在美国持续收紧先进芯片和制造设备出口管制的背景下，中国正在提升半导体供应链的抗冲击能力。现阶段最明显的变化，不是中国已经在所有尖端技术上实现了完全自主，而是国产设备、材料和部分芯片制造环节的覆盖范围扩大，产业链内部的协同程度也在提高。57

国产设备和材料的使用范围扩大

中国国家发展和改革委员会（NDRC）表示，国产芯片制造设备和关键材料的应用正在持续增加，半导体产业供应链的安全水平今年已有“显著提升”。与此同时，中国在高端芯片设计和制造方面的能力稳步增强，电力半导体、化合物半导体等特色工艺也在形成差异化竞争优势。37

这意味着，在部分制造环节，中国企业对受出口管制影响的海外供应商不再像过去那样依赖。国内供应商在设备、化学品和其他生产材料中的参与度提高，有助于降低供应中断对生产的冲击。不过，公开信息并未给出一套完整、可核验的国产替代率数据，也没有证明中国已经填补了先进人工智能处理器、存储器和光刻等领域的全部差距。3

竞争重点从“单点突破”转向完整生态

中国半导体产业政策正在强调一个结构性变化：从追求孤立的技术突破，转向推动整个集成电路价值链协同发展。57

一座晶圆厂并不能只依靠芯片设计或制造工艺独立运转。它还需要合格的上游设备、特种化学品、零部件、设计软件、维护服务，以及能够消化产品的下游客户。因此，中国目前着力连接芯片设计、晶圆制造、设备、材料、先进封装、应用、融资和科研等环节，试图把分散的技术成果转化为可以持续运转的产业体系。

这一转变的意义在于，供应链安全不再只取决于某一家企业能否研发出某项技术，也取决于该技术能否完成验证、量产、稳定运行，并在产业链上下游形成配套。57

“更安全”不等于“全面领先”

中国官方所说的半导体供应链“显著更安全”，更适合理解为：国内产业在维持生产、扩大本土投入品替代和应对外部冲击方面的能力增强，而不是已经在所有先进技术领域实现与美国、日本、荷兰、中国台湾或韩国同等水平的自主能力。12

美国及其盟友的限制仍然影响着中国获得先进光刻设备、部分高端制造工具以及领先的人工智能计算技术。尤其是在尖端制程及其配套环节，设备、软件、材料、工艺整合和量产良率之间存在复杂的系统性门槛，单项技术取得进展并不意味着整条生产线已经成熟。12

“十五五”将集中资源攻克核心瓶颈

在第十五个五年规划（2026—2030年）期间，北京计划采用由中央部门、国有资本、科研机构、地方政府和企业共同参与的“举国协同”模式，把更多资源集中到核心技术瓶颈上。规划方向明确提出，要在半导体、先进设备、工具和软件等中国目前仍依赖海外的领域提升自主能力，并推动关键技术实现“决定性突破”。112

这里的政策目标应与已经完成的成果区分开来。“实现突破”是规划期内的任务和目标，并不代表相关能力已经全面落地。中国当前最清晰的成果，是供应链韧性增强和部分环节的国产替代加速；至于尖端制程的完整自主生产能力，仍需要进一步验证。157

先进光刻仍是最关键的短板

光刻是先进芯片制造中最受关注的环节之一。2026年，中国半导体企业负责人呼吁在2026—2030年间开展全国性、协调一致的国产光刻系统研发，这本身也说明可实际运行的先进国产光刻系统尚未完全形成。214

据报道，中国在极紫外（EUV）光源、晶圆台和光学系统等单个部件上已经取得突破性进展，但如何把这些部件整合成一套完整、可靠并适用于生产的系统，仍是需要解决的难题。2

结论：韧性提升已经发生，尖端自主仍待证明

总体而言，中国正在变得更有能力生产和供应更广泛的芯片，尤其是在国产设备和材料、成熟制程、电力半导体、化合物半导体、先进封装及部分存储器领域。57

但如果把“芯片自主”理解为覆盖从设计软件、光刻设备到先进制造和AI计算的完整尖端能力，那么这一目标尚未被证明已经实现。美国出口管制确实推动了中国加快国产替代和产业链整合，但中国能否在第十五个五年规划期间完成先进光刻等关键环节的系统性突破，仍是未来几年最值得观察的问题。125

