中国半导体自主化正在从研发和路线图，逐步走向设备验证与小批量供应。国产浸没式DUV光刻机据报已开始生产，长鑫存储（CXMT）也已小规模生产HBM3E高带宽存储器，供国内AI芯片设计企业测试。这些都是实质性进展。

但需要厘清一个关键区别：浸没式DUV的推进，不等于EUV光刻能力已经接近成熟。 前者可通过更多工艺步骤支持部分先进制造；后者则是当今最先进逻辑芯片量产的核心平台，门槛远不止一台光刻机本身。

EUV仍是更深层的技术与产业链挑战

蔡司半导体业务负责人Frank Rohmund表示，认为中国开发出自己的极紫外（EUV）光刻设备仍需约15年，是一种“合理假设”；同时他也强调，中国的实际进展速度很难精确量化。瑞银的评估同样谨慎：其认为中国光刻能力大致相当于ASML在2004年前后的水平，国产EUV在未来十年内不太可能完成替代。

这并不意味着中国会在未来15年停滞不前。更准确地说，EUV难在把原理验证或单点突破，转化为可在晶圆厂长期稳定运行的量产平台：其中涉及光学系统、光源、晶圆传输、软件、量测、维护服务、良率与产能爬坡等一整套能力。

ASML与蔡司为何难以复制

目前，荷兰ASML是全球唯一的商用EUV光刻机制造商；德国蔡司则是其EUV设备光学组件的独家供应商。

EUV对于生产最先进芯片至关重要，包括英伟达AI加速器所使用的高端处理器。蔡司将其EUV光学系统描述为由超高精度反射镜与机电系统构成的关键组件。

因此，挑战并不只是“造出一台扫描仪”。一套有竞争力的EUV平台，需要高度专业化的供应链能够制造并集成极端精密的部件，还要在高产量晶圆厂环境中维持可靠性、良率和服务能力。这也是EUV差距难以用单一技术节点来衡量的原因。

DUV可以延伸，但代价更高

浸没式DUV仍具有重要战略价值。它通过在镜头与晶圆之间加入一层高纯水来提升分辨率；配合多重图形化工艺，可突破单次曝光所能实现的特征尺寸。14

不过，这条路径通常比在相应层使用EUV需要更多制造步骤。问题不只是“能不能做出芯片”，而是能否以有竞争力的成本、良率、速度和规模稳定制造。对于先进逻辑芯片和追求能效的AI硬件，EUV的优势正在于此。

国产浸没式DUV：已是进展，但仍处早期爬坡

路透社报道称，一个有政府背景的上海项目已开始生产国产浸没式DUV设备，计划在2026年生产约5台、2027年约20台。首批客户据报包括中芯国际、华虹半导体和长鑫存储。14

这组数字同时说明了突破的价值与现实边界：

• 价值在于：中国正在建立国产化的浸没式DUV选择，而这类设备是先进芯片制造的重要工具，长期以来由海外供应商主导。
• 边界在于：一年约5台属于试点式、小批量爬坡。报道显示，首批设备主要用于产线验证，仍需进一步测试，尚不能视作成熟的高产量晶圆厂部署。10

设备归属也不宜混为一谈。此次浸没式DUV项目与上海一家有政府背景的制造商有关；宇量昇的设备则据报正在中芯国际测试。上海微电子装备（SMEE）则被报道为已量产90纳米级DUV设备，并在研发28纳米浸没式机型。公开报道尚未证明SMEE的28纳米浸没式平台已经实现广泛、独立验证的高产量部署。1411

换言之，此处“量产”更应理解为有限制造的启动，而非在吞吐量、可靠性、套刻精度、装机规模或供应商生态上与ASML成熟系统实现对等。

出口管制限制供给，也强化国产替代动力

美国主导的出口限制阻断了中国获得ASML EUV设备的渠道，也因此提高了国内半导体设备项目的战略重要性。

Rohmund认为，若将限制进一步扩展到较成熟的传统DUV设备，效果可能适得其反：在他看来，额外限制可能会加速中国的本土创新，而不是消除其开发替代方案的动力或能力。

这是一种关于激励机制的判断，并不意味着出口管制没有影响。管制确实会限制获得当前顶尖设备的渠道；但另一种观点是，若连更成熟的工具也被切断，国内厂商与产业资本投入替代方案的动力可能更强，尤其是在规模更大的DUV市场。

HBM3E是另一条AI供应链进展线

中国AI芯片能力不仅取决于逻辑芯片制造，也取决于高带宽存储器。长鑫存储据报已开始小规模生产HBM3E，阿里巴巴旗下平头哥和寒武纪等国内AI芯片开发商正在测试相关产品；该公司计划于2027年扩大产量。1920

这一步具有战略意义，因为它可能为国内AI加速器形成先进存储器来源。但现阶段仍是小规模生产与客户验证。相关报道认为，长鑫存储在产品代际上约落后全球头部存储厂商一代，而其规模化制造能力尚未得到验证。20

结论：从“能做”到“稳定、大规模、低成本地做”，才是关键

国产浸没式DUV设备的小批量产出，以及长鑫存储HBM3E的试产和客户测试，说明中国先进芯片供应链的部分环节已开始向部署推进。

不过，EUV的难度更为根本。ASML在整机上的独特地位，以及蔡司对EUV光学组件的独家供应角色，都表明自主EUV并非单点技术突破即可完成。依据Rohmund与瑞银的判断，中国走向具备竞争力、可大规模量产的EUV平台，仍应按多年、甚至十多年而非当前DUV生产周期来衡量。

