据报道，SK海力士正在评估与英特尔代工部门合作，由英特尔制造下一代HBM4E堆叠所使用的部分逻辑底芯片，同时继续与台积电合作。这是一项潜在的“双供应商”安排，而不是已经公开确认的量产协议。SK海力士、英特尔和台积电均未确认最终的供应范围、产量分配或时间表，因此目前更准确的表述是：SK海力士正在把英特尔作为台积电之外的潜在补充供应商进行评估。234

这项动向的核心，并不只是供应商名单变化。随着AI芯片厂商争相锁定高带宽内存（HBM）产能，HBM堆叠底部的逻辑底芯片正变成成本更高、战略重要性更强的环节。若英特尔能够满足良率、功耗、可靠性和封装兼容性要求，SK海力士就有机会在成本、产能和谈判能力之间取得更大的回旋空间。

HBM底芯片到底是什么？

HBM并不是单颗平面内存芯片，而是将多层DRAM芯片垂直堆叠在一层逻辑芯片之上。这层位于底部的逻辑芯片通常被称为“底芯片”（base die）。它不主要负责像DRAM层那样存储数据，而是承担内存接口管理、信号传输，以及将整个HBM堆叠连接到周边AI加速器封装等任务。

随着HBM向更宽的连接、更高的传输速度和更低的功耗发展，底芯片的重要性也在上升。SK海力士曾强调，在HBM4的发展中，逻辑底芯片需要改善HBM堆叠与逻辑芯片之间的连接，同时降低功耗。7

为什么SK海力士想要第二家供应商？

从HBM4开始，SK海力士依赖台积电的12纳米级逻辑工艺制造底芯片。行业报道援引的估算显示，这类底芯片的制造成本可能约为核心DRAM芯片的3至4倍。对于定制程度较低、未必需要最先进工艺的产品而言，这一成本差距会带来明显压力，也使寻找另一条制造路线变得更有吸引力。2415

双供应商模式还可以降低对单一晶圆代工厂的依赖。理论上，如果英特尔能够达到SK海力士要求的良率、功耗、可靠性和封装兼容性标准，SK海力士便可以在英特尔和台积电之间分配部分生产。这样既能增强供应链韧性，也可能改善其在产能和价格谈判中的地位。

不过，供应商数量增加并不等于成本必然下降。英特尔需要先完成工艺和产品认证，并证明其能够稳定进行规模化生产。在此之前，所谓“双源供应”仍然只是战略选项，而非已落地的生产安排。

HBM4E的性能提升，让供应链问题更紧迫

SK海力士已经向主要客户提供12层HBM4E样品。公司表示，该产品单引脚传输速率最高可达16 Gbps，功耗效率较上一代提升超过20%。15

这些指标之所以重要，是因为HBM已经成为现代AI系统性能的关键组成部分。更快的内存可以更及时地向AI加速器输送数据，而更高的功耗效率则有助于控制大型AI数据中心的用电和散热负担。但性能越高，整个生产链条就越需要具备稳定、可扩展的产能，不能只关注DRAM层本身。

与此同时，AI基础设施对内存的需求仍在升温。英伟达披露的供应和产能承诺据报道已从1190亿美元增至2790亿美元，内存采购被认为是增长的重要因素。需要注意的是，这一数字涵盖更广泛的供应链与基础设施承诺，并不等于英伟达单独向SK海力士采购了2790亿美元的HBM；但它确实说明了AI厂商为何要提前锁定内存及相关制造能力。

底芯片制造，不等于最终封装

关于英特尔与SK海力士合作的报道容易被过度解读，因为HBM进入AI芯片系统需要经过多个相互关联、但并不相同的环节。

在晶圆上制造逻辑底芯片，是一个环节；将HBM堆叠与GPU或其他AI加速器连接到最终封装中，则是另一个环节。

• 台积电CoWoS： CoWoS是一系列2.5D先进封装技术，通常通过高密度互连结构，将AI加速器与多组HBM整合到同一封装中。
• 英特尔EMIB： EMIB，即“嵌入式多芯片互连桥接”，是在封装基板中嵌入小型硅桥，以实现高密度芯片间连接，而不是使用覆盖整个封装的大型硅中介层。

报道称，SK海力士正在测试基于英特尔EMIB的HBM整合方案，并评估相关材料和零部件。这意味着英特尔理论上可能在供应链的两个层面参与：

1. 晶圆代工： 制造部分HBM4E逻辑底芯片；
2. 先进封装： 通过EMIB支持内存与逻辑芯片的整合。

这两件事必须分开看。对EMIB封装进行研发或测试，并不能证明英特尔已经获得底芯片制造订单；即使底芯片完成认证，也不代表英特尔会成为最终AI封装的整体供应商。

对英特尔和台积电意味着什么？

对英特尔而言，即使只是获得SK海力士一部分有限的底芯片订单，也可能成为英特尔代工业务的重要外部客户案例。HBM是AI硬件中增长较快、技术要求较高的应用场景。如果英特尔能够从评估阶段走向认证，再实现稳定的重复量产，这将为其代工和先进封装业务提供一个具有说服力的验证。

