该晶圆厂计划正值内存行业面临有史以来最严重的供应危机之际。其规模令人震惊:
DRAM价格暴涨
AI消耗约70%的内存产能
分析师估计,到2026年,AI数据中心将消耗高达70%的高端内存产能 。三星、SK海力士和美光均已将产线从消费级DRAM转向用于AI GPU的高带宽内存(HBM),导致常规DRAM供应出现真空
。HBM目前占全球DRAM晶圆总产能的23%,而两年前还只是个位数
。
SK海力士警告:2027年将是“史上最糟糕的一年”
2026年7月10日,SK海力士CEO郭鲁正警告称,内存行业正走向2027年的**“史上最严重的供应短缺”**,需求将继续超过供应,甚至到2030年之后 。他表示:“我们预计明年将是行业历史上供应最紧张的一年”
。三星内存业务负责人金在峻于2026年4月也单独警告称,内存产品的“严重短缺”至少将持续到2027年,需求满足率处于历史低位
。
从28nm起步:28nm是一个成熟且广泛可用的节点,可以生产DDR3/DDR4级别的DRAM——虽然不是尖端的HBM,但足以满足华为的基站设备、网络设备、旧款智能手机和物联网产品的需求。这可以将更高端的全球DRAM供应释放给华为的旗舰产品。
深圳观澜三座晶圆厂:一座生产7nm智能手机/Ascend芯片(华为自营),一座由SiCarrier(从华为实验室分拆出的政府支持的设备制造商)运营,第三座就是Swaysure DRAM工厂 。2025年初的卫星图像显示这些地点建设进展迅速
。
结论:华为的DRAM晶圆厂计划是一场防御性进攻——它瞄准了史上最严重内存短缺、美国制裁切断华为全球DRAM供应、以及中国建设国内内存产能的战略要务这三者的交汇点。如果成功,它将把华为从一家设计芯片但购买内存的公司,转变为一个完全整合的设备制造商,同时在内存价格已翻四倍、供应至少到2030年仍将极度紧张之际,为中国提供第二个国内DRAM生产基地。但这条路充满了技术、政治和执行风险,结果远未确定。