大型 AI 加速器的瓶颈，已不再只在先进逻辑晶圆制造。如何把计算芯片与高带宽内存（HBM）整合到同一封装中，正成为决定产品交付与扩产节奏的战略环节。

英特尔将 EMIB-T 定位为另一条可选路径：它只在需要高密度连接的位置使用硅，并针对 HBM 密集型设计增加更直接的供电通路。18

真正的看点不仅是技术，也在商业层面。面对 CoWoS 配额紧张，EMIB-T 可让芯片设计公司多一个可认证的封装来源；但目前公开信息尚不足以证明它能全面替代台积电成熟的 CoWoS 生态。

技术差异：不是简单的“有无中介层”

CoWoS：在封装下方铺设高密度互连层

以传统 CoWoS-S 为例，计算芯片和 HBM 堆叠会并排放在一块大型硅中介层上。中介层在封装大范围内提供高密度布线平面，以支撑 AI 加速器所需的超宽数据连接。4

这是一条经过验证、适合大型 HBM 系统的路线，但覆盖整个封装的大型硅中介层也意味着更多硅材料用量，以及对专用先进封装产能的依赖。

不过，CoWoS 并非单一、固定的架构。台积电的 CoWoS-L 采用重布线层（RDL）中介层与局部硅互连桥，而不是一整块单片硅中介层。因此，实际比较不能简单归结为“中介层”和“无中介层”之争。7

EMIB：只在必要处放置硅桥

英特尔的嵌入式多芯片互连桥（EMIB）将小型硅桥嵌入有机封装基板中。硅桥负责相邻芯片之间的短距离、高密度互连，例如逻辑芯片与 HBM；其余较低密度的走线则交由基板完成。1822

这类设计的目标，是避免在整块封装下方铺设大面积硅中介层。英特尔称，局部嵌入式硅桥可为逻辑芯片之间、以及逻辑芯片与 HBM 之间的集成提供更具成本效益的选择，并可按不同互连需求选用相应桥接方案。18

EMIB-T：在 EMIB 上加入 TSV 垂直供电

EMIB-T 的关键升级，是在嵌入式硅桥中加入硅通孔（TSV）。英特尔表示，此举是为应对 HBM 对低直流与交流噪声垂直供电的需求。18

通俗说，标准 EMIB 主要解决相邻芯片之间的横向高密度连接；EMIB-T 则让电力能够更直接地穿过硅桥向上输送，以适应更大封装、更高电流的电气需求。相关报道还将其描述为可降低旧有供电路径中的电压跌落。1827

英特尔为何看到了机会？

机会来自产能的高度集中。行业估计显示，台积电 CoWoS 产能已从 2023 年末约每月 1.3 万片晶圆起始量，扩张至 2026 年末约每月 12 万至 13 万片。44 但需求也同步增长。TrendForce 报道援引机构投资者估计称，CoWoS 的供需缺口预计会从 2026 年年中约 20% 缩小至年末约 10%，而不是彻底消失。36

有估计认为，英伟达占据约 60% 的 CoWoS 配额；这并非台积电正式披露的数据。若该估计接近事实，也能说明为何定制 AI 芯片开发商和超大规模云服务商会看重经认证的第二供应商。30

因此，对英特尔而言，EMIB-T 不只是应急的产能补位方案。它更是在推销一种长期供应链选择：客户可为下一代加速器认证另一种封装架构，从而降低对单一封装路线及紧张产能池的依赖。

哪些公司在使用或评估 EMIB-T？

不同公司的公开证据强度差异很大。与其把所有报道都视为已拿下量产订单，不如按状态区分。

公司或项目	公开报道的状态	可以得出的结论
联发科	据报道，联发科称将为一款超大型定制 AI ASIC 并行采用 CoWoS 和 EMIB-T。1	这是目前最明确的采用信号，但属于双路线策略，并不代表 EMIB-T 取代 CoWoS。
谷歌 TPU	基于匿名消息源的报道称，谷歌与联发科正为未来 TPU 评估英特尔封装；另有报道指谷歌为 2028 年超过 300 万颗 TPU 预订了英特尔封装服务。68	潜在规模可观，但谷歌尚未公开确认项目细节或数量。
博通与 Meta	两家公司被报道为考虑转向或部分转向 EMIB，Meta 的推理芯片被提及为潜在对象。1	应视为评估或兴趣，不是已披露的量产订单。
英伟达	报道称英伟达对替代方案感兴趣，但现有公开信息未能证明其已承诺 EMIB-T 的量产规模项目。1	不能把兴趣或合作关系直接等同于采用 EMIB-T。
SK 海力士	据报道，SK 海力士正在测试英特尔 EMIB 用于 HBM 集成。10	测试有助于生态认证，但不等于量产承诺。
亚马逊 Trainium	部分报道提及围绕亚马逊 Trainium 产品线的讨论或兴趣。9	公开证据仍不足以证明 Trainium 4 已确定采用 EMIB-T。

