麦肯锡的分析模型则直接泼了冷水:到2027年,800G光模块的产量预计会比需求低40%至60%;而1.6T光模块30%至40%的供应短缺,则可能持续到2029年 。那些造成今天危机的结构性制约因素,在本十年内很难被根本解决。业界对2026至2035年InP衬底市场的基本判断是:“一个由供应能力而非需求驱动的、持续的高价值增长阶段”
。
面对危机,英伟达并未坐以待毙。该公司已向光子学领军企业Lumentum和Coherent豪掷总计40亿美元,并绑定了数十亿美元、为期数年的高级激光器和光学组件采购承诺 。此外,它还承诺与康宁展开多年合作,投资5亿美元,助其将美国的光纤连接产能提升十倍
。
然而,即便是如此大手笔的投入,也无法迅速解决InP的瓶颈。因为根本制约是物理层面的,而非金钱。
高度集中的供应基础。 高纯度InP衬底的生产,掌握在全球极少数供应商手中——大约只有5到6家公司,这使得整条供应链相当脆弱,难以应对突发的需求高峰 。全球范围内能规模化生产InP衬底的企业,仅有2到3家
。
物理产能是真正的天花板。 磷化铟的制造需要专门的金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备和分子束外延(MBE)系统。这些设备的订单已经排到了2027年之后,而熟练的操作人员也同样稀缺 。手握全球EML激光器市场50-60%份额的巨头Lumentum,其CEO在2026年初就坦言,公司“客户需求缺口约在30%左右”,并表示即使已经增加了20%的产能,供需失衡的状况反而加剧了
。Lumentum的全部EML产能,都已通过长协锁定至2027年底
。
前所未有的需求规模。 AI数据中心并非线性增长。当它们从数千个加速器扩展到数十万个时,对光学互联密度的要求已经增长了8到16倍 。一台AI服务器所需的光模块数量是传统服务器的十倍,当前超过80%的InP需求,都来自AI数据中心
。
InP的短缺并非孤立危机,它是AI基础设施的爆炸式需求与专业组件供应链缓慢扩张之间结构性错配的最新写照。
高带宽内存(HBM)是此前被反复提及的“卡脖子”环节,据报道,三大HBM/DRAM制造商都已在满负荷运转 。光模块本身也是一个核心制约,超大规模数据中心运营商正急切渴求着足够的800G和1.6T模块来连接GPU集群
。
如今,InP激光器及衬底的短缺,则成了光模块瓶颈中最刺痛的那个“针尖”。有供应链分析师将此形容为“灾难级”短缺,称InP相关的激光器与光器件已是“一场彻底的灾难” 。高盛也指出,InP及多种电子元器件的供需缺口“在过去四个月持续扩大”,且“在2027年前不太可能逆转”
。
从HBM存储,到光模块,再到InP衬底,一个清晰的模式浮现出来:每一波新的AI基建需求浪涌,都会撞上一条从未被设计为需跟上“AI速度”的物理供应链。这些供应链都有着漫长的认证周期、高度集中的供应商,以及设备订单排期长达数年的专用制造设备。InP危机只是最新的承压断裂点,而考虑到仅数据中心对AI光学组件的需求,到2030年的年复合增长率都预计高达85% ,它绝不会是最后一个。
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