选择英特尔的EMIB-T还是台积电的CoWoS,是一个根本性的架构决策,将影响成本、可扩展性和供电方式。其核心差异在于如何连接多个运算晶粒和高带宽内存(HBM)堆叠。
台积电的CoWoS(基板上晶圆上芯片) 使用一个大面积、无源的硅中介层作为所有芯片承载的基础。这块全尺寸中介层如同一条含有数千个垂直互连(硅通孔)的超密集数据高速公路,能提供极高带宽,但成本极为昂贵 。中介层的尺寸受光刻掩模版极限的限制,这既约束了最大封装尺寸,也意味着随着复杂度增加,良率可能受到负面影响
。
英特尔的EMIB-T(嵌入式多晶粒互连桥接,带硅通孔) 则采取了完全不同的路线。它不使用单一的中介层,而是将微小的局部硅桥直接嵌入有机封装基板中,并且只在需要特定晶粒间进行高速连接的确切位置进行部署 。这种设计省去了昂贵的全尺寸硅底板,降低了物料成本,并使物理上更大的封装成为可能——最高可达惊人的120×180毫米,能集成超过38个桥接晶粒和12个以上光罩尺寸的计算小芯片——因为封装不再受单一中介层光罩极限的限制
。
相比英特尔旧版EMIB,EMIB-T的一个关键升级在于在桥接中引入了硅通孔(TSV)。旧版EMIB是让信号绕过桥接走线,而EMIB-T则让信号穿过桥接传输,通过将供电电阻降低超过30%,显著改善了信号完整性和供电效率 。该技术还集成了高功率MIM电容器,使其更适于满足HBM4级别内存苛刻的供电需求
。
概括而言,CoWoS优先考虑通过统一的高成本中介层实现极致带宽,而EMIB-T提供了一种更模块化、成本潜力更低且规模可大幅扩展的架构,代价则是生态系统成熟度和久经考验的批量生产良率。
联发科的承诺附带着一份具体且激进的时间表。该公司披露,该项目目标在2026年第四季度完成流片(Tape-out),并于2027年第四季度开始量产 。这一安排与英特尔自身的路线图相符,后者计划在今年推动EMIB-T进入全生产晶圆厂铺开阶段,而更广泛的EMIB技术预计将在2026年下半年开始实现有意义的收入增长
。2026年末的流片将是一个关键的设计冻结时刻,之后将开启通往高量产良率的漫长且充满风险的道路。
这份雄心勃勃的计划笼罩在一个重大技术风险的阴影下:良率。著名分析师郭明錤已成为对此发出警示的主要声音,他警告称,从验证阶段过渡到大规模生产将异常困难。
根据披露,英特尔的EMIB-T工艺在谷歌代号为 “Humufish” 的下一代TPU上,已取得约 90% 的技术验证良率,该芯片同样计划在2027年下半年推出 。尽管郭明錤认为,对于一项仍在开发中的技术,达到90%“是一个非常积极且合理的数据点”,但他强调,这距离商业上可行的大规模生产所必需的 ~98%的良率目标 “仍有显著差距”
。
关键在于,郭明錤明确划分了验证良率与真实量产良率的区别。他指出,由于Humufish的部分产品规格仍未最终确定,90%这个数字仅代表了有限的验证数据,不能作为可靠的生产预测 。他最尖锐的警告是:将良率从90%提升到98%,比从项目启动做到90%更难
。在这最后的冲刺阶段,设计、工艺和材料之间的复杂相互作用会形成一个极其艰难的优化局面。花旗银行的一份研究报告也强化了这一谨慎观点,指出因其成熟且占主导地位的生态系统,台积电在短期内面临的来自英特尔的竞争压力微乎其微
。
为故事增添更多复杂性的是,联发科与谷歌之间被广泛报道但未经官方证实的合作关系。供应链消息人士持续报告,联发科正在为某个重要的数据中心客户设计定制AI ASIC(包括张量处理单元TPU),外界普遍认为该客户正是谷歌 。而那个90%的EMIB-T验证良率,恰恰是在谷歌代号为“Humufish”的下一代TPU上实现的
。
然而,联发科公开层面拒绝承认谷歌是其客户,并拒绝对是否会将EMIB技术用于谷歌芯片置评 。这种模糊不清使得联发科独家承诺使用EMIB-T的意义更为重大:这暗示着至少有一位重要客户对英特尔的封装路线图有足够信心,并批准了一个基于此的项目,据说这一决定得益于EMIB相较已达极限的CoWoS所带来的成本和产能优势
。
独家采用EMIB-T是一个戏剧性的战略转向。就在COMPUTEX发布此消息的几天前,联发科的公开姿态还是一名中立的双货源供应商。其高级副总裁胡文伟表示:“我们是少数能同时支持(台积电)CoWoS和(英特尔)EMIB的定制芯片供应商之一。我们让客户自行选择” 。
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