美国银行预计,受AI相关供应限制与电子产品旺季需求叠加影响,DRAM和NAND现货价格在2026年9月或再上涨10%至20%。 用于AI加速器的HBM占用的DRAM产能远高于其产出位元占比,传统DDR4、DDR5、服务器内存以及部分企业级NAND的供应弹性因此下降。
研究答案

Create a landscape editorial hero image for this Studio Global article: What is driving Bank of America’s forecast that DRAM and NAND spot prices will rise another 10%–20% in September 2026, how severe has the me. Article summary: Bank of America’s September spot-price call reflects a supply shock meeting seasonal demand: memory makers are allocating scarce wafer and packaging resources to higher-margin HBM for AI servers while electronics makers . Topic tags: general, news, general web, user generated. Style: premium digital editorial illustration, source-backed research mood, clean composition, high detail, modern web publication hero. Use reference image context only for broad subject, composition, and topical grounding; do not copy the exact image. Avoid: logos, brand marks, copyrighted characters, real person likenesses, fake screenshots, UI text, readable text, watermarks, charts w
这轮内存涨价,不能简单理解为消费者突然大量购买内存条,而更像是一场“产能分配危机”:内存厂商优先把有限的晶圆、封装和测试资源投入高带宽内存(HBM)等AI产品;与此同时,PC、手机、游戏主机和服务器厂商又在为传统年末生产旺季提前备货。两股力量叠加,令普通DRAM和NAND供应进一步收紧。 17
美国银行预计,DRAM和NAND现货价格在2026年9月可能再上涨10%至20%。这一判断建立在近期价格持续走强,以及设备制造商在旺季生产前重新加大采购的基础上。 17
TrendForce在8月28日发布的现货市场数据,显示16Gb DDR4-3200的交易时段均价为91.293美元,16Gb DDR5-4800/5600为53.933美元。 需要注意的是,这些是芯片级现货参考价,并不等同于消费者购买整套内存条时支付的零售价。
现货价、季度合约价、内存模组价格和零售价分别处于供应链的不同环节。一项价格快速上涨,并不意味着其他环节会同步、等幅度变化。
目前最值得关注的,并不是某一个孤立的涨幅,而是高企的现货价格、偏低的库存,以及客户提前锁定产能这几项信号同时出现。
SK海力士表示,其2026年的DRAM、HBM和NAND产出已经全部售罄,客户甚至已把传统内存的生产名额预订到下一年。公司形容DRAM和NAND市场“极度紧张”。 2
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零售市场也反映了供应压力。Tom’s Hardware的美国价格追踪数据显示,一套64GB DDR5-6000内存的价格为849美元,而历史最低价为159美元;96GB套装达到1,799美元,128GB DDR5-6400套装则达到3,399美元。
其他零售追踪还显示,部分64GB DDR5套装价格超过1,200美元,过去一年涨幅接近500%。但这些数据对应的是特定容量、频率或具体商品链接,不能代表所有DDR5产品。 换句话说,零售报价更像是市场快照,而不是统一的行业定价。
HBM是这轮供应紧张的核心因素之一,因为它并不是可以在完全不影响其他产品的情况下额外生产的“新业务”。面向AI加速器的HBM需要消耗大量制造和先进封装资源。
《Motley Fool》援引TrendForce估算称,2027年HBM可能占据三大内存厂商约30%的DRAM生产产能,但只占其产出位元的约13%。 4 这意味着,HBM对制造资源的占用比例明显高于其实际产出位元占比。
