英伟达据报提前锁定多年 DRAM 与 HBM 供应

英伟达正被曝在产品交付数年前，就开始锁定 AI 加速器所需的内存供应。根据行业报道，英伟达可能已与 SK 海力士和美光达成多年协议，覆盖传统 DRAM 和高带宽内存（HBM）。这反映出 AI 需求增长正在跑赢内存行业的有效产能，供应商和客户都在把采购周期从一年延长至数年。4451

不过，必须区分已获公开确认的事实与仍停留在报道层面的说法。英伟达与 SK 海力士确实公开宣布了多年技术合作，内容包括下一代内存的开发和制造。至于英伟达是否分别与 SK 海力士、美光签署了相应的多年供货协议，目前可见的公开资料并未确认合同的具体数量、价格或其他条款。2244

英伟达据报锁定了什么

相关报道涉及两类彼此关联、但用途不同的内存：

• HBM（高带宽内存）：HBM 通常紧邻 AI 加速器，用于以足够高的速度向芯片输送数据，满足大规模训练和推理的需求。
• 传统 DRAM：标准系统内存同样不可或缺，广泛用于围绕 AI 加速器运行的服务器和数据中心平台。

如果英伟达确实锁定了两类内存的多年供应，它将能更早看清 AI 加速器生产中的关键投入品来源。在供应商需要提前数年分配产能的市场环境下，这会增强英伟达对产品交付计划的掌控力。

但签订合同并不等于短期内凭空增加供应。晶圆制造、先进封装、良率提升和客户认证都需要时间。合同可以帮助英伟达获得更明确的产能排期，却无法立刻创造合格晶圆或封装能力。

英伟达还确认，三星、SK 海力士和美光均已通过面向 Vera Rubin 平台的 HBM4 认证，但公司没有公布各家供应商的正式供货比例。24 因此，相关多年协议即使属实，也只能说明英伟达正在提高供应可见性，并不能证明某一家供应商将承担未来需求中的特定份额。

这与英伟达和 SK 海力士的 6 月合作有何不同

6 月 7 日公布的英伟达—SK 海力士合作，并不只是传统意义上的采购合同。两家公司宣布建立多年技术合作关系，使下一代内存开发与英伟达的 AI 基础设施路线图保持一致，同时扩大面向全球 AI 基础设施建设的先进内存供应。22

这项合作覆盖未来英伟达平台的内存联合开发，包括 Vera Rubin 系统，并延伸至芯片设计和制造。1732 换句话说，SK 海力士将更早参与产品周期：在系统进入大规模部署前，供应商就能与英伟达共同明确内存技术、制造工艺和认证要求。

这一点对 HBM 尤其重要。HBM 并不是可以随时替换的标准库存，它需要针对特定加速器平台完成设计、堆叠、封装、测试和认证。联合开发有助于减少兼容性和时间安排上的不确定性，而多年供货承诺则能让双方更早规划未来产能。

为什么内存合同正在从一年延长至三至五年

内存制造商正同时面对强劲的 AI 需求和漫长的扩产周期。建设晶圆厂、安装设备、提升良率，以及让先进 HBM 产品通过客户认证，都需要在新增可用供应到达市场之前投入巨额资本。

在这种环境下，三至五年的协议比一年一签更符合双方利益：

• 买方可以获得更清晰的供应预期，降低关键产品难以快速替代的风险。
• 供应商可以获得更稳定的需求信号，为晶圆产能、内存堆叠和先进封装投资提供依据。
• 双方能够围绕已知的技术和认证要求规划产品路线图。

行业报告称，2027 年内存价格尚未最终确定，供应商和客户更倾向于签订包含数量与价格框架的长期协议，而不是完全依赖年度谈判。44 这并不代表另一份英伟达合同已经得到确认，更准确的解读是：价格和供需前景的不确定性，正在推动整个行业提前锁定产能。

