长鑫存储拟在北京布局NAND研发线：从DRAM走向存储市场，但量产仍未明朗

截至2026年9月18日，据路透社报道，长鑫存储（CXMT）正准备在北京新厂设立一条NAND闪存研发及试产线，这是其从核心DRAM业务向非易失性存储领域延伸的信号。需要注意的是，这仍是早期研发和试产规划，并不等同于一座已经宣布、可大规模出货的商业NAND晶圆厂。1

北京新厂拟做什么？

报道显示，长鑫存储计划在北京建设NAND闪存研发生产线；该公司还在北京设立了研究院，NAND开发是其项目之一。1

公司据称已向潜在客户讨论过NAND计划，其中包括一家身份未披露的初创企业。该企业希望采购用于AI系统和超级计算机存储产品的NAND闪存。1

从产品定位看，DRAM和NAND并非互相替代：DRAM主要承担处理器运行时的高速工作内存，NAND则用于手机、PC及数据中心中的长期数据存储。这也意味着，若项目推进顺利，长鑫存储的产品组合将不再局限于DRAM。1

为什么此时进入NAND？

AI服务器需求推动全球存储器供应趋紧，行业高管预计这种紧张局面至少可能持续到2027年。与此同时，不少存储器制造商将资金和产能优先投向DRAM及高带宽内存（HBM），NAND新增产能相对受限。1

在这样的市场环境下，布局NAND可让长鑫存储向国内AI、服务器、数据中心、存储系统、PC和终端设备厂商提供更广的存储器产品组合。与潜在AI和超算存储客户的沟通，是这一商业方向目前最明确的迹象。1

供给偏紧也增强了中国存储器厂商面对部分国内客户时的议价空间。不过，与全球龙头相比，长鑫存储和长江存储目前仍更多覆盖价格相对较低的产品区间。1

对长江存储和国际巨头意味着什么？

若计划落地，长鑫存储将更直接进入长江存储（YMTC）的主场。两家公司此前大致分工明确：长鑫存储主攻DRAM，长江存储主攻NAND；但这一边界已开始模糊。路透社此前报道称，长江存储也曾向客户提供低功耗DRAM样品。1

长鑫存储还将成为三星、SK海力士和美光等NAND厂商的潜在新增竞争者。2026年第二季度，三星以29.3%的营收份额位居NAND市场首位，其后为SK海力士和美光。1

但这并不表示长鑫存储已经具备与这些厂商相当的NAND技术或出货规模。已披露的信息指向研发和试产线，而上述国际厂商早已拥有成熟的大规模量产能力。1

目前哪些关键问题仍无答案？

路透社的报道未说明以下事项：

• NAND研发及试产线何时开始运行；1
• 试产是否会转化为大规模商业制造；1
• 工艺节点、堆叠层数、架构、晶圆产能、良率、商业出货时间及销售规模等技术和运营细节。1

因此，现有信息不足以证明长鑫存储的NAND产品会在短期内缓解全球存储器短缺，也不足以判断其会很快成为SSD或服务器存储供应的重要来源。1

不要与其他长鑫存储项目混为一谈

北京DRAM扩产是另一件事。 8月的报道曾称，长鑫存储正考虑在北京亦庄建设第二座12英寸存储器晶圆厂，并就融资与相关方磋商。这一项目指向DRAM产能扩张及资金安排，不能据此认定北京新址已确定为商业化NAND厂。3

HBM进展也不同于NAND。 长鑫存储被报道已小批量生产HBM3E，这属于通过堆叠DRAM芯片服务AI计算的高带宽内存路线，并非NAND闪存项目。2 另有报道提到，其HBM3试产良率约为25%，低于约80%的量产参考水平；这一数字不能被视为NAND项目的良率。5

尚无证据证明采用特定NAND堆叠技术。 9月18日的路透社报道并未提及“XStacking”或任何已命名的NAND键合、堆叠工艺。因此，依据现有报道，无法将某一特定技术、工艺节点或量产路线归因于这条拟议中的研发线。1