摩根士丹利重磅报告：AI瓶颈从“算力墙”转向“内存墙”，未来五年投资版图重塑

• 摩根士丹利首创“芯片通胀”一词，用以描述内存芯片价格因需求持续远超供给而大幅飙升并维持高位的现象。
• 内存芯片价格在过去一年间上涨了六倍。其2026年6月2日报告（经Finvaulta总结）确认：“DRAM价格增幅：过去一年6倍”。
• 该行指出，DRAM价格已回升至近30年来的最高水平。
• 2026年全年，DRAM价格已上涨125%。内存成本现已占一台CPU服务器物料清单（BOM）的73%。
• 大型云服务商通过长期协议（LTA）锁定供应，形成“两级市场”：AI买家获得优先权，而非AI领域的买家则面临供货风险和更高的价格。

重塑至2030年的AI基础设施投资

• 云存储支出预计到2030年将达到4180亿美元。
• 到2027年，内存占云提供商资本支出的份额将从12%跃升至40%。
• 全球前五大超大规模云提供商到2028年的总资本支出可能高达1.4万亿美元。摩根士丹利估计，仅到2028年，全球数据中心建设成本就将接近2.9万亿美元。
• 该行识别出一个价值2760亿美元的新型内存技术可寻址市场——需要创新来克服容量、带宽和成本方面的限制。

六大创新方向

摩根士丹利列出了突破内存墙的六个关键创新领域：

1. 先进制程节点——缩小存储单元几何尺寸
2. 内存架构重新设计——改变存储单元和阵列的基础设计
3. 先进封装——3D堆叠与异构集成（如HBM高带宽存储器）
4. CXL（Compute Express Link）互连——实现内存池化和解耦
5. 存内计算（PIM）——将计算单元嵌入存储阵列
6. 新型材料——新型介电材料、导体和开关材料

对消费电子的溢出效应

摩根士丹利警告，AI对内存的需求正挤占消费类硬件的产能，形成了两级市场：

• PC领域： 到2027年将出现15%的内存缺口，相当于5800万台PC受影响。
• 智能手机领域： 到2027年将出现12%的内存缺口，相当于1.34亿部设备受影响。

市场规模与收入预测

• 摩根士丹利认为，内存市场规模将从2025年的约2200亿美元增长至约8900亿美元。
• 预计到2027年，内存行业利润将增长35%–40%。

首选投资标的

摩根士丹利针对内存瓶颈推荐的投资标的包括：

• 美光科技（Micron）——DRAM和NAND闪存制造商
• 三星电子（Samsung Electronics）——HBM领域领先的存储巨头
• SK海力士（SK Hynix）——HBM关键供应商，被视为AI内存超级周期的受益者
• 闪迪（SanDisk）（原西部数据分拆业务）——NAND闪存
• ASML——EUV光刻设备供应商，被认作内存瓶颈之后的下一道环节

分析师Shawn Kim强调：“内存是新的AI瓶颈”，随着自主智能体工作负载的规模化，投资机会正在从GPU向CPU和内存领域拓展。