史上最严峻的存储芯片荒：为何高盛认为危机会持续到2028年

尽管未列入“三巨头”，报告也点名了美光科技 (MU) 和闪迪 (SNDK) 为同场AI驱动存储芯片短缺的关键受益者 。

数据解读：不断扩大的供需缺口

高盛的模型显示，供应不足的情况正在加剧，而非缓解：

• DRAM：2026年短缺5.0%，2027年将深化至5.9% 。
• NAND：2026年短缺4.4%，2027年将深化至4.6% 。
• HBM：在这两年里，其供应紧张程度甚至比传统的DRAM和NAND更为严峻，但报告未以相同格式列出具体百分比 。

这些数据加深并延长了2026年2月的预测，彼时的报告已指出2026年将出现15年来最大的DRAM供应缺口 。

为何“这次与众不同”？三大结构性变革

以往的存储芯片繁荣周期通常由PC和智能手机的升级换代驱动，当供应赶上，消费需求减弱时便宣告结束。高盛认为，本轮周期建立在三大结构性转变之上 ：

1. AI需求具有刚性：AI服务器的建设如今消耗了超过一半的DRAM供给。这不是可以延迟的可选消费支出；超大规模云服务商被锁定在多年的基础设施建设周期中。
2. 资本支出纪律严明：以往，高价格会触发大量新晶圆厂的建设。但这次，主要制造商表现出克制，刻意限制了供应的增长。
3. 永久性增长的存储需求强度：高带宽存储器和高密度NAND不再是电子产品的简单组件；它们已深深嵌入AI基础设施、企业级存储和数据中心的结构之中。

估值体系的历史性转变

对投资者而言，本次报告最具操作性价值的洞见或许在于，高盛呼吁将估值框架从市净率（P/B）转向市盈率（P/E） 。

该银行认为，内存制造商的盈利能力和收益可见性已出现结构性改善。尽管如此，这些股票中的大多数仍以个位数的市盈率进行交易，这种估值未能反映一个持续多年的盈利周期。高盛已正式将其新目标价锚定在市盈率倍数上，并以9倍作为基准。

已知风险：繁荣的经典终结方式

高盛并未忽视以往存储周期的历史教训。报告承认以下风险：

• AI投资放缓或超大规模云服务商削减资本支出，可能会迅速摧毁需求 。
• 如果制造商集体放弃当前的资本开支纪律，当前的短缺可能会瞬间逆转为一场经典的供应过剩 。
• 高昂的组件成本已经在减缓PC和智能手机的增长，这是一种可能加速的需求破坏形式 。

尽管该银行认为AI架构为抵御这些风险提供了强大的缓冲，但也警告称，一旦资本支出突然激增，旧的周期逻辑将卷土重来 。

更广泛的分析师群体也对此表示认同，例如IDC等机构将此描述为一种“可能是永久性”的硅晶圆产能战略性再分配，不过其时间表更为谨慎，最初只预警到2027年的风险 。