中国半导体自主化正在从研发和路线图，逐步走向设备验证与小批量供应。国产浸没式DUV光刻机据报已开始生产，长鑫存储（CXMT）也已小规模生产HBM3E高带宽存储器，供国内AI芯片设计企业测试。这些都是实质性进展。

但需要厘清一个关键区别：浸没式DUV的推进，不等于EUV光刻能力已经接近成熟。 前者可通过更多工艺步骤支持部分先进制造；后者则是当今最先进逻辑芯片量产的核心平台，门槛远不止一台光刻机本身。

EUV仍是更深层的技术与产业链挑战

蔡司半导体业务负责人Frank Rohmund表示，认为中国开发出自己的极紫外（EUV）光刻设备仍需约15年，是一种“合理假设”；同时他也强调，中国的实际进展速度很难精确量化。瑞银的评估同样谨慎：其认为中国光刻能力大致相当于ASML在2004年前后的水平，国产EUV在未来十年内不太可能完成替代。

这并不意味着中国会在未来15年停滞不前。更准确地说，EUV难在把原理验证或单点突破，转化为可在晶圆厂长期稳定运行的量产平台：其中涉及光学系统、光源、晶圆传输、软件、量测、维护服务、良率与产能爬坡等一整套能力。

ASML与蔡司为何难以复制

目前，荷兰ASML是全球唯一的商用EUV光刻机制造商；德国蔡司则是其EUV设备光学组件的独家供应商。

EUV对于生产最先进芯片至关重要，包括英伟达AI加速器所使用的高端处理器。蔡司将其EUV光学系统描述为由超高精度反射镜与机电系统构成的关键组件。

因此，挑战并不只是“造出一台扫描仪”。一套有竞争力的EUV平台，需要高度专业化的供应链能够制造并集成极端精密的部件，还要在高产量晶圆厂环境中维持可靠性、良率和服务能力。这也是EUV差距难以用单一技术节点来衡量的原因。

DUV可以延伸，但代价更高

浸没式DUV仍具有重要战略价值。它通过在镜头与晶圆之间加入一层高纯水来提升分辨率；配合多重图形化工艺，可突破单次曝光所能实现的特征尺寸。14

不过，这条路径通常比在相应层使用EUV需要更多制造步骤。问题不只是“能不能做出芯片”，而是能否以有竞争力的成本、良率、速度和规模稳定制造。对于先进逻辑芯片和追求能效的AI硬件，EUV的优势正在于此。

国产浸没式DUV：已是进展，但仍处早期爬坡

路透社报道称，一个有政府背景的上海项目已开始生产国产浸没式DUV设备，计划在2026年生产约5台、2027年约20台。首批客户据报包括中芯国际、华虹半导体和长鑫存储。14

这组数字同时说明了突破的价值与现实边界：

• 价值在于：中国正在建立国产化的浸没式DUV选择，而这类设备是先进芯片制造的重要工具，长期以来由海外供应商主导。
• 边界在于：一年约5台属于试点式、小批量爬坡。报道显示，首批设备主要用于产线验证，仍需进一步测试，尚不能视作成熟的高产量晶圆厂部署。10

设备归属也不宜混为一谈。此次浸没式DUV项目与上海一家有政府背景的制造商有关；宇量昇的设备则据报正在中芯国际测试。上海微电子装备（SMEE）则被报道为已量产90纳米级DUV设备，并在研发28纳米浸没式机型。公开报道尚未证明SMEE的28纳米浸没式平台已经实现广泛、独立验证的高产量部署。1411

换言之，此处“量产”更应理解为有限制造的启动，而非在吞吐量、可靠性、套刻精度、装机规模或供应商生态上与ASML成熟系统实现对等。

出口管制限制供给，也强化国产替代动力

美国主导的出口限制阻断了中国获得ASML EUV设备的渠道，也因此提高了国内半导体设备项目的战略重要性。

Rohmund认为，若将限制进一步扩展到较成熟的传统DUV设备，效果可能适得其反：在他看来，额外限制可能会加速中国的本土创新，而不是消除其开发替代方案的动力或能力。

这是一种关于激励机制的判断，并不意味着出口管制没有影响。管制确实会限制获得当前顶尖设备的渠道；但另一种观点是，若连更成熟的工具也被切断，国内厂商与产业资本投入替代方案的动力可能更强，尤其是在规模更大的DUV市场。

HBM3E是另一条AI供应链进展线

中国AI芯片能力不仅取决于逻辑芯片制造，也取决于高带宽存储器。长鑫存储据报已开始小规模生产HBM3E，阿里巴巴旗下平头哥和寒武纪等国内AI芯片开发商正在测试相关产品；该公司计划于2027年扩大产量。1920

这一步具有战略意义，因为它可能为国内AI加速器形成先进存储器来源。但现阶段仍是小规模生产与客户验证。相关报道认为，长鑫存储在产品代际上约落后全球头部存储厂商一代，而其规模化制造能力尚未得到验证。20

结论：从“能做”到“稳定、大规模、低成本地做”，才是关键

国产浸没式DUV设备的小批量产出，以及长鑫存储HBM3E的试产和客户测试，说明中国先进芯片供应链的部分环节已开始向部署推进。

不过，EUV的难度更为根本。ASML在整机上的独特地位，以及蔡司对EUV光学组件的独家供应角色，都表明自主EUV并非单点技术突破即可完成。依据Rohmund与瑞银的判断，中国走向具备竞争力、可大规模量产的EUV平台，仍应按多年、甚至十多年而非当前DUV生产周期来衡量。