当生产组合向高价值HBM倾斜后,DDR5、传统DDR4、移动DRAM和服务器DRAM就必须争夺更加有限的产能。AI客户还往往通过长期协议提前锁定供应,使传统内存面对需求小幅增加时也缺乏缓冲空间。
DDR4的处境尤其特殊。作为较老的标准,它仍被大量现有PC、服务器、工业系统和其他设备使用,但当HBM和新一代产品带来更高回报时,厂商缺乏大规模扩充旧制程产能的动力。因此,老标准反而可能在短缺期间变得异常昂贵。
AI数据中心需要的不只有加速器内的HBM,还需要大容量、高速度的企业级SSD,用于数据集、模型检查点和推理基础设施。这类需求正在支撑企业级SSD市场,并改善NAND的价格表现,尽管NAND与DRAM的市场机制并不完全相同。 5
传统电子产品需求也为NAND提供了额外支撑。OEM厂商正为年末销售季生产手机、PC、游戏主机和其他设备,并提前采购库存。美国银行因此将AI基础设施需求与电子供应链的短期备货潮视为9月涨价预期的共同原因。 17
不过,不同NAND产品的证据强度并不相同。美国银行随后引用的展望预计,第四季度价格还会进一步上涨,之后在2027年保持稳定或出现温和回调,2028年才可能下跌。 这表明NAND可能与DRAM一同复苏,但不同产品类别的价格路径可能更加不均衡。
内存成本上升,通常会给设备厂商带来几种选择:
短期内,内存容量较大的产品,以及仍依赖DDR4的系统,可能面临更高成本。消费者组装或升级PC时,也可能发现不同容量和频率之间的价差显著扩大,因为高容量套装在零售追踪中的涨幅最为突出。
但一套零售内存的价格,并不能直接等同于DRAM芯片成本。内存套装还包含模组制造、测试、分销、零售商利润、库存状况,以及特定容量和频率带来的溢价。芯片级现货数据与零售报价共同证明市场承压,但两者衡量的是供应链中的不同环节。
HBM需求强劲,通常意味着数据中心运营商仍在积极争夺AI加速器资源,这与英伟达持续强劲的AI芯片需求叙事相符。SK海力士既是英伟达供应商,其产能被提前预订的情况也说明,加速器需求与内存供应之间的联系越来越紧密。 2
但同一场短缺也可能限制英伟达系统的出货量。如果HBM、先进封装或其他相关内存部件跟不上,市场对加速器的需求就不能自动转化为已经完成并交付的系统。
现有证据支持将内存视为英伟达业务的需求信号,同时也是潜在瓶颈;但这些材料并未提供美国银行当前对英伟达的投资评级或目标价,因此不能仅凭内存市场判断推导出相关结论。
“超级周期”并不只是HBM销量增长的代名词。SK海力士同时受益于HBM、传统DRAM和NAND价格上涨。公司称其2026年这三类产品的产出已经售罄,并计划从第四季度开始供应HBM4。 2
部分分析师认为,这一轮行情之所以不同,是因为HBM扩产限制了商品型内存供应,而AI存储需求又帮助改善NAND盈利能力。 5
6 在这种环境下,高产能利用率、客户提前承诺和平均售价上涨,都可能令头部供应商获得异常强劲的利润表现。
当然,超级周期并非没有风险。内存行业本质上具有周期性,新产能加快投产、AI基础设施支出放缓,或电子产品需求降温,都可能改变供需平衡。关键在于时间点:现有预测并不认为市场会很快恢复正常。
美国银行援引的展望认为,第四季度价格仍可能继续上涨,2027年则趋于稳定或仅温和回调;DRAM和NAND更明显的下跌可能出现在2028年,而且被描述为较健康的市场修正,而非行业崩盘。
这一时间表与SK海力士首席执行官郭鲁正的警告相呼应:他认为2027年可能成为行业历史上供应最紧张的一年。 1 其他行业报道也称,在AI需求继续超过新增产能的情况下,短缺至少可能延续到2027年。
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因此,在当前供需假设和AI资本支出趋势不变的情况下,2027年前出现全面、持续的价格缓解并不乐观。即使2028年出现下跌,也取决于新增产能能否按计划到位,以及AI基础设施投资是否开始放缓。对买家来说,这不只是一次短暂的消费级内存涨价,而是AI基础设施与整个电子产业争夺有限内存产能的长期博弈。
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美国银行预计,受AI相关供应限制与电子产品旺季需求叠加影响,DRAM和NAND现货价格在2026年9月或再上涨10%至20%。
美国银行预计,受AI相关供应限制与电子产品旺季需求叠加影响,DRAM和NAND现货价格在2026年9月或再上涨10%至20%。 用于AI加速器的HBM占用的DRAM产能远高于其产出位元占比,传统DDR4、DDR5、服务器内存以及部分企业级NAND的供应弹性因此下降。
现有预测显示,2027年前市场大范围降价的可能性较低;价格或在2027年趋于稳定或温和回调,较明显的下跌可能要等到2028年。