FMS 2026：Kioxia、Sandisk与SK hynix携纪录级QLC NAND及首个开放HBF规范亮相

核心规格

• 位密度： >37 Gb/mm² —— 较第八代技术提升约60% 。
• 层数： 332层有源层 。
• 接口： 4.8 Gb/s，采用Toggle DDR6.0标准 。
• 关键技术： CMOS直接键合到存储阵列（CBA）技术，将CMOS逻辑电路与存储阵列分别制造后再进行晶圆级键合，从而提升能效并实现密度飞跃 。

该器件在大会现场进行了实机演示 。此前，Sandisk与Kioxia已于2026年7月开始提供BiCS10 1Tb TLC NAND样品，该三层单元变体的密度超过29 Gb/mm² 。在FMS上展示的QLC变体则在此基础上进一步提升了密度。

Sandisk与SK hynix —— 首个高带宽闪存（HBF）OCP规范

Sandisk与SK hynix通过开放计算项目（OCP）发布了首个高带宽闪存技术规范 。该规范定义了介于HBM与传统固态硬盘之间的全新内存层级，专为AI推理工作负载优化，解决大模型对HBM容量不足的痛点。

核心规格

• 单堆栈容量： 最高512 GB，支持8层与16层NAND堆叠 。
• 目标带宽： 最高3.0 TB/s（单向1.6 TB/s），分为三个性能等级（Grade 1–3），覆盖约0.4 TB/s至3.0 TB/s 。
• 连接标准： UCIe（通用小芯片互连标准）。
• 联盟成员： Google（DeepMind）与Tenstorrent在标准化过程中加入 。

战略定位

HBF旨在填补HBM（速度快但容量有限）与传统SSD（容量大但速度慢）之间的缺口 。Sandisk表示，HBF在相似成本下可提供8至16倍于HBM的容量；在Llama 3.1 405B参数模型上的模拟性能显示，其与理论无限容量HBM配置的差距仅为2.2% 。

上市时间

开放标准现已发布。内存样品预计2026年底推出，商用设备预计2027年初面市 。

FMS 2026相关议程

Sandisk主题演讲："NAND：AI时代灵活可扩展的基础"

时间：2026年8月5日（星期三）上午11:40（太平洋时间），地点：圣克拉拉会议中心Mission City宴会厅。演讲嘉宾包括Sandisk首席营收官Jim Elliott、首席产品官Khurram Ismail及首席技术官Alper Ilkbahar，内容涵盖系统级优化及NAND在规模化AI推理中的作用 。

SK hynix主题演讲："代理型AI时代通过分层内存编排高效AI基础设施"

由执行副总裁Kim Chun-sung与副总裁Kang Uk-song于大会首日（8月4日）发表，探讨面向AI基础设施的分层内存解决方案 。

联合专题讨论："打破高带宽闪存的内存墙"

时间：8月6日上午9:45（太平洋时间），嘉宾包括Sandisk副总裁Rajeev Nagabhirava、SK hynix副总裁Lim Eui-cheol，以及Google DeepMind高级职员工程师Xiaoyu Ma。该论坛将重点讨论HBF如何应对AI推理中的计算-内存鸿沟 。

注： 专题讨论的标题已由多个官方来源确认，包括Sandisk的新闻稿及SK hynix的官方新闻室。完整的论坛描述建议以FMS 2026现场议程为准，但多个官方报道均列出了名为"Breaking the Memory Wall"的论坛环节 。

对AI基础设施的意义

这两项发布直击AI基础设施的两大核心挑战：存储密度与内存带宽。BiCS10 QLC NAND使训练数据湖及大容量存储层级得以使用更密集、更节能的SSD。同时，HBF代表了一种全新的内存类别，通过在加速器附近提供快速、大容量的内存，有望显著降低推理延迟与成本，且无需扩展昂贵的HBM。

通过OCP推动的开放标准路径，加上Google与Tenstorrent的支持，表明行业正致力于将该新层级标准化，而非分散为各家的专有方案 。