美国指控ASML最先进EUV光刻机或已流入中国：ASML否认、证据疑云与MATCH法案背景

美国官员援引的证据

美国方面的具体证据并未公开披露。率先报道此事的彭博新闻社援引“知情人士”消息，但未描述促使卢特尼克介入的情报、航运记录或其他证据。公开报道中没有任何关于EUV系统在中国被确认、拦截或未经授权安装的记录。

更宏观的背景可能引发怀疑。2025年12月，路透社报道称中国深圳的研究人员已建成一台EUV光刻机原型，其项目被描述为与西方AI芯片竞争的中国“曼哈顿计划”。此外，分析人士指出，一些可用于支持国内EUV研发的双用途或限制较少的零部件更难追踪。然而，这些进展是否与当前指控直接相关尚未得到证实。

出口管制与MATCH法案的背景

• 现有EUV禁令：美国主导的出口管制早已禁止ASML向中国出货EUV系统。若此次指控属实，将意味着长期禁令被打破。
• DUV管制（当前）：技术较不先进的深紫外（DUV）浸没式光刻机（可生产7纳米节点芯片）仍可对华出货，是新一轮限制的主要目标。
• MATCH法案：2026年4月初，美国两党议员提出《硬件技术管制多边对齐法案》（MATCH Act，编号H.R. 8170）。关键条款包括：
  • 禁止向“关注国家”（直接点名中国）境内任何目的地销售“卡脖子”半导体制造设备，包括DUV浸没式光刻机和低温蚀刻工具。
  • 要求荷兰、日本等盟友在150天内对齐美国的出口管制规则，否则美国将单方面扩大《外国直接产品规则》的管辖权，涵盖含有美国技术的任何设备。
  • 禁止对已安装在中国的DUV光刻机进行维护保养。
  • 该法案于2026年4月下旬在众议院外交委员会通过，作为更广泛出口管制措施的一部分。
  • 部分条款在委员会投票前被缩减（如全国性低温蚀刻工具禁令被撤销），但对DUV的限制仍保持原样。

简而言之，MATCH法案旨在将行政部门的出口管制措施法律化并扩大范围，填补DUV漏洞，并迫使盟友效仿——而新的EUV指控表明，即便是最严格的现有禁令也可能面临执法挑战。