AI内存荒正在重塑芯片供需：DRAM为什么比NAND更难缓解

AI基础设施建设，正在把“内存”推到算力扩张的关键瓶颈位置。

高带宽内存（HBM）和高密度服务器DRAM的需求，正持续占用原本可供应常规内存产品的制造与封装资源。结果是：DRAM市场更偏向卖方、头部供应商可动用库存极薄，成本压力也从AI加速器一路传导至智能手机和PC。745

三星电子与SK海力士：需求旺，但库存缓冲很薄

KB证券在9月估计，三星电子与SK海力士第三季度的内存库存都已低于10天。这是分析师估算，并非两家公司披露的、可直接横向比较的经营数据；因此，它更适合作为“可用供应极度紧张”的信号，而非精确的库存周转指标。1921

库存薄，并不代表生意疲软，恰恰相反。内存厂商正优先配置高价值的HBM和服务器DRAM产能，客户则更早锁定供货承诺。HBM产能受限，也已成为更广泛内存紧缺与价格上行的推手之一。2910

HBM4为何会挤压普通内存

HBM是一类堆叠式DRAM，紧贴AI处理器封装，以提供极高的数据带宽。报道称，英伟达Rubin GPU单颗最高可搭载288GB的HBM4。31

这使HBM成为AI加速器不可或缺的系统级部件，但影响并不限于GPU出货。生产更多HBM需要稀缺的晶圆产能和复杂的先进封装能力，厂商也会把资本开支投向服务器级内存。产能向这些高价值产品迁移后，PC、手机及其他设备所需的通用DRAM供给就会相对减少。2945

因此，这轮行情不只是普通的去库存或补库存周期：AI内存需求可能直接限制内存的物理可得性，而不仅仅是抬高价格。

2027年：DRAM和NAND的走势可能分化

最有依据的判断，并不是“所有内存都会一起短缺”。

• **DRAM：**TrendForce预计，持续的HBM产能配置、强劲的AI服务器需求，以及单台服务器内存容量增加，将使DRAM在2027年继续偏紧，价格维持上行趋势。7
• **NAND闪存：**同一预测认为，随着新增产能投放、消费电子需求仍偏弱，NAND可能在2027年下半年进入更宽松的供需环境，价格面临下行压力。7

对于2027年DRAM供需缺口的具体幅度，市场预测并不一致。市场报道援引摩根大通模型称，供需增速缺口或约为7%；也有预测给出较低的缺口数字。相较于具体百分点，更一致的方向是：DRAM在2027年仍将偏紧。3342

对采购方而言，这意味着SSD和存储价格的压力，未来可能早于DRAM缓解；同时，“所有内存都会紧缺至2033年”的说法过于笼统。现有证据支持领先AI内存和DRAM持续承压，但也指向2027年后期NAND市场可能更容易买到货。7

价格如何传导：先是HBM，随后波及更广的内存市场

HBM4放量已与价格快速上升相关。韩国国际贸易协会数据显示，截至7月底，HBM平均出口单价为76.13美元，环比上涨9.5%。27

常规DRAM受到的是间接冲击：当供应和投资向HBM、服务器DRAM倾斜，主流市场买家的选择空间变小，供应商的议价能力增强。TrendForce预计，偏紧的DRAM供需将使