CXMT 98亿美元IPO与中国DUV突破：存储芯片股暴跌，ASML何去何从？

CXMT成立于2016年，截至2025年第四季度，占据全球DRAM市场约7.67%的份额。公司计划将IPO募资主要用于存储晶圆量产和研发，产能扩张目标约为每月30万至38万片晶圆。

然而，CXMT的招股说明书将295亿元资金分配至三个项目——DRAM技术升级、下一代DRAM研发、以及存储晶圆制造线升级——并未设立专门项目或披露对高带宽内存（HBM）的资金承诺，而HBM正是由SK海力士和三星主导的关键增长领域。

国产浸没式DUV：突破背后的重大限制

据科技媒体《The Information》报道，一家上海国企已开始量产浸没式深紫外（DUV）光刻机，预计今年内交付给中芯国际（SMIC）、华虹半导体和CXMT。由于政治敏感性，该制造商未被公开命名。

产量规模与ASML相比极其微小。中国2026年目标约5台，2027年约20台。相比之下，ASML仅在2025年就出货了131台浸没式DUV系统。路透社指出，国产工具在性能和可靠性上仍有差距，在大规模采用前还需进一步测试。

据《金融时报》报道，中芯国际早在2025年9月就已测试过一台“御良晟”浸没式光刻系统。分析师对中国DUV工具何时具备商业竞争力给出了跨度很大的时间预测——从2030年代中期才能实现7纳米级浸没式DUV量产，到约2040年才能实现EUV。

市场影响：存储芯片股遭重创

市场担心CXMT的扩产和中国芯片设备能力提升将导致DRAM市场供应过剩，竞争对手股价大幅下挫。

• 美光科技（MU） 7月28日下跌8.9%，7月累计跌幅超过29%，创11年来最大单月跌幅。
• SK海力士 单日暴跌14%，其美国存托凭证下跌9%。
• 三星电子 7月28日盘中一度下跌13.4%。
• ASML 股价在DUV消息后下跌约11%，但摩根大通分析师认为即使中期内影响也很有限。

韩国市场尤其受到CXMT可能自行生产光刻设备的消息冲击。美国芯片股也遭遇广泛抛售，SanDisk下跌11%，英伟达下跌5%。

ASML：卡在中美夹缝中，但护城河仍在

路透社形容ASML“卡在了中美夹缝中”。荷兰公司的浸没式DUV和EUV机器在精度和吞吐量上仍遥遥领先，中国的产量与ASML的出货量相比只是零头。

中国在2025年约占ASML总销售额的29%，主要来自DUV设备及相关服务。美国国会悬而未决的《MATCH法案》将明确禁止ASML向包括中芯国际、华虹半导体、华为、CXMT和长江存储在内的中国企业销售或提供服务，可能影响ASML整体销售额的10-15%。

分析师观点：警报与冷静

许多分析师认为，对既有DRAM“三巨头”（三星、SK海力士、美光）或ASML形成实质挑战仍需数年时间。关键原因：

• DUV工具报道基于未具名信源，机器尚未进入大规模量产或在晶圆厂中经过充分验证。
• CXMT招股书中未列明HBM专项投入，这意味着它尚无法挑战利润最高、增长最快的存储细分领域。
• CXMT和中芯国际在运营上仍依赖库存的西方设备，且无法获得EUV光刻设备，因此无法从良率和密度上缩小与台积电或SK海力士的差距。

结论

市场正在定价中国芯片自主化所带来的长期可信威胁，因此存储芯片股遭受重创。但SK海力士、美光或ASML在短期内被替代的可能性仍然极小——此次抛售更多是由市场情绪和对未来产能过剩的担忧驱动，而非即时的市场份额流失。