三星HBM5亮相Computex 2026：一场关于散热与AI霸权的新竞赛

在全球AI芯片军备竞赛的背景下，散热问题正成为比带宽更致命的瓶颈。三星电子在2026年6月初的Computex台北电脑展上，首次向世界展示了其下一代HBM5内存的实物模型，用两项关键技术表明其争夺AI内存霸权核心的决心：一个采用2纳米制程的基极芯片，以及一套名为“热路径模块”（Heat Path Block，简称HPB）的创新散热架构 。

此举标志着三星与SK海力士在英伟达AI内存供应链上的竞争，正式从单纯的容量与速度之争，进入了以热管理为核心的“深水区”。

HBM5三大核心看点：2纳米、HPB与超高堆叠

三星首席技术官（CTO）宋在赫在Computex现场公布了HBM5的三大关键规格 ：

• 2纳米自研基极芯片：三星计划在其自家的2纳米晶圆代工工艺上制造HBM5的基极芯片。这不仅是HBM产品首次采用如此先进的制程，也标志着三星在内存领域的一次重大技术跨越 。
• 热路径模块（HPB）：这是三星针对日益严重的AI内存发热问题给出的专属答案。该设计在芯片的物理层（PHY）之间创建了额外的热量传输路径，能更高效地将堆叠内部的热量导出，从而降低热阻，提升运行稳定性。三星强调，HPB架构已在HBM4E产品上完成了结构、可靠性与封装稳定性的全面验证 。
• 灵活的多层堆叠方案：为满足不同AI加速器客户的容量需求，HBM5准备了12层、16层和20层三种DRAM堆叠构型 。

关于上市时间，三星的路线图清晰显示，其12层HBM4E样品已于今年5月开始向客户交付，而HBM5的大规模生产预计要到2028年左右 。宋在赫补充说，HPB的最终部署时间点也可能根据客户需求和市场状况而提前 。

直面对决：SK海力士的回应与英伟达的制衡术

Computex 2026的舞台，赤裸裸地展现了两大韩国存储巨头的迥异策略：

三星的攻势：祭出“技术超差”策略，试图通过HBM5的先进制程和热管理创新，实现对领先者的弯道超车。毕竟，三星是全球首家量产HBM4的厂商，此次又率先公开HBM5实体模型，意在树立其“技术最先进供应商”的形象 。

SK海力士的防守：作为当前市场霸主，SK海力士选择用实力说话。根据Counterpoint Research的数据，2026年第一季度，SK海力士占据了全球HBM市场58%的份额，遥遥领先于三星的21% 。SK集团会长崔泰源在同一展会上宣布，将在未来五年内将晶圆产能翻一番，并预测内存短缺将持续到2030年 。

英伟达的沉默与权谋：最耐人寻味的是英伟达CEO黄仁勋的态度。他在Computex上公开赞扬了SK海力士的成功，却对三星只字未提 。这无声的表态，凸显了SK海力士在英伟达GPU供应链中的强势地位。然而，业界深知，英伟达一贯奉行“双供应商”策略来确保议价权，因此，三星仍有机会在未来几代AI加速器中赢得一席之地 。

为什么散热成了决定胜负的新战场？

当HBM内存堆叠至16层甚至20层时，芯片的垂直集成度极高，与逻辑芯片紧密贴合，层层堆叠导致热量在中间积聚，严重时会破坏信号完整性、增加功耗并缩短使用寿命。散热，已不再是附属问题，而是决定AI加速器性能上限的关键瓶颈 。

三星的HPB正是为此而生。与单纯依赖外部的风扇或液冷不同，HPB是一种架构级的散热创新。它直接在芯片内部开辟多条专用的“热高速公路”，主动引导热量向外传导，而不是被动地等待热量扩散 。

SK海力士同样在加紧研发下一代HBM散热技术，但三星率先将HPB作为HBM5的核心卖点公开，无疑是在向市场传递一个信号：它相信热管理的创新，而非仅仅是更高的堆叠层数，才是打破SK海力士供应链优势的胜负手 。

随着AI内存市场预计在整个2026年都处于供不应求的状态，一场关于热能的战争已然打响。谁能赢得这场散热之战，谁就更有可能在未来英伟达“Rubin”平台及更下一代的AI加速器上，赢得那个宝贵的插槽位。