高盛：到2035年，中国先进芯片供应缺口或降至34%

高盛的最新预测描绘的并不是中国先进芯片的“完全自给”，而是一条从高度依赖进口走向大幅提高本土覆盖率的路径：到2035年，中国国内生产的7纳米及以下晶圆或可满足约66%的需求，供应缺口则从2025年的92%降至34%。2913

2035年的关键数字

高盛模型预计，中国对7纳米及以下晶圆的月度需求到2035年将达到约61.9万片。同期，本土供应量可能升至约41万片/月，由此留下约20.9万片/月的缺口。41014

这将较2025年明显改善。当年，中国本土产能仅能满足约8%的国内先进晶圆需求，供应短缺率约为92%。如果供应增速能够持续超过需求增速，缺口到2035年将收窄至34%。21214

指标	2025年	高盛2035年预测
本土供应占先进晶圆需求比重	约8%	约66%
供应缺口	92%	34%
月度本土供应量	—	41万片
月度国内需求量	—	61.9万片

这些数字是基于一系列假设的预测，并非对实际产量的保证。最终结果取决于产能扩张速度、制造良率、设备可得性以及客户认证进展能否大体符合模型预期。

AI投资正在推高芯片需求

这轮扩产逻辑的核心，是人工智能基础设施建设。高盛已将中国半导体行业2030年资本开支预测上调至820亿美元，较此前估计高出79%，并预计到2030年前行业投资将保持两位数增长。

高盛还估计，阿里巴巴、腾讯、字节跳动和百度四家公司2026年的人工智能资本开支合计约为1020亿美元。这类投入可能扩大对本土算力和芯片的需求，并促使晶圆厂继续增加产能。

但需要区分“需求增长”和“供应自主”。AI投资可以为更多芯片创造强劲市场，却不会自动解决先进晶圆制造所需的设备、良率和工艺控制问题。换句话说，订单增加只是扩产的必要条件之一，并不等于先进制程能力已经成熟。

中芯国际是预测能否兑现的关键

高盛的模型假设，中芯国际（SMIC）将承担中国先进制程产能建设的主要部分。按照这一假设，中芯国际在2026年至2031年间每年新增约3万至5万片月度先进制程晶圆产能，2032年至2035年再以每年约2万片/月的规模继续增加。414

不过，产能数量本身并不够。晶圆厂还必须以商业上可行的成本，稳定生产出足够多的合格芯片。一份被预测分析引用的报告称，中芯国际需要将先进制程良率从约23%提高至75%，相当于大幅提升，才能填补预期缺口。3

因此，良率提升是高盛预测成立的最大前提之一。该预测不应被解读为中芯国际将在技术上追平台积电（TSMC），而应理解为一种情景假设：即使继续受到设备限制，中国仍能扩大产能并改善制造效率。8

高利用率显示需求旺盛，但不代表瓶颈已经消失

中芯国际近期的运营表现，解释了分析师为何认为其具备加速扩产的空间。路透社报道，中芯国际月度产能已达到110万片八英寸等效晶圆，产能利用率为93.7%；公司还在2026年第二季度新增了每月8000片的12英寸晶圆产能。

这些数据说明整体市场需求强劲，产能也在持续扩张。但它们并不能单独证明中国已经能够以有竞争力的良率，生产足量的7纳米及以下晶圆。真正较为棘手的问题仍然是先进制程的具体产出和工艺稳定性，高盛的乐观情景仍取决于相关能力能否改善。

光刻设备和出口管制是主要风险

光刻是这份预测中的核心约束。由于受到限制，中国获取最先进半导体制造设备的渠道有限，因此在扩大先进制程规模、并通过设备升级提升良率方面面临更大困难。28

相关风险主要集中在几个方面：

• 设备获取： 出口管制限制了中国获得部分先进生产工具的能力。
• 良率提升： 已安装的产能只有在良率显著提高后，才能转化为相应的有效芯片产出。
• 国产替代： 中国设备供应商需要逐步替代受限的海外设备，并支持稳定的大规模生产。
• 需求兑现： AI相关需求必须保持足够强劲，才能支撑预测中的投资和产能扩张。

因此，高盛的结论具有明显的条件性。中国或许能够大幅缩小先进芯片差距，但剩余的34%缺口并不是可以忽略的误差，而是制造能力和供应链限制仍未解决的体现。

长鑫存储面临另一场存储芯片竞争

高盛关于先进晶圆的预测，主要针对以逻辑芯片为主的7纳米及以下制程。与此同时，长鑫存储（CXMT）正在扩大存储芯片产能，这是另一条相对独立的发展线。

高盛预计，在资本开支、良率提升和客户认证顺利推进的前提下，长鑫存储到2028年或可满足中国约50%的DRAM需求。其月度晶圆产能预计将从2026年的约27万片，增至2028年的44.7万片，并在2030年达到66.5万片。510

长鑫存储在高带宽内存（HBM）方面的前景则更不确定。一项与高盛相关的预测称，HBM收入占长鑫存储收入的比重可能从2026年的2%升至2030年的27%；另一项被引用的预测则认为，长鑫存储到2028年或可满足中国约40%的HBM需求。这些都属于未来情景，并不代表长鑫存储目前已经在高端HBM生产上达到三星电子或SK海力士的水平。10

现有行业数据也显示出当前差距。Counterpoint数据显示，2026年第一季度三星电子占全球DRAM市场38%，SK海力士占29%，长鑫存储占8%。 长鑫存储的扩张可能对韩国厂商在中国传统DRAM市场的业务形成压力，但这并不能证明其已经在先进HBM技术或全球供应能力上实现追平。

这份预测真正意味着什么

最清晰的结论是：中国半导体产业未来十年可能从严重依赖进口，转向实现相当程度的本土供应。高盛预计，7纳米及以下晶圆本土供应将以年均46%的速度增长，明显快于需求年均17%的增速，因此到2035年有望覆盖约三分之二的国内市场。213

但“66%的本土覆盖率”并不等于“技术独立”。这一结果需要持续的AI投资、中芯国际反复扩充产能、制造良率大幅提高，以及在光刻限制下继续推进设备和工艺替代。只要其中任何一项低于预期，实际供应缺口就可能大于高盛的预测。

对全球半导体市场而言，这一判断的重要性在于两点：一方面，中国可能成为规模更大的先进芯片产能来源；另一方面，真正决定竞争结果的并不只是需求，而是设备、良率和工艺控制这一更难突破的瓶颈。