但商业影响取决于实际规模，而不是新闻标题。小批量试产、技术认证和长期量产订单之间存在明显差距。英特尔最终能否借此改善代工业务，关键仍在于良率、成本和交付可靠性是否达到客户要求。

对台积电来说，如果只是分走潜在底芯片项目的一部分，短期收入影响可能有限。更值得关注的是战略层面的变化：一旦英特尔成为可信的替代供应商，台积电在HBM相关逻辑制造领域的独占性可能下降，SK海力士也将拥有更多关于价格和产能的谈判筹码。不过，目前尚未公布具体的产量分配，因此这仍是可能出现的结果，而不是已经发生的事实。2

三星和美光也可能关注这一进展。相关报道显示，两家公司曾评估英特尔封装方案的兼容性，但这并不代表它们已经宣布采用EMIB。英特尔必须先证明EMIB能够在性能、功耗、成本和量产可靠性方面满足客户需求，其他内存厂商才可能进一步扩大采用范围。

这与英特尔、SK海力士的既有关系有什么联系？

潜在的HBM合作并非两家公司首次出现商业交集。2020年，英特尔同意以90亿美元将其NAND内存和存储业务出售给SK海力士，其中包括SSD业务、NAND相关资产以及位于大连的工厂。交易首阶段价值70亿美元，并于2021年12月完成。

此外，也有报道曾将SK海力士列为英特尔俄亥俄州晶圆厂潜在合作伙伴，但SK海力士否认了收购计划。该消息与HBM4E底芯片评估是两件不同的事，不能混为一谈；不过，它们共同说明，市场一直在关注内存厂商与英特尔代工、封装业务之间可能扩大的合作空间。

真正的看点是“能否通过认证”

目前最稳妥的判断是，SK海力士正在把英特尔作为供应链对冲选项，而不是准备完全取代台积电。底芯片成本据报道较高，AI客户正在提前锁定产能，HBM4E又对逻辑、功耗和封装提出了更高要求，这些因素都为引入第二家供应商提供了现实动机。

但第二家供应商只有在量产层面交出成绩，才真正具备价值。英特尔需要证明其方案能够满足良率、功耗特性、可靠性、知识产权整合以及与SK海力士HBM生产流程的兼容性要求。

在SK海力士、英特尔或台积电确认正式生产协议和具体产量分配之前，最准确的结论仍然是：SK海力士正在评估英特尔作为台积电之外的补充伙伴，而不是已经完成供应链替换。

据报道，SK海力士正在评估与英特尔代工部门合作，由英特尔制造下一代HBM4E堆叠所使用的部分逻辑底芯片，同时继续与台积电合作。这是一项潜在的“双供应商”安排，而不是已经公开确认的量产协议。SK海力士、英特尔和台积电均未确认最终的供应范围、产量分配或时间表，因此目前更准确的表述是：SK海力士正在把英特尔作为台积电之外的潜在补充供应商进行评估。234

这项动向的核心，并不只是供应商名单变化。随着AI芯片厂商争相锁定高带宽内存（HBM）产能，HBM堆叠底部的逻辑底芯片正变成成本更高、战略重要性更强的环节。若英特尔能够满足良率、功耗、可靠性和封装兼容性要求，SK海力士就有机会在成本、产能和谈判能力之间取得更大的回旋空间。

HBM底芯片到底是什么？

HBM并不是单颗平面内存芯片，而是将多层DRAM芯片垂直堆叠在一层逻辑芯片之上。这层位于底部的逻辑芯片通常被称为“底芯片”（base die）。它不主要负责像DRAM层那样存储数据，而是承担内存接口管理、信号传输，以及将整个HBM堆叠连接到周边AI加速器封装等任务。

随着HBM向更宽的连接、更高的传输速度和更低的功耗发展，底芯片的重要性也在上升。SK海力士曾强调，在HBM4的发展中，逻辑底芯片需要改善HBM堆叠与逻辑芯片之间的连接，同时降低功耗。7

为什么SK海力士想要第二家供应商？

从HBM4开始，SK海力士依赖台积电的12纳米级逻辑工艺制造底芯片。行业报道援引的估算显示，这类底芯片的制造成本可能约为核心DRAM芯片的3至4倍。对于定制程度较低、未必需要最先进工艺的产品而言，这一成本差距会带来明显压力，也使寻找另一条制造路线变得更有吸引力。2415

双供应商模式还可以降低对单一晶圆代工厂的依赖。理论上，如果英特尔能够达到SK海力士要求的良率、功耗、可靠性和封装兼容性标准，SK海力士便可以在英特尔和台积电之间分配部分生产。这样既能增强供应链韧性，也可能改善其在产能和价格谈判中的地位。

不过，供应商数量增加并不等于成本必然下降。英特尔需要先完成工艺和产品认证，并证明其能够稳定进行规模化生产。在此之前，所谓“双源供应”仍然只是战略选项，而非已落地的生产安排。

