高盛：到2035年中国或满足66%的先进芯片需求，但仍难实现完全自给

高盛的这份预测，重点并不是“中国将在2035年实现先进芯片完全自给”，而是中国对海外先进芯片供应商的依赖可能显著下降。

在高盛的模型中，中国7纳米及以下先进制程晶圆供应量将以年均46%的速度增长，到2035年达到每月约41万片；同期国内需求预计为每月61.9万片。换言之，国内供应可覆盖约66%的需求，仍留下约20.9万片的月度缺口，占需求的34%。26

供应增长远超需求，但缺口不会消失

高盛预计，2025年至2035年，中国7纳米及以下晶圆需求将以17%的年复合增长率增长，而供应增速达到46%。需求增长主要由人工智能服务器带动，AI服务器相关晶圆需求预计以约42%的年复合速度增长。21016

这意味着供需结构将发生明显变化：

• 2025年： 国内供应只能覆盖约8%的需求，短缺率约为92%。
• 2035年： 国内供应增至每月约41万片，需求达到每月61.9万片。
• 剩余缺口： 每月约20.9万片，约占预计需求的34%。68

因此，66%这一数字代表的是“大幅提高自给能力”，而不是完全摆脱进口。按照这一模型，中国届时可能生产满足自身需求的大部分先进制程晶圆，但仍需依赖进口或境外产能满足超过三分之一的需求。

AI投资既带来需求，也提供扩产资金

人工智能是这轮预测的核心驱动力之一。生成式AI训练和推理所需的数据中心、服务器、加速器和高速内存，都会推高先进芯片需求。

高盛已将中国半导体产业到2030年的资本开支预测上调至820亿美元，并预计此前将维持两位数增长。1720该行还估计，阿里巴巴、腾讯、字节跳动和百度在2026年的AI相关资本开支合计约为1020亿美元。2022

这些资金不会自动转化为可用的先进芯片，但可以支撑更完整的产业扩张，包括晶圆厂、制造设备、封装、国内供应商以及数据中心基础设施。与此同时，AI企业持续采购算力，也为本土处理器和存储器创造了更稳定的市场需求。

不过，预测能否兑现，取决于投资周期能否持续足够长的时间。先进制程需要反复扩建产能、积累工艺经验并提高良率，短期投入并不能立即解决这些问题。

SMIC是这份预测能否落地的关键

高盛的先进逻辑芯片情景高度依赖中芯国际（SMIC）。报告假设，SMIC在2026年至2031年间每年新增约3万至5万片的先进制程月产能，2032年至2035年则每年增加约2万片月产能。912

更重要的是，模型还假设先进制程良率将从2026年的约23%，提升至2030年的50%，并在2035年达到75%。910

良率指生产出的芯片中，符合规格、能够实际使用的比例。晶圆厂即使拥有大量安装完成的设备，如果缺陷率较高，最终能够交付的合格芯片数量仍可能远低于名义产能。因此，良率提升并非一个附带条件，而是高盛供应增长预测的重要组成部分。

与台积电相比，成本和效率仍有差距

即使SMIC在2035年达到高盛假设的75%良率，也仍低于报道中台积电成熟7纳米工艺超过90%的良率水平。台积电自2018年起已实现7纳米芯片的大规模量产。13

这一差距的影响不仅体现在技术指标上，也会直接反映在成本上。良率较低意味着，为获得同样数量的合格芯片，需要投入更多晶圆；对于结构复杂的AI芯片，这可能推高单颗芯片成本，降低有效产能，并削弱大规模商业化生产的竞争力。

光刻设备仍是最难绕开的瓶颈

高盛预测中最大的限制因素是光刻设备。中国可以利用深紫外（DUV）光刻系统以及多重图案化等工艺制造7纳米级芯片，但这种路线通常比采用极紫外（EUV）光刻更加复杂、缓慢且昂贵。23

在相关出口限制下，中国无法获得ASML的EUV设备。也就是说，单纯增加资金和建设晶圆厂，并不能自动消除先进制程在技术、良率和成本方面的差距。23

在缺少EUV的情况下，中国制造商需要更多依靠工艺工程、设备可用率、零部件供应以及持续的良率学习来弥补差距。高盛的66%覆盖率，实际上建立在能够持续获得DUV设备及相关投入，并通过规模化生产和工艺改进抵消部分设备限制的前提上。

CXMT：DRAM进展可能快于HBM突破

在存储芯片领域，高盛对长鑫存储（CXMT）的判断相对积极。报告预计，只要产能扩张、良率爬坡和客户验证按计划推进，CXMT到2028年或可满足中国约50%的DRAM需求。5

一项相关产能估计显示，CXMT月度晶圆产能可能从2026年的27万片增至2028年的44.7万片，并在2030年达到66.5万片。5

但HBM是更难通过扩产解决的挑战。高盛相关报道预计，CXMT到2028年或可满足中国约40%的HBM需求；与此同时，其他报道指出，CXMT在HBM工艺、先进堆叠与封装、可靠性认证以及量产规模方面仍落后于三星和SK海力士。930

两者不能简单等同。普通DRAM产能扩大，并不意味着已经具备与领先厂商竞争AI级HBM的能力。HBM不仅要求存储单元制造，还涉及高难度的芯片堆叠、封装、客户验证和稳定量产。受限于先进光刻设备，CXMT更有可能先在国内普通DRAM替代方面取得进展，而不是迅速追平全球HBM领先企业。

哪些因素可能让2035年的结果打折？

66%的覆盖率是模型情景，而不是已经实现的产量，也不是确定性的产业目标。它需要多个条件同时成立：

• SMIC按计划增加先进制程产能；
• 先进制程良率从23%提升至75%；
• 中国持续保持半导体和AI相关资本开支；
• DUV设备、零部件及配套设备能够继续获得；
• 国内客户持续采用本土处理器和存储器；
• CXMT将扩张后的产能转化为通过客户认证、能够商业交付的DRAM和HBM产出。359

如果产能建设延迟、良率提升不及预期、设备供应出现瓶颈，或者客户认证速度放缓，中国到2035年对进口先进晶圆的需求就可能高于高盛模型中的水平。

结论：从“高度依赖”走向“部分自给”

高盛的判断显示，中国先进芯片产业到2035年可能取得显著进展。若7纳米及以下晶圆供应保持46%的年均增速，国内供应覆盖率将从2025年的约8%升至2035年的约66%，供需短缺率则从92%降至34%。26

但这仍不是先进制程的完全自给。SMIC能否实现预期良率、光刻设备限制能否被工艺和规模部分抵消，以及CXMT能否完成HBM客户认证，都是尚未解决的关键变量。

更准确的表述是：中国可能大幅降低对进口先进芯片的依赖，同时在最前沿制程上继续面对技术、成本和供应链缺口。