在美国持续收紧先进芯片和制造设备出口管制的背景下，中国正在提升半导体供应链的抗冲击能力。现阶段最明显的变化，不是中国已经在所有尖端技术上实现了完全自主，而是国产设备、材料和部分芯片制造环节的覆盖范围扩大，产业链内部的协同程度也在提高。57

国产设备和材料的使用范围扩大

中国国家发展和改革委员会（NDRC）表示，国产芯片制造设备和关键材料的应用正在持续增加，半导体产业供应链的安全水平今年已有“显著提升”。与此同时，中国在高端芯片设计和制造方面的能力稳步增强，电力半导体、化合物半导体等特色工艺也在形成差异化竞争优势。37

这意味着，在部分制造环节，中国企业对受出口管制影响的海外供应商不再像过去那样依赖。国内供应商在设备、化学品和其他生产材料中的参与度提高，有助于降低供应中断对生产的冲击。不过，公开信息并未给出一套完整、可核验的国产替代率数据，也没有证明中国已经填补了先进人工智能处理器、存储器和光刻等领域的全部差距。3

竞争重点从“单点突破”转向完整生态

中国半导体产业政策正在强调一个结构性变化：从追求孤立的技术突破，转向推动整个集成电路价值链协同发展。57

一座晶圆厂并不能只依靠芯片设计或制造工艺独立运转。它还需要合格的上游设备、特种化学品、零部件、设计软件、维护服务，以及能够消化产品的下游客户。因此，中国目前着力连接芯片设计、晶圆制造、设备、材料、先进封装、应用、融资和科研等环节，试图把分散的技术成果转化为可以持续运转的产业体系。

这一转变的意义在于，供应链安全不再只取决于某一家企业能否研发出某项技术，也取决于该技术能否完成验证、量产、稳定运行，并在产业链上下游形成配套。57

“更安全”不等于“全面领先”

中国官方所说的半导体供应链“显著更安全”，更适合理解为：国内产业在维持生产、扩大本土投入品替代和应对外部冲击方面的能力增强，而不是已经在所有先进技术领域实现与美国、日本、荷兰、中国台湾或韩国同等水平的自主能力。12

美国及其盟友的限制仍然影响着中国获得先进光刻设备、部分高端制造工具以及领先的人工智能计算技术。尤其是在尖端制程及其配套环节，设备、软件、材料、工艺整合和量产良率之间存在复杂的系统性门槛，单项技术取得进展并不意味着整条生产线已经成熟。12

“十五五”将集中资源攻克核心瓶颈

在第十五个五年规划（2026—2030年）期间，北京计划采用由中央部门、国有资本、科研机构、地方政府和企业共同参与的“举国协同”模式，把更多资源集中到核心技术瓶颈上。规划方向明确提出，要在半导体、先进设备、工具和软件等中国目前仍依赖海外的领域提升自主能力，并推动关键技术实现“决定性突破”。112

这里的政策目标应与已经完成的成果区分开来。“实现突破”是规划期内的任务和目标，并不代表相关能力已经全面落地。中国当前最清晰的成果，是供应链韧性增强和部分环节的国产替代加速；至于尖端制程的完整自主生产能力，仍需要进一步验证。157

先进光刻仍是最关键的短板

光刻是先进芯片制造中最受关注的环节之一。2026年，中国半导体企业负责人呼吁在2026—2030年间开展全国性、协调一致的国产光刻系统研发，这本身也说明可实际运行的先进国产光刻系统尚未完全形成。214

据报道，中国在极紫外（EUV）光源、晶圆台和光学系统等单个部件上已经取得突破性进展，但如何把这些部件整合成一套完整、可靠并适用于生产的系统，仍是需要解决的难题。2

结论：韧性提升已经发生，尖端自主仍待证明

总体而言，中国正在变得更有能力生产和供应更广泛的芯片，尤其是在国产设备和材料、成熟制程、电力半导体、化合物半导体、先进封装及部分存储器领域。57

但如果把“芯片自主”理解为覆盖从设计软件、光刻设备到先进制造和AI计算的完整尖端能力，那么这一目标尚未被证明已经实现。美国出口管制确实推动了中国加快国产替代和产业链整合，但中国能否在第十五个五年规划期间完成先进光刻等关键环节的系统性突破，仍是未来几年最值得观察的问题。125