HBM4E的性能提升，让供应链问题更紧迫

SK海力士已经向主要客户提供12层HBM4E样品。公司表示，该产品单引脚传输速率最高可达16 Gbps，功耗效率较上一代提升超过20%。15

这些指标之所以重要，是因为HBM已经成为现代AI系统性能的关键组成部分。更快的内存可以更及时地向AI加速器输送数据，而更高的功耗效率则有助于控制大型AI数据中心的用电和散热负担。但性能越高，整个生产链条就越需要具备稳定、可扩展的产能，不能只关注DRAM层本身。

与此同时，AI基础设施对内存的需求仍在升温。英伟达披露的供应和产能承诺据报道已从1190亿美元增至2790亿美元，内存采购被认为是增长的重要因素。需要注意的是，这一数字涵盖更广泛的供应链与基础设施承诺，并不等于英伟达单独向SK海力士采购了2790亿美元的HBM；但它确实说明了AI厂商为何要提前锁定内存及相关制造能力。

底芯片制造，不等于最终封装

关于英特尔与SK海力士合作的报道容易被过度解读，因为HBM进入AI芯片系统需要经过多个相互关联、但并不相同的环节。

在晶圆上制造逻辑底芯片，是一个环节；将HBM堆叠与GPU或其他AI加速器连接到最终封装中，则是另一个环节。

• 台积电CoWoS： CoWoS是一系列2.5D先进封装技术，通常通过高密度互连结构，将AI加速器与多组HBM整合到同一封装中。
• 英特尔EMIB： EMIB，即“嵌入式多芯片互连桥接”，是在封装基板中嵌入小型硅桥，以实现高密度芯片间连接，而不是使用覆盖整个封装的大型硅中介层。

报道称，SK海力士正在测试基于英特尔EMIB的HBM整合方案，并评估相关材料和零部件。这意味着英特尔理论上可能在供应链的两个层面参与：

1. 晶圆代工： 制造部分HBM4E逻辑底芯片；
2. 先进封装： 通过EMIB支持内存与逻辑芯片的整合。

这两件事必须分开看。对EMIB封装进行研发或测试，并不能证明英特尔已经获得底芯片制造订单；即使底芯片完成认证，也不代表英特尔会成为最终AI封装的整体供应商。

对英特尔和台积电意味着什么？

对英特尔而言，即使只是获得SK海力士一部分有限的底芯片订单，也可能成为英特尔代工业务的重要外部客户案例。HBM是AI硬件中增长较快、技术要求较高的应用场景。如果英特尔能够从评估阶段走向认证，再实现稳定的重复量产，这将为其代工和先进封装业务提供一个具有说服力的验证。

但商业影响取决于实际规模，而不是新闻标题。小批量试产、技术认证和长期量产订单之间存在明显差距。英特尔最终能否借此改善代工业务，关键仍在于良率、成本和交付可靠性是否达到客户要求。

对台积电来说，如果只是分走潜在底芯片项目的一部分，短期收入影响可能有限。更值得关注的是战略层面的变化：一旦英特尔成为可信的替代供应商，台积电在HBM相关逻辑制造领域的独占性可能下降，SK海力士也将拥有更多关于价格和产能的谈判筹码。不过，目前尚未公布具体的产量分配，因此这仍是可能出现的结果，而不是已经发生的事实。2

三星和美光也可能关注这一进展。相关报道显示，两家公司曾评估英特尔封装方案的兼容性，但这并不代表它们已经宣布采用EMIB。英特尔必须先证明EMIB能够在性能、功耗、成本和量产可靠性方面满足客户需求，其他内存厂商才可能进一步扩大采用范围。

这与英特尔、SK海力士的既有关系有什么联系？

潜在的HBM合作并非两家公司首次出现商业交集。2020年，英特尔同意以90亿美元将其NAND内存和存储业务出售给SK海力士，其中包括SSD业务、NAND相关资产以及位于大连的工厂。交易首阶段价值70亿美元，并于2021年12月完成。

此外，也有报道曾将SK海力士列为英特尔俄亥俄州晶圆厂潜在合作伙伴，但SK海力士否认了收购计划。该消息与HBM4E底芯片评估是两件不同的事，不能混为一谈；不过，它们共同说明，市场一直在关注内存厂商与英特尔代工、封装业务之间可能扩大的合作空间。

真正的看点是“能否通过认证”

目前最稳妥的判断是，SK海力士正在把英特尔作为供应链对冲选项，而不是准备完全取代台积电。底芯片成本据报道较高，AI客户正在提前锁定产能，HBM4E又对逻辑、功耗和封装提出了更高要求，这些因素都为引入第二家供应商提供了现实动机。

但第二家供应商只有在量产层面交出成绩，才真正具备价值。英特尔需要证明其方案能够满足良率、功耗特性、可靠性、知识产权整合以及与SK海力士HBM生产流程的兼容性要求。

在SK海力士、英特尔或台积电确认正式生产协议和具体产量分配之前，最准确的结论仍然是：SK海力士正在评估英特尔作为台积电之外的补充伙伴，而不是已经完成供应链替换。