先进封装的导入并非一次技术演示就能完成。它还要跨越电气性能、散热、机械可靠性、基板供应、HBM 兼容性和持续量产良率等多项认证。因此，客户评估是生态信号，但不是大规模部署的证明。

若英特尔在 2027 年放量，意味着什么？

报道称，EMIB-T 的量产扩张与 2026—2027 年有关。925 如果英特尔能在 2027 年下半年实现有意义的规模化，其最大机会可能反而出现在 CoWoS 最尖锐的短缺开始缓解之后。

这更有利于形成多源供应，而非突然的技术平台切换：

• CoWoS 仍是深度成熟的主流方案。 它拥有成熟生态、工艺经验和客户设计积累，仍会是许多领先 AI 芯片的默认选择。
• EMIB-T 提供不同的工程与供应链选项。 局部硅桥可减少对整片封装硅中介层的依赖；TSV 则瞄准大型 HBM 封装的供电需求。18
• 即使缺口缩小，战略价值仍在。 即便供需缺口降至约 10%，配额风险与产品上市时间对跨年度的加速器路线图依然至关重要。36

结论

短期内，英特尔最现实的目标不是在整个 AI 市场取代 CoWoS，而是成为部分 HBM 密集型加速器和超大规模云厂商 ASIC 的长期第二先进封装供应商。

EMIB-T 的核心主张很明确：以局部嵌入式硅桥替代覆盖整个封装的硅中介层，并通过 TSV 支持垂直供电，以满足下一代高功耗封装的电气要求。18 它能否发展为一项重要商业业务，最终取决于的不是市场传闻中的客户兴趣，而是良率、HBM 认证、可靠性和可重复的大规模量产能力。

大型 AI 加速器的瓶颈，已不再只在先进逻辑晶圆制造。如何把计算芯片与高带宽内存（HBM）整合到同一封装中，正成为决定产品交付与扩产节奏的战略环节。

英特尔将 EMIB-T 定位为另一条可选路径：它只在需要高密度连接的位置使用硅，并针对 HBM 密集型设计增加更直接的供电通路。18

真正的看点不仅是技术，也在商业层面。面对 CoWoS 配额紧张，EMIB-T 可让芯片设计公司多一个可认证的封装来源；但目前公开信息尚不足以证明它能全面替代台积电成熟的 CoWoS 生态。

技术差异：不是简单的“有无中介层”

CoWoS：在封装下方铺设高密度互连层

以传统 CoWoS-S 为例，计算芯片和 HBM 堆叠会并排放在一块大型硅中介层上。中介层在封装大范围内提供高密度布线平面，以支撑 AI 加速器所需的超宽数据连接。4

这是一条经过验证、适合大型 HBM 系统的路线，但覆盖整个封装的大型硅中介层也意味着更多硅材料用量，以及对专用先进封装产能的依赖。

不过，CoWoS 并非单一、固定的架构。台积电的 CoWoS-L 采用重布线层（RDL）中介层与局部硅互连桥，而不是一整块单片硅中介层。因此，实际比较不能简单归结为“中介层”和“无中介层”之争。7

EMIB：只在必要处放置硅桥

英特尔的嵌入式多芯片互连桥（EMIB）将小型硅桥嵌入有机封装基板中。硅桥负责相邻芯片之间的短距离、高密度互连，例如逻辑芯片与 HBM；其余较低密度的走线则交由基板完成。1822

这类设计的目标，是避免在整块封装下方铺设大面积硅中介层。英特尔称，局部嵌入式硅桥可为逻辑芯片之间、以及逻辑芯片与 HBM 之间的集成提供更具成本效益的选择，并可按不同互连需求选用相应桥接方案。18