“短缺持续至 2028 年”更像预测，而不是截止日期

美光首席执行官桑杰·梅赫罗特拉表示，客户已经意识到，内存和存储短缺需要相当长时间才能改善；即使行业供应预计将在 2028 年逐步增加，供需失衡也不会立即消失。51

部分行业报告称，HBM 产能已售罄至 2026 年，并警告供应紧张可能延续到 2027 年甚至更晚。3639 由于新增产能会逐步释放，“持续至 2028 年”应被视为一种市场预测，而不是已经确定的期限。更稳妥的结论是：AI 内存约束很可能不会在一个产品周期内结束。

这正在改变内存在 AI 供应链中的位置。它不再只是加速器设计完成后再采购的外围部件。能否获得经过认证的 HBM 和 DRAM，可能影响一家企业可以出货多少加速器、何时部署新平台，以及数据中心运营商扩张 AI 基础设施的速度。

美光的多年客户协议说明了行业变化

美光 2026 财年第三季度的业绩，体现了内存行业向长期锁量转变的趋势。公司公布当季营收为 414.6 亿美元，并预计第四财季营收约为 500 亿美元，上下浮动 10 亿美元。5051

美光还表示，已经完成 16 份战略客户协议（Strategic Customer Agreements，简称 SCA）。这些协议通常为期五年，覆盖 2026 年至 2030 年底；汽车行业协议通常为期三年。按公司披露，这 16 份协议合计约占美光同期 DRAM 出货量的 20%，以及 NAND 出货量的三分之一。63

其他报道估计，这些协议对应的最低合同收入约为 1,000 亿美元，并提到客户已作出超过 220 亿美元的财务承诺。5255 这些数字描述的是美光整体的客户协议计划，而不是已经确认的英伟达专属合同。现有报道也无法可靠确认，除美光已披露的 16 份协议之外，公司还完成了多少份协议，以及其具体价值。

为什么美光的美国扩产需要多年才能缓解短缺

美光最初公布的美国扩产计划规模约为 2,000 亿美元，其中约 1,500 亿美元用于制造，500 亿美元用于研发，项目分布在爱达荷州、纽约州和弗吉尼亚州。8

项目时间表解释了为什么这笔投资无法迅速消除短缺。美光预计首座爱达荷工厂将在 2027 年年中产出首批晶圆，主要产能爬坡则预计发生在 2028 年。25 但首批晶圆并不等同于稳定、经过认证的大规模量产。从开工到可靠供货，中间还要经历设备安装、工艺调试、良率学习、先进封装和客户认证等环节。

对 HBM 而言，时间差更为关键。即便新工厂能够生产 DRAM 晶圆，内存仍需经过专门的堆叠、封装、测试和 AI 系统认证流程。因此，“美国新增产能需要数年才能实质性缓解短缺”是根据已公布的项目时间表和供应链复杂程度作出的判断，并不意味着这些投资无法增加供应。

此后，美光又将美国投资目标提高至 2035 年累计超过 2,500 亿美元，进一步凸显了扩产的规模和长期性。7

结论：内存正在成为 AI 基础设施

英伟达的相关报道，折射出半导体采购模式的一次重要变化：AI 企业正越来越早地预订内存产能，并在产品大规模部署前与供应商共同开发技术。

SK 海力士已获公开确认的合作，体现了这一变化的技术开发一面；美光披露的 16 份战略客户协议，则显示供应商也在寻求多年期需求承诺。如果有关英伟达与 SK 海力士、美光签署 DRAM 和 HBM 协议的报道属实，这说明加速器设计商正在保护自身的生产路线图，以应对可能延续至下一代 AI 基础设施建设周期的供应紧张。

英伟达与美光之间协议的具体条款仍未经证实，但行业方向已经相当清晰：在 AI 时代，经过认证的内存正从普通零部件升级为战略基础设施。对于大规模交付 AI 算力而言，能否获得 HBM 和 DRAM，重要性可能已不亚于加速器芯片本身。