有利于供应商，价格下调上限为每季度5%，而价格上调潜力则不受限制 。

FMS 2026上的更广泛行业动态

三星并非FMS 2026上唯一引起轰动的公司：

• SK海力士与闪迪 联合发布了首个 高带宽闪存（HBF） 标准，这是一个旨在填补HBM和SSD之间性能差距的新型存储层级 。HBF规范涵盖最高512GB的容量（采用8层和16层NAND芯片堆叠配置），带宽范围约为0.4 TB/s至3.0 TB/s，并采用通用小芯片互连高速（UCIe）接口 。谷歌和Tenstorrent正在参与HBF联盟 。
• 铠侠（Kioxia） 展示了其针对GPU直接访问优化的 GP1系列PCIe 6.0 NVMe SSD，并与英伟达共同进行了关于AI基础设施闪存存储的演讲 。铠侠还展示了其CM10系列PCIe 6.0企业级SSD和NX1系列SSD，两者均支持直接液冷 。
• 美光 自2026年2月起已量产 9650 PCIe 6.0企业级SSD，这是首款商用的PCIe 6.0驱动器 。
• SK海力士 还在其展台展示了第十代（V10）375层4D NAND，并声称能效提升了2.5倍 。

核心总结： 三星在FMS 2026上发出的信息是架构上的彻底革新——zHBM和zNAND-O代表了当前内存设计的激进突破。这不仅得到了强劲的DRAM市场势头支持，更辅以一项新的LTA驱动的商业模式，该模式将锁定60-70%的产能给AI客户。整个行业显然正围绕分层内存架构（HBM, HBF, SSD）和PCIe 6.0接口进行整合，这预示着AI基础设施内存领域将进入一个竞争与创新同样激烈的时期。