中国自研EUV光刻机，追赶之路仍需多年

中国要造出自己的极紫外光（EUV）光刻机，还要走多远？目前两项受到关注的判断都显示，差距不小：德国蔡司半导体业务负责人Frank Rohmund认为，约15年是一个合理估计；瑞银则认为，未来十年内中国研发出可替代ASML先进EUV技术的方案并不容易。13

这两个数字都是预测，不是确定的时间表，衡量的目标也不完全相同。Rohmund同时指出，中国的实际进展很难量化，因此“15年”不应被理解成精确倒计时。1

EUV不只是造出一台机器

光刻设备用于在芯片上形成电路图案。EUV是当前先进光刻领域的核心技术之一，瑞银的评估重点是：中国能否研制出足以替代ASML先进EUV技术的设备。3

这项挑战也不止于整机设计。蔡司为ASML的EUV系统供应关键光学部件，因此，相关供应链能力也是理解这场追赶的重要一环。2

DUV可能先取得进展，但不等于追上EUV

与EUV相比，深紫外光（DUV）是较早一代的光刻技术。瑞银分析师据报道预计，中国的浸润式DUV设备可能在未来两至五年内实现大规模量产。3

这个预测指向的是本土设备生产能力可能提升，并不代表EUV技术已经取得突破，也不意味着中国已有设备能够替代ASML最先进的系统。两条技术路线应当分开看待。3

出口限制的影响并非只有一面

相关限制使EUV系统无法出口至中国，部分先进浸润式DUV设备的出口也受到许可要求约束。311 这些限制减少了中国获取海外先进设备的途径；与此同时，Rohmund警告，进一步扩大限制也可能促使中国加快自主创新。2

因此，限制措施对长期技术差距会产生什么影响，还难以简单下结论：一方面，它会约束设备获取；另一方面，也可能增强发展本土替代方案的动力。现有报道没有给出这一动力会以多快速度缩小差距的答案。2

AI需求推动蔡司扩充产能

人工智能相关需求也在影响半导体设备供应。报道指出，为应对半导体光学部件需求增长，蔡司已扩建其半导体制造总部，并在另一处建设额外产能；公司还表示，如有需要，可以继续扩大产能。

这反映的是蔡司针对需求增长所作的产能准备，并非针对中国EUV研发或出口限制而公布的专项计划。 当前产业面临的，既有先进光刻技术的竞争，也有需求增长带来的供应能力挑战。

这些预测说明什么？

综合现有判断，中国在DUV方面或许能更早实现进展，而EUV整机研发或可行替代方案仍被估计需要十年甚至更久。蔡司的“约15年”是来自重要设备供应商负责人的判断，瑞银的说法则是分析师预测；两者都不是保证兑现的时间表。13

值得关注的还有三点：蔡司光学部件是ASML EUV供应链的重要组成部分；出口限制既限制设备获取，也可能增强自主研发动力；AI相关需求正在推动蔡司增加产能。它们将共同影响产业走向，但现有信息尚不能确定中国何时、或是否能够达到当前EUV系统的水平。23