对于三星、SK海力士和美光这三巨头而言,利润最高的产品线是HBM——一种紧贴在AI加速器(如GPU)旁边的高性能内存。为了攫取这部分利润,三家制造商都将大量晶圆产能从DDR4和DDR5等常规内存转移走了。截至2026年第二季度,SK海力士将超过55%的DRAM晶圆产能分配给了HBM,三星约为40%,美光约为35% 。这种产能再分配意味着,每当三巨头卖给英伟达或AMD一颗高利润的HBM芯片时,它们用来生产笔记本、手机和企业服务器所需常规内存的工厂产能就少了一分。分析师们估计,AI数据中心将在2026年消耗掉约70%的高端DRAM供应
。这与以往消费类设备占据市场主流的时代相比,完成了一次彻底的倒挂。
供应紧张带来了惊人的价格上涨。2026年第一季度,常规DRAM的合同价环比暴涨了93%至98%,这也是驱动整个行业营收达到创纪录的970亿美元的关键因素 。展望未来,集邦咨询预测2026年第二季度价格还将再涨58%至63%,而NAND闪存的价格涨幅甚至会高达环比75%
。
这些价格飙升的根源在于,供应端几乎不存在任何缓冲余量。进入第二季度时,主要DRAM供应商的库存水平已经很低,而生产线正被优先用于生产供给AI服务器的高容量RDIMM(寄存式双列直插内存模块)。结果是,PC和智能手机原始设备制造商们发现,想要按时拿到货变得越来越难 。
此次超级周期造就了两张截然不同的排行榜。在整体DRAM营收上,三星电子在2026年第一季度扩大了领先优势,市场份额达到了38.5%(部分来源称份额高达42%),这得益于其业内最大的总产能和"三巨头"中最高的平均售价增长 。SK海力士和美光紧随其后。
然而,在最具战略重要性的产品HBM上,格局却颠倒了过来。SK海力士占据了约62%的HBM市场,是英伟达的核心HBM4合作伙伴,拿下了英伟达下一代Vera Rubin平台约70%的供应配额 。三星虽然总产量领先,但在HBM3E的资质认证上进度落后,目前正在奋力追赶其HBM4的开发进度。美光在某些HBM4的订单分配上已超越三星,但由于被排除在英伟达最新平台之外,面临着巨大的竞争压力和营收风险
。
HBM4的军备竞赛已将内存行业的战略地位提升到了前所未有的高度。SK海力士、三星和美光都已向英伟达交付了16层堆叠的HBM4样品,这项技术能够使AI加速器的数据传输"带宽管道"翻倍,对于下一代的万亿参数大模型至关重要 。
产能的转向对日常消费电子产品造成了立竿见影且后果严重的影响。行业分析指出,到2026年年中,内存成本将占到低成本智能手机物料清单(BOM)的约40%。这极大挤压了手机制造商的利润空间,迫使它们要么提高售价,要么降低硬件配置 。
据报道,仅移动DRAM一项,价格就"有望再翻一番",因为供应商正无条件地将AI服务器和HBM的合同放在最优先的位置 。对于企业的IT采购人员来说,主流PC和服务器代工厂的报价有效期已从常规的30天骤降至大约14天,而且供应商们越来越多地保留在发货前对已批准订单进行重新定价的权利
。
市场的结构性转变意味着,这次的短缺危机无法通过短期的生产调整来解决。《日经亚洲》已报道,鉴于全球内存产量的年增速大致为7.5%,而满足市场所需的增速约为12%,到2027年,全球芯片供给可能只能满足大约60%的需求 。
多家分析机构的展望在时间节点上趋于一致。Altium在其深度分析中预测,由于有限的工厂扩建、售罄的NAND产能以及被合同锁定的HBM库存,此次短缺将持续到2027年末至2028年 。行业追踪机构给出的基准情景认为,价格可能在2026年第三季度开始缓慢下降,但在最可能发生的情景下,价格要完全回归历史正常水平至少要等到2027年第三或第四季度
。市场的共识很明确:除非AI基础设施投资明显减速,或者2025至2026年间动工的新晶圆厂产能全面投产(这在2027年底之前可能性不大),否则内存价格将维持高位,供应分配也将持续紧张
。
DRAM市场已发生结构性扭转,从一个历史上充满周期性的"大宗商品"行业,转变为一个"AI优先"、供给约束的市场。从AI训练到推理的持续迁移,使得需要内存的服务器数量成倍增加,而高利润的HBM又像抽水机一样吸走了晶圆产能,留给传统市场所剩无几。这一切的结果是,我们将迎来一个价格持续创纪录、市场领导地位重新洗牌、消费科技市场被迫适应内存昂贵且稀缺的新常态的多年期。
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