ASML为何要把High-NA EUV掩模升级到12英寸？

ASML宣布与台积电共同发起一项产业合作计划，推动其下一代高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）从沿用多年的6英寸光掩模，过渡到12英寸光掩模。该计划也面向其他High-NA用户和供应商开放。核心目标是：在保留更精细制程能力的同时，让High-NA设备能够更有效地制造英伟达等公司所需的大型数据中心与AI处理器芯片。1013

为什么High-NA EUV会遇到“大芯片”难题？

可以把光刻机理解为把电路图案“投影”到晶圆上的设备，而光掩模则相当于承载图案的模板。

• 当前主流EUV平台采用0.33数值孔径（NA）的光学系统，单次曝光视场足以覆盖较大的芯片区域。
• High-NA EUV将数值孔径提升至0.55，分辨率更高。ASML称，其EXE平台可实现8纳米关键尺寸，面向未来特征尺寸更小的芯片世代。145
• 不过，High-NA设备采用的变形光学设计，也使其在现有6英寸掩模格式下的曝光视场在一个方向上缩小。结果是，它能做出更细的线路，却更难以在一次曝光中完成面积特别大的芯片图案；若要覆盖大面积，就需要更多拼接曝光。14

这正是大型AI加速器、数据中心处理器等产品面临的现实限制：芯片不仅要求线路更细，也往往需要很大的裸片面积。

12英寸掩模能带来什么？

转向12英寸光掩模，意在扩大可承载的曝光内容，减少大芯片制造时的拼接约束和额外曝光步骤。ASML与台积电表示，这一转换有望提高晶圆厂生产效率、降低芯片制造成本，并让厂商更充分发挥High-NA EUV的技术优势。1013

有报道引述ASML技术负责人称，大尺寸掩模方案的生产率提升幅度可能约为40%；不过，在所提供的ASML官方公告摘录中，官方确认的是“提高生产率、降低成本”的方向，并未给出这一具体百分比。810

需要区分的是，ASML现有NXE:3800E EUV系统的吞吐量为每小时220片晶圆，较NXE:3600D提升37%。这属于当前一代设备的性能指标，并不等同于大尺寸掩模High-NA方案预期的生产率提升。1

哪些厂商正在使用或评估？

• 英特尔目前进展最靠前。在2024年开始试验后，英特尔已于2026年将High-NA EUV用于部分Panther Lake处理器的生产。6
• 英特尔与SK海力士均被列为计划采用High-NA技术的厂商；包括英特尔在内的多家芯片企业一直在测试相关设备。45
• 台积电是12英寸掩模计划的联合牵头方。其路径是先以既有6英寸掩模导入High-NA，再转向大尺寸掩模方案。11
• 三星电子已宣布扩大与ASML在High-NA领域的合作，计划将该技术用于未来DRAM制造，并加入12英寸光掩模产业计划。911

目前提供的证据并未明确给出台积电、三星或SK海力士各自确定的High-NA量产时间表。将三家公司都归入“2027年至2028年量产”的说法，缺乏此处材料的充分支持。41135

时间表：2031年试验线，2033年面向先进制程就绪

ASML和台积电的目标是在2031年建立12英寸掩模试验线，并在2033年让完整的光刻系统具备服务先进制程生产的条件。1013

这意味着High-NA EUV的产业化并非只取决于光刻机本身。要真正服务于大型AI芯片的高产量制造，掩模规格、设备、工艺与供应链都需要同步升级。12英寸掩模计划的意义，正是把High-NA从“更精细”进一步推进到“也能高效制造更大芯片”。