AI内存短缺危机：DRAM供应紧张或将持续至2028年

是什么导致了AI驱动的内存短缺？

这次短缺本质上是AI需求冲击与结构性供应限制的碰撞。核心驱动因素包括：

来自AI加速器的爆炸性HBM需求。 Nvidia、AMD和谷歌的GPU需要海量HBM。在2026财年第三季度，美光的营收同比几乎翻了四倍，几乎全部来自HBM销售。该公司2026年全年的HBM产能早在年初就已售罄。

HBM挤占了标准DRAM产能。 HBM3E消耗的晶圆面积大约是标准DDR5的三倍，而垂直堆叠过程中的良率损失进一步放大了对晶圆的需求。将生产线转向HBM直接减少了用于个人电脑和服务器的普通DRAM的供应。

智能体AI与推理工作负载。 除了模型训练，新兴的“智能体AI”工作负载——即自主AI代理持续运行推理——正在创造一个新的、持续性的DRAM需求层，这是此前周期中不曾出现过的。

供应无法跟上需求。 美光一再表示，它只能满足关键客户50%到三分之二的需求。这种缺口并非短期错配。新建一座晶圆厂需要3到5年。美光在美国的首座新晶圆厂预计要到2027年中期才能产出第一批晶圆，而竞争对手的产能则更晚上线。

美光预计短缺将持续多久？

随着需求的加速，美光已多次延长其预测：

• 2025年12月： “紧张将持续到2026年以后”
• 2026年6月： “将持续到2027年之后”
• 2026年8月： 2027年的供应形势将比2026年更严峻；行业供应在“可预见的未来内将持续大幅低于需求”

此次短缺现被视为结构性而非周期性的问题，因为行业内有意义的新增供应最早要到2028年才能抵达。

华尔街分析师对此看法一致。晨星公司认为供应紧张将持续到2027年，摩根大通也预计短缺将持续至2027。科尔尼PERLab在2026年发布的一项分析预测，短缺至少会持续到2030年。

美光的2500亿美元美国投资计划与产能时间表

作为回应，美光宣布了美国半导体史上最激进的国内制造扩张计划。该公司目前计划到2035年投资超过2500亿美元，高于此前承诺的2000亿美元。

此外，美光还在日本、新加坡、印度和马来西亚同步推进扩张项目，从2027年起将陆续有新的全球产能上线。

资本支出正在急剧增加：2026财年的支出已提高至约250亿美元（2025财年为138亿美元），而2027年的资本支出预计会更高。

战略客户协议：锁定1000亿美元

截至2026财年第三季度，美光已签署16份战略客户协议（SCA）。这些不是普通的供货合同，而是具有法律约束力的“照付不议”协议，从根本上改变了美光的商业模式：

• 覆盖范围： 覆盖美光约20%的DRAM出货量和三分之一NAND出货量。
• 合同总价值： 约1000亿美元的最低保证收入，以及220亿美元的现金预付款和前期承诺。
• 条款： 数据中心和消费类SCA通常为期5年（2026–2030年）；汽车SCA为期3年。
• 汽车行业合作伙伴： 2026年7月签署的包括高通、伟世通、哈曼、JOYNEXT、电装、Astemo和现代摩比斯。此外，通用汽车和福特的协议也已分别宣布。
• 价格下限： SCA包含价格下限，确保“非常强劲的毛利率”，远高于美光以往任何周期中达到的峰值季度毛利率。
• 长期目标： 管理层预计SCA最终将覆盖约50%的长期内存收入。

这些协议意味着，即使新产能最终上线，美光很大一部分产出——及其价格——也已被锁定在2028年之前的溢价水平。

更广泛的背景

美国政策支持。 特朗普政府推动国内芯片生产的举措被明确视为美光加速美国投资计划的一个因素。《芯片法案》的资金也支持了此次建设。

竞争对手的时间表至关重要。 SK海力士已承诺投资约380亿美元在韩国建设两座新晶圆厂。其中，龙仁的DRAM工厂的首个洁净室要到2028年12月才开放。这意味着整个行业的新增产能都将在相近的时间表上推迟到来。

结论

AI驱动的内存短缺不是暂时的紧缩。它是一次全球半导体晶圆产能向高利润AI内存产品进行结构性再分配的过程，这一问题需要数年才能解决。美光自己的时间表表明，供需有望在2028年前后开始显著再平衡——这还得假设AI部署速度不会进一步加快。

对于在未来18到24个月内购买个人电脑、服务器或数据中心GPU的人来说，信息很明确：内存仍将价格昂贵且难以获取。