EMIB-T：在 EMIB 上加入 TSV 垂直供电

EMIB-T 的关键升级，是在嵌入式硅桥中加入硅通孔（TSV）。英特尔表示，此举是为应对 HBM 对低直流与交流噪声垂直供电的需求。18

通俗说，标准 EMIB 主要解决相邻芯片之间的横向高密度连接；EMIB-T 则让电力能够更直接地穿过硅桥向上输送，以适应更大封装、更高电流的电气需求。相关报道还将其描述为可降低旧有供电路径中的电压跌落。1827

英特尔为何看到了机会？

机会来自产能的高度集中。行业估计显示，台积电 CoWoS 产能已从 2023 年末约每月 1.3 万片晶圆起始量，扩张至 2026 年末约每月 12 万至 13 万片。44 但需求也同步增长。TrendForce 报道援引机构投资者估计称，CoWoS 的供需缺口预计会从 2026 年年中约 20% 缩小至年末约 10%，而不是彻底消失。36

有估计认为，英伟达占据约 60% 的 CoWoS 配额；这并非台积电正式披露的数据。若该估计接近事实，也能说明为何定制 AI 芯片开发商和超大规模云服务商会看重经认证的第二供应商。30

因此，对英特尔而言，EMIB-T 不只是应急的产能补位方案。它更是在推销一种长期供应链选择：客户可为下一代加速器认证另一种封装架构，从而降低对单一封装路线及紧张产能池的依赖。

哪些公司在使用或评估 EMIB-T？

不同公司的公开证据强度差异很大。与其把所有报道都视为已拿下量产订单，不如按状态区分。

公司或项目	公开报道的状态	可以得出的结论
联发科	据报道，联发科称将为一款超大型定制 AI ASIC 并行采用 CoWoS 和 EMIB-T。1	这是目前最明确的采用信号，但属于双路线策略，并不代表 EMIB-T 取代 CoWoS。
谷歌 TPU	基于匿名消息源的报道称，谷歌与联发科正为未来 TPU 评估英特尔封装；另有报道指谷歌为 2028 年超过 300 万颗 TPU 预订了英特尔封装服务。68	潜在规模可观，但谷歌尚未公开确认项目细节或数量。
博通与 Meta	两家公司被报道为考虑转向或部分转向 EMIB，Meta 的推理芯片被提及为潜在对象。1	应视为评估或兴趣，不是已披露的量产订单。
英伟达	报道称英伟达对替代方案感兴趣，但现有公开信息未能证明其已承诺 EMIB-T 的量产规模项目。1	不能把兴趣或合作关系直接等同于采用 EMIB-T。
SK 海力士	据报道，SK 海力士正在测试英特尔 EMIB 用于 HBM 集成。10	测试有助于生态认证，但不等于量产承诺。
亚马逊 Trainium	部分报道提及围绕亚马逊 Trainium 产品线的讨论或兴趣。9	公开证据仍不足以证明 Trainium 4 已确定采用 EMIB-T。

先进封装的导入并非一次技术演示就能完成。它还要跨越电气性能、散热、机械可靠性、基板供应、HBM 兼容性和持续量产良率等多项认证。因此，客户评估是生态信号，但不是大规模部署的证明。

若英特尔在 2027 年放量，意味着什么？

报道称，EMIB-T 的量产扩张与 2026—2027 年有关。925 如果英特尔能在 2027 年下半年实现有意义的规模化，其最大机会可能反而出现在 CoWoS 最尖锐的短缺开始缓解之后。

这更有利于形成多源供应，而非突然的技术平台切换：

• CoWoS 仍是深度成熟的主流方案。 它拥有成熟生态、工艺经验和客户设计积累，仍会是许多领先 AI 芯片的默认选择。
• EMIB-T 提供不同的工程与供应链选项。 局部硅桥可减少对整片封装硅中介层的依赖；TSV 则瞄准大型 HBM 封装的供电需求。18
• 即使缺口缩小，战略价值仍在。 即便供需缺口降至约 10%，配额风险与产品上市时间对跨年度的加速器路线图依然至关重要。36

结论

短期内，英特尔最现实的目标不是在整个 AI 市场取代 CoWoS，而是成为部分 HBM 密集型加速器和超大规模云厂商 ASIC 的长期第二先进封装供应商。

EMIB-T 的核心主张很明确：以局部嵌入式硅桥替代覆盖整个封装的硅中介层，并通过 TSV 支持垂直供电，以满足下一代高功耗封装的电气要求。18 它能否发展为一项重要商业业务，最终取决于的不是市场传闻中的客户兴趣，而是良率、HBM 认证、可靠性和可重复的大规模量产能力。