AI 数据中心的大规模建设,正让存储器成为整个系统的瓶颈,而不仅仅是 AI 加速器。每新增一批 AI 集群,除了需要高带宽内存(HBM),还要配套传统服务器 DRAM,以及用于数据中心存储的企业级 SSD。供应商将稀缺产能优先投向这些高价值产品后,PC 和智能手机厂商面对的便是更高成本与更缺乏弹性的供货。眼下更像一个可能持续多年的存储周期,而非短暂的零部件缺货。
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瓶颈不止是 HBM
HBM 是堆叠在 AI 加速器附近的专用内存,但它只是 AI 服务器存储成本的一部分。大型系统还需要传统 DRAM 作为 CPU 和系统内存;数据中心的存储需求则支撑着企业级 SSD。TrendForce 预计,到 2028 年,服务器 DRAM 与 HBM 的合计位需求将以 37.4% 的复合年增长率增长。
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关键在于,HBM 会占用稀缺的先进 DRAM 产能和先进封装能力。制造商越优先生产 HBM 和大容量服务器内存,留给 PC、手机等消费电子的通用 DRAM 资源就越少。TrendForce 指出,AI 服务器同时推高传统 DRAM 和 HBM 的需求,而产能优先级正在向 PC 与智能手机市场传导成本压力。
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为什么高价压力可能延续至 2027 年
供给扩张并不快。宣布新建晶圆厂不等于马上有芯片可用:洁净室建设、设备安装、制程验证、良率爬坡和先进封装扩产,都要经历较长周期,才能形成可观产出。
9 月的一则报道援引 TechInsights 预测称,DRAM 价格可能同比上涨超过 200%。这是异常激进的预测,不能视为已经确认的市场结果。另据对 TrendForce 估算的报道,2026 年服务器 DRAM 组件价格同比涨幅可能约为 270%,企业级 SSD 价格则可能上涨 235%。
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提前锁货也在收紧市场。基于 DigiTimes 的报道称,三星、SK 海力士和美光已较早分配 2027 年的 DRAM 与 HBM 产能。对此应保持审慎:这是行业报道,而不是三家制造商正式声明所有产出均已无法购买。不过,其他信号同样显示供应紧张。路透社报道,SK 海力士 CEO 郭鲁正预计,从供应角度看,2027 年将是行业历史上最严峻的一年。
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对 PC 和智能手机消费者意味着什么
内存涨价并不意味着每一台设备都会按相同比例涨价。品牌可以自行消化部分成本、调整配置、将产能转向高毛利机型,或上调零售价。但压力方向已经很明确:TrendForce 认为,在 AI 服务器获得产能优先权、零部件成本上升的情况下,PC 和智能手机需求将放缓。
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最可能出现的影响包括:
- 平均售价上升。 有定价能力的品牌可能将部分内存成本转嫁给消费者。
- 低价配置减少。 入门产品可能降低内存或存储容量;当利润空间不足时,一些机型也可能退出市场。
- 低毛利设备供货更紧。 PC 厂商、Chromebook 厂商及中端手机品牌,相比高端品牌更难吸收零部件成本上涨。
- 出货承压。 即便终端需求没有明显转弱,厂商也可能缩减无利可图机型的生产。
目前没有一项足够可靠的全球 PC 或智能手机出货量预测,能够把变化单独归因于内存。换机周期、汇率、关税与宏观需求都会影响最终结果。更稳妥的判断是:高价内存会让“高性价比设备”策略更难维持。
DRAM 与 NAND 的走势可能分化
把所有存储产品视为同一个市场,会忽略一个重要区别。DRAM,尤其是 HBM 与服务器 DRAM,看来仍将面临结构性紧缺;而 NAND 闪存随着位元产出扩大,走向供需再平衡的路径更清晰。
| 领域 |
2027 年展望 |
后续可能变化 |
| DRAM 与 HBM |
AI 需求、持续向 HBM 倾斜的产能分配,以及 CPU 内存采购增加,预计将令供应受限、价格保持上行压力。 39 |
新增产能和良率提升最终或能缓解失衡,但价格何时、以多大幅度回归常态仍不确定。 |
| NAND 与企业级 SSD |
AI 相关存储需求令 NAND 在 2026 年维持供不应求。 42 |
TrendForce 预计,随着制程迁移、位元产出增长及消费电子需求疲弱,NAND 的紧张程度将在 2027 年下半年缓解,并可能对价格构成下行压力。 42 39 |
这一区别是判断 2027—2028 年市场的核心。HBM 产能转换和 AI 服务器 DRAM 需求,以不同于 NAND 的方式约束 DRAM 市场。NAND 同样可能剧烈波动,但现有证据更倾向于它比 DRAM 更早转松,而非必然延续 HBM 式的稀缺状态。
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中国的 CXMT 与长江存储:增加供给,但暂非全球市场的快速“泄压阀”
中国扩大存储产能,有助于提高国内供应韧性,但目前尚不能直接替代既有领先厂商的前沿 HBM 和服务器 DRAM。
**长鑫存储(CXMT)**作为中国主要的 DRAM 挑战者,据报道已面向国内 AI 芯片开发商启动小规模 HBM3E 生产。若测试顺利,相关处理器开发商计划在次年将其纳入商用产品;CXMT 的目标扩产时间为 2027 年。
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**长江存储(YMTC)**则是中国主要 NAND 厂商。CXMT 与 YMTC 可为国内设备、SSD 和数据中心部署补充具有战略意义的 DRAM 与 NAND 产能。但先进 HBM 与芯片制造设备的出口限制,使中国扩大前沿存储技术及配套封装生态的难度上升。美国于 2024 年 12 月将先进 HBM 纳入出口限制范围。
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中国的扩产未必会迅速缓解其他市场的供应压力。有报道称,CXMT 新增产出很可能被中国云服务提供商吸收;与此同时,限制措施也令韩国厂商向中国云服务提供商直接供应先进存储器更加困难。
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实际结论
这轮 AI 存储紧缺,不只是 HBM 售罄的故事。AI 集群同时提高多类存储器的需求,而 HBM 背后的专门生产与先进封装又限制了供应商扩产的速度。两者叠加,增强了存储厂商在合约谈判中的议价能力,并将成本压力传导至消费电子产品。
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根据现有证据,最清晰的基准情景是:DRAM 的紧张局面将延续至 2027 年,HBM 和服务器 DRAM 受影响最明显。NAND 短期内也可能承压,但在 2027 年末前出现缓解的可能性更高。对设备消费者而言,影响更可能表现为主流产品更贵、低价配置变少,以及低毛利细分市场供货趋紧,而不是所有产品同步出现同等幅度的价格冲击。
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