美光CEO：AI需求爆发或让内存芯片短缺持续到2028年

全球内存芯片市场正在经历一轮不同于以往周期的紧张局面。美光（Micron）CEO **桑杰·梅赫罗特拉（Sanjay Mehrotra）**表示，由人工智能带来的需求爆发正在重塑整个行业格局，而真正缓解供应压力的新产能，可能要到 2028年前后 才会明显出现。

AI正在迅速吞噬内存产能

梅赫罗特拉指出，AI计算——尤其是大型语言模型训练和推理——正在大幅提高对内存的需求。与传统服务器相比，AI服务器需要更大的内存容量和更高的带宽，这使内存成为数据中心基础设施中的关键瓶颈。

在许多AI集群中，限制性能的不再只是GPU本身，而是为这些加速器提供数据的内存系统。科技巨头正在采购数以百万计的AI加速卡，每一块都需要大量DRAM和专用内存才能发挥性能。

即便是像美光这样的主要供应商，目前也难以满足需求。公司高管表示，对一些关键客户而言，美光 只能满足约50%到三分之二的订单需求，显示供需缺口仍然巨大。

HBM需求挤压整个内存市场

推动短缺加剧的核心因素之一，是 高带宽内存（HBM）。

HBM是与GPU堆叠封装、用于AI训练和推理的高性能内存。与传统DRAM相比，它的制造难度明显更高，需要：

• 更大的芯片面积
• 更复杂的堆叠结构
• 先进封装技术
• 更多晶圆产能

因此，生产HBM会消耗比普通DRAM更多的制造资源。为了满足利润更高、需求更急迫的AI客户，厂商正在优先生产HBM，这意味着留给PC、手机等传统设备的内存产能减少。

一些行业报告甚至指出，未来几年的HBM产量已经被大型AI客户 提前数年预订。

为什么新产能很难快速上线

虽然半导体公司正在投入巨额资金扩建工厂，但半导体制造的建设周期极长。

一座新的先进内存晶圆厂通常需要经历多个阶段：

1. 工厂建设
2. 设备安装
3. 制程调校与良率提升
4. 客户认证与产品验证

从破土动工到稳定量产，往往需要数年时间。因此，即使今天开始建设的新工厂，也要多年后才能对全球供应产生 “有意义的产量”。与美光相关的行业报道普遍认为，这一时间点大约在 2027—2028年。

美光计划在美国投资2000亿美元扩产

为了应对长期需求，美光已经宣布一项规模巨大的美国投资计划，总额约 2000亿美元：

• 约1500亿美元用于新的内存制造产能
• 约500亿美元用于研发投入

扩产布局包括：

• 爱达荷州（Boise）：建设新的先进内存晶圆厂
• 纽约州（Clay）：规划建设最多四座大型晶圆厂
• 弗吉尼亚州（Manassas）：扩建和现代化现有工厂

其中纽约项目可能成为 美国最大的半导体制造基地之一。

不过，这些投资对全球供需的影响仍需要时间。例如，美光在爱达荷州的新晶圆厂预计 2027年才开始运营，真正形成规模产量还要更晚。

行业其他厂商也发出类似警告

美光的判断并非孤例。三星电子和SK海力士等主要内存厂商也警告称，AI相关内存需求增长速度超过供应扩张，短缺状况可能持续到 至少2027年甚至更久。

部分行业高管甚至认为，随着全球AI数据中心建设加速，产能扩张速度可能仍跟不上需求增长。

对消费电子行业的影响

AI优先生产策略已经开始影响其他电子行业。

由于厂商把更多资源投入到利润更高的AI内存产品，PC、智能手机以及其他消费电子设备厂商正面临 更紧张的供应和更高的成本。

在一些细分市场，内存价格已经明显上涨。对终端厂商来说，这意味着利润压力增加，甚至可能推高未来设备价格。

内存行业正在进入AI超级周期

美光管理层强调，目前的紧缺并不是传统意义上的半导体周期波动，而是 AI驱动的结构性变化。

随着AI计算规模持续扩大，而新晶圆厂建设周期又长达数年，DRAM、NAND以及HBM的供应可能在本十年后期之前都保持紧张状态。

不少分析师因此认为，全球内存市场已经进入一个 由AI驱动的多年超级周期——需求增长速度可能在未来几年持续超过供应扩张。