修订后的条例大幅收紧了申请流程。申请人必须基于真实的创作活动提交申请,明确禁止弄虚作假。申请时需提交一份独创性声明,随附的复制件或图样必须清楚地显示该布图设计具有独创性的部分。对于明显不符合独创性标准的申请,必须予以驳回。
登记后,保护并非一劳永逸:任何第三方若发现登记不符合规定,均可请求撤销该登记;一旦被撤销,该布图设计专有权将被视为自始即不存在。保护范围以登记的复制件或图样为准,独创性声明可用于解释其独创性。
对于知识产权执法而言,这或许是最具颠覆性的变化:法院现在可以对故意、情节严重的侵权行为判处惩罚性赔偿。赔偿金额依据权利人实际损失或侵权人违法所得计算,对于情节严重的情况,可以适用惩罚性倍数。据TechTimes报道,对于故意侵权且情节严重者,法院可在计算出的基础赔偿金额之上,判处1至5倍的惩罚性赔偿。这延续了中国知识产权法近年来提高侵权成本、遏制抄袭行为的大趋势。
新规明确了布图设计的许可和共有权利,为芯片设计的商业化铺平了道路。
尤为重要的是,布图设计首次可作为贷款质押物,这使得国内无晶圆厂的设计公司能够利用其知识产权获取融资。这一条款直接回应了小型芯片设计公司面临的资金瓶颈问题。
新规还明确指出,保护范围扩展至光子集成电路和量子集成电路,而不仅仅是传统的电子集成电路。这一前瞻性举措顺应了下一代计算架构的发展趋势。
此次修订直指美国在先进芯片制造设备和技术上不断收紧的出口管制。北京方面将其视为推动技术自主、保护国内芯片知识技能免受外部压力的更广泛努力的一部分。通过提高知识产权保护标准,中国旨在激励本土创新,吸引芯片设计者在中国法律框架内进行注册和商业化。
中国的半导体产业势头为此次监管大修提供了经济背景:
因此,这一揽子法规将更强的知识产权执法与更灵活的商业化工具相结合,旨在创建一个能够支撑中国快速扩张的半导体部门、以应对外部技术限制的法律环境。