三星在 Q2 2026 财报电话会议上发出严厉警告:DRAM 短缺将在 2027 年进一步恶化,供应紧张局面至少持续到 2028 年。人工智能数据中心对高带宽内存(HBM)的需求正在挤占消费级 DRAM 产能,导致供需缺口扩大 [3][6][8]。 价格涨势创下历史纪录:2026 年 Q1 DRAM 合约价环比飙升 90–98%;Q2 移动端 LPDDR5X 价格再涨 89%;基准 DDR4 8Gb 芯片在 2026 年 5 月触及每颗 20 美元的历史新高 [7][13][4][14]。

Create a landscape editorial hero image for this Studio Global article: What are the key developments and impacts of the ongoing DRAM shortage, including Samsung's warning that it will intensify in 2027 and remai. Article summary: The ongoing DRAM shortage — now in its second year — is entering a more acute phase. AI data-center demand for high-bandwidth memory (HBM) is absorbing so much fab capacity that consumer-grade DRAM is being starved of su. Topic tags: general, general web, user generated, news. Style: premium digital editorial illustration, source-backed research mood, clean composition, high detail, modern web publication hero. Use reference image context only for broad subject, composition, and topical grounding; do not copy the exact image. Avoid: logos, brand marks, copyrighted characters, real person likenesses, fake screenshots, UI text, readable text, watermarks, charts w
持续了第二年的 DRAM 全球性短缺,正进入一个更为严峻的阶段。人工智能数据中心对高带宽内存(HBM)的旺盛需求,正在吞噬大量晶圆厂产能,导致消费级 DRAM 供应严重不足,驱动价格创纪录暴涨,甚至迫使芯片巨头英伟达(Nvidia)考虑降低其下一代旗舰 AI 芯片的内存规格。与此同时,行业观察者越来越怀疑,三大内存制造商是否真心想要解决短缺,还是正在通过协同限产来最大化利润。
在 Q2 2026 财报电话会议上,三星电子存储器业务副总裁 Kim Jaejune 向投资者表示,2027 年的供需缺口相比 2026 年将进一步扩大,且紧张的供应状况将至少持续到 2028 年 。三星指出,2026 年无法满足的订单将延后至 2027 年;公司已在与 AI 超大规模客户谈判多年期供应协议;而新建一座晶圆厂从破土动工到量产晶圆需要超过三年半的时间
。
值得注意的是,三星在发出这一警告的同时,公布了连续第三个季度创纪录的业绩——营收 171.5 万亿韩元,营业利润 89.5 万亿韩元,营业利润率高达 52% 。
市场研究机构 TrendForce 独立预测,到 2027 年,HBM 将消耗 DRAM 总晶圆产能的 30%,届时供应仅能满足约 60% 的预期需求。瑞银(UBS)预计供需平衡不会早于 2028 年第二季度到来 。美光(Micron)已与 16 家公司签订了为期五年的供应合同,而任何制造商的新工厂产能至少在 2027 年年中之前都无法提供有意义的出货量
。
危机的核心机制是结构性的产能重新分配。三星、SK 海力士和美光正将生产线从利润较低的大众化 DDR4/DDR5 和 LPDDR5X 转向用于英伟达 AI 加速器的高利润 HBM 。与疫情时期的芯片短缺不同,本轮危机由价格弹性极低的 AI 数据中心支出驱动,该支出正在结构性地将全球晶圆产能从消费类设备转移出去
。
内存模组大厂 Apacer 的首席执行官 C.K. Chang 警告称,内存供应商在 2027 年向公开市场放出的供应量可能不足其 2026 年出货量的 30%,这将导致模组制造商和传统内存买家争夺有限的库存 。
DRAM 价格以空前的速度攀升:
一个极其强烈的信号表明供应端压力之大——即便是英伟达自身也不得不做出妥协。TrendForce 在 2026 年 8 月初的报告指出,自 Q3 2026 以来,英伟达已针对其下一代 Rubin Ultra AI 平台,将评估的 HBM 配置从最初计划的 12-Hi HBM4e 扩展至包括 8-Hi HBM4e、12-Hi HBM4 和 8-Hi HBM4 在内的多个更低规格方案 。
做出这一调整的原因在于持续性的 HBM 供应紧张以及供应商的 HBM4e 验证时间表存在不确定性 来。部分报道指出,Rubin Ultra 的内存容量可能被削减至 192GB,低于之前的目标 。英伟达此前已因 LPDDR5X 短缺而降低了其 Vera Rubin Superchip 的规格
。
多家媒体和分析师指出,三星、SK 海力士和美光——这三家公司控制着全球约 95% 的 DRAM 市场——几乎没有动力在 AI HBM 利润远超消费级产品时,去快速扩大消费级产能 。
《The Register》等媒体直言其中的矛盾:三星一边警告短缺将加剧,一边却报告创纪录的利润和 52% 的营业利润率 。一些专家认为,本轮短缺更像是被三大厂商的“产能自律”策略有意延长,而非真正的物理产能限制
。
DRAM 行业有着价格操纵的历史(本世纪初的定价合谋案曾导致数十亿美元罚款和相关高管入狱),目前这种三头垄断格局自然令人担忧。不过,现有的报告捕捉到的主要是 行业内的质疑和指控,尚未形成已确认的监管行动。截至 2026 年年中,尚无针对三大 DRAM 制造商的正式反垄断调查或诉讼得到官方确认。
对于普通消费者而言,这意味着购买电脑和手机的成本在可预见的未来仍将居高不下;对于整个科技行业来说,这是 AI 狂飙时代第一道清晰的“硬件天花板”。
Studio Global AI
Use this topic as a starting point for a fresh source-backed answer, then compare citations before you share it.
三星在 Q2 2026 财报电话会议上发出严厉警告:DRAM 短缺将在 2027 年进一步恶化,供应紧张局面至少持续到 2028 年。人工智能数据中心对高带宽内存(HBM)的需求正在挤占消费级 DRAM 产能,导致供需缺口扩大 [3][6][8]。
三星在 Q2 2026 财报电话会议上发出严厉警告:DRAM 短缺将在 2027 年进一步恶化,供应紧张局面至少持续到 2028 年。人工智能数据中心对高带宽内存(HBM)的需求正在挤占消费级 DRAM 产能,导致供需缺口扩大 [3][6][8]。 价格涨势创下历史纪录:2026 年 Q1 DRAM 合约价环比飙升 90–98%;Q2 移动端 LPDDR5X 价格再涨 89%;基准 DDR4 8Gb 芯片在 2026 年 5 月触及每颗 20 美元的历史新高 [7][13][4][14]。
DRAM 短缺重创英伟达:TrendForce 报告指出,由于 HBM 供应持续紧张,英伟达已开始评估为其下一代 Rubin Ultra AI 平台采用更低规格的内存配置,包括从原定的 12 Hi HBM4e 降至 8 Hi HBM4e 或 HBM4 方案 [2][5][9]。