SK海力士、英伟达、美光CEO集体发声：AI内存结构性短缺将成新常态

SK海力士CEO郭鲁正（Kwak Noh-jung）的警告（2026年中）

2026年初，SK海力士CEO郭鲁正向员工发出警告：尽管AI热潮来得比预期更快，但今年的商业环境将**“比去年更加艰难”，并对下半年关税波动风险表示担忧。在2026年6月台北国际电脑展（Computex）的英伟达GTC活动中，郭鲁正与SK集团会长崔泰源一同宣布，将推出面向特定客户架构的定制化高带宽内存（cHBM）**，这标志着供需矛盾已迫使厂商采取更灵活的产品策略。

更宏观来看，SK集团会长崔泰源（郭鲁正的上级）在2026年3月和6月多次警告：全球内存短缺将持续到2030年，且存储芯片价格过快上涨可能损害AI生态系统的长期发展。SK海力士因此宣布，将在五年内将晶圆产能翻倍，并投资100万亿韩元（约643.8亿美元）建设新芯片厂，其中包括到2029年建成一座80万亿韩元（约514.6亿美元）的NAND闪存工厂。

黄仁勋与梅赫罗特拉的警告如何呼应？

三位CEO一致认为，当前的内存短缺是结构性而非周期性的，将持续多年。

高管	2026年关键警告
黄仁勋（英伟达）	“整个行业供应链——从晶圆到封装到硅光子——一切都在短缺，因为需求太高了。这种情况将持续好几年。”这种制约是结构性的，而非库存调整。
梅赫罗特拉（美光）	短缺将持续**“远超2026年”乃至“2027年之后”**，因为“行业需要从头建设产能”——新洁净室从破土到投产需要数年时间。
郭鲁正/崔泰源（SK海力士）	内存瓶颈预计将持续到2030年；即使大规模扩产，供应也无法完全满足需求。

共同主题： 三位CEO都指出，短缺是供给侧的结构性问题，根源在于新晶圆厂的建设周期长、AI需求无穷，问题不会很快解决。

支撑这一前景的供需指标

• 晶圆供应缺口： 晶圆供应比需求低20%以上，这一缺口预计至少持续到2030年。
• DRAM价格： 由于供应极度紧张，内存定价已进入**“按小时定价”**模式。SK集团会长崔泰源警告，过快的价格上涨会伤害AI生态系统的长期健康。
• HBM占DRAM产能比例： 高带宽内存（HBM）需求爆炸式增长——客户已提前数年预订供应。三星报告称，需求满足率已跌至历史低点，因为HBM消耗了DRAM晶圆产能中越来越大的份额。三星内存业务负责人金在浚警告，所有内存产品的**“严重短缺”**至少将持续到2027年。
• 创纪录的供应紧张： 2026年4月，三星和SK海力士联合发出创纪录的供应紧张警报，客户已开始为2027年的产能提前下单。

美光扩大投资计划

2026年7月9日，美光宣布大幅加速美国投资计划：

• 2500亿美元美国目标： 美光将美国投资目标提升至2035年前超过2500亿美元，远超原计划，受AI内存需求推动。
• 纽约克莱工厂： 美光在纽约克莱的巨型晶圆厂现场浇筑了首方混凝土，并提前进入垂直建设阶段。该厂区规划最多容纳四座晶圆厂，预计将成为美国历史上最大的半导体制造基地。建设于2026年1月启动，目标2030年投产。
• 30亿美元供应链投资： 在另一项公告中，美光表示将增加美国半导体供应链投资（该30亿美元是更广泛的2500亿美元计划的一部分）。

结构性短缺的深层原因（预计持续到2030年以后）

多重因素叠加，导致大多数高管眼中的短缺将持续到2030年之后：

• 多年的客户压价： 美光CEO梅赫罗特拉直接指出，客户多年来的激进压价谈判导致芯片定价“大幅下跌”，使行业在AI需求爆发前长期投资不足。他说：“某些客户把我们的行业价格压得很低”。
• 新建产能的漫长周期： 新洁净室从铲子落地到产出芯片需要数年——梅赫罗特拉在CNBC的节目中明确表示“行业需要从头建设产能”，这些项目需要很长时间。
• 无法满足的AI需求： AI对HBM和其他存储芯片的需求增长速度远超行业增加生产线能力。
• 半导体生产的固有瓶颈： SK会长崔泰源指出，“半导体生产中的内在限制”是短缺将持续四到五年的原因。
• 创纪录的低满足率： 需求满足率降至历史低点，客户已开始预订2027年的产能。
• 多环节供应链瓶颈： 黄仁勋指出，从晶圆到封装到硅光子，所有环节同时受到限制。