三星据报将为英伟达定制NVHBM采用台积电的3纳米工艺制造基底裸片。这一做法与三星通常由自家生产HBM基底裸片和存储裸片的模式不同,但目前看来,更像是为满足单一客户、单款产品要求而作出的调整,而不是三星要全面退出HBM的一站式生产。相关公司尚未公开确认这项安排。
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英伟达据报要求供应商统一规格
据媒体援引业内人士报道,英伟达要求三星、SK海力士和美光为NVHBM使用台积电3纳米工艺制造基底裸片,并采用第六代1c DRAM生产堆叠在上方的核心裸片。报道还称,三星经过内部评估后接受了这一要求。
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两种裸片承担的任务不同:基底裸片位于HBM堆叠结构底部,负责逻辑功能;核心裸片则是上方一层层堆叠的存储单元。统一工艺规格,能让英伟达在不同供应商的产品之间采用更一致的平台,但不代表各家的成品完全相同;目前这一要求也仍属于媒体报道内容,并非各方公开确认的正式技术文件。
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对三星而言,是局部调整而非全面转向
三星的一站式生产模式,意味着它可以自行制造逻辑基底裸片和存储裸片。按报道所述的NVHBM安排,基底裸片将采用台积电的制造工艺,而三星仍会作为存储供应商参与其中。换言之,三星可能在这款产品上不再自行制造其中一个组件,但这不等于放弃整个HBM业务。
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报道还指出,三星仍计划为标准HBM产品自行生产基底裸片。这更像是针对英伟达规格作出的选择,而不是三星整体放弃垂直整合生产。
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NVHBM让基底裸片更关键
据报道,英伟达将内存控制器从处理器裸片移入HBM基底裸片,使后者不再只是堆叠存储芯片的“底座”,而成为承载更多逻辑功能的关键部件。
40英伟达称,与标准HBM4E相比,NVHBM的带宽最高可提升30%,HBM功耗可降低15%;这些是产品方公布的指标,并不保证所有系统都能取得相同幅度的提升。
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基底裸片承担的功能增加,有助于解释为何其制造工艺会成为报道中这项安排的重点。不过,现有信息描述的是一项据报提出并获三星接受的要求,不能据此断定最终性能或量产结果。
目前能确认什么,仍有哪些未知
若报道属实,这项安排的重要之处在于:英伟达可能正在影响多家竞争中的存储供应商如何制造同一款定制产品。对三星而言,代价是NVHBM基底裸片的制造不再完全由自家掌握;相应地,三星可按英伟达要求采用统一工艺规格。
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但相关细节尚未得到公开确认。路透社转述的是《首尔经济日报》的报道,另有报道指出,相关公司尚未确认具体制造安排。
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35因此,关于良率对比、三星自家工艺作为备选方案,以及台积电产能安排等说法,都不应在现有证据基础上视为已确定的结果。
最稳妥的结论是:三星据报愿意为NVHBM调整生产方式,但这并不意味着其一站式模式已经过时。英伟达的产品要求可能在这款HBM上优先于三星的垂直整合偏好,而三星仍可在其他HBM产品中沿用自家制造。