高数值孔径极紫外光刻竞赛白热化：英特尔率先量产，三星与台积电推迟至2029年及1nm节点

英特尔还暗示将进一步采用该技术：预计其下一代14A节点也将使用High-NA EUV。

三星：目标指向2030年的1nm（A10）节点

三星的时间表发生了重大变化。在2026年NGL会议上，三星技术副总裁ChangMin Park表示，公司计划从1nm（A10）节点（约2030年）开始，将High-NA EUV作为主要制造技术。三星曾希望在2nm和1.4nm节点引入该工具，但认为仍需进一步的技术改进。

• 过渡节点（2nm， 1.4nm， 早期1nm）： 这些节点将继续依赖传统的0.33 NA EUV和多图案技术；三星已明确排除了在这些节点上使用High-NA EUV的可能性。

尽管生产时间表谨慎，三星已安装了两台High-NA EUV系统——一台于2025年在华城园区安装，第二台于2026年上半年安装——总投资超过1万亿韩元。然而，为了控制成本，该公司暂缓了大规模量产部署。

2025年初的报道曾暗示，三星可能会在2nm节点为Exynos 2600和特斯拉下一代AI芯片部署High-NA EUV。但三星高管的最新声明直接推翻了此前的预期。

台积电：至少推迟到2029年

台积电是三者中最为谨慎的。CEO刘德音在2026年Q2财报电话会议上表示，从2nm（N2）到A16和A14节点，公司都不需要High-NA EUV，其采用取决于技术能力、客户成本敏感度和设备成熟度。

• 目标节点和年份： 报告显示，台积电计划在2029年左右推出的A13和A12节点预计均不需要High-NA EUV。一些分析师认为，有意义的量产部署可能要到2028年的A14节点或更晚才会发生，但即使是这个时间线也受到了管理层公开声明的挑战。
• 主要原因： 台积电的首要任务是为客户控制成本并保证良率稳定，其认为单台工具高达约4亿美元的价格对于其近期路线图而言并不合理。

台积电已收到一台用于研发的High-NA系统（EXE:5000），并于2025年开始为High-NA光刻机开发光刻工艺，但它并不急于将其投入生产。

延迟如何影响ASML

ASML的整体营收前景依然强劲。该公司报告2025年总净销售额为327亿欧元，2025年第四季度创下97亿欧元的纪录，年底订单积压达388亿欧元。2026年，ASML的目标是出货超过60台Low-NA EUV——比2025年水平增加约25%——并计划在未来两年内将总产能每年提高30%，以满足激增的AI芯片需求。

台积电和三星都将High-NA的大批量订单推迟到2020年代末/2030年，这意味着High-NA的产能爬坡速度将慢于此前的市场预期。分析师指出，台积电的推迟尤其“拖累了ASML在高端细分市场的前景”。每一次订单推迟，客户虽然能节省约3.5-4亿欧元，但对于ASML而言，意味着预期中数十亿欧元的High-NA收入将需要更长时间才能实现。

ASML正通过专注于下一代EXE:5200B系统，并依赖英特尔（以及在DRAM领域的SK海力士）作为近期的领先High-NA客户，来管理更慢的High-NA产能爬坡。据ASML的2025年第四季度新闻发布会称，截至2026年初，该公司已总共出货了八台High-NA系统。

High-NA EUV时间表总结

结论

英特尔在High-NA EUV领域的早期领先是实实在在的：它是目前唯一一家使用该工具出货大批量逻辑产品的公司。三星和台积电则采取观望态度，优先考虑成本和良率，而非抢占市场先机。对于ASML而言，这意味着High-NA的产能爬坡将是渐进而非爆炸性的，但由于AI芯片制造对其成熟的Low-NA EUV和DUV工具的旺盛需求，公司整体业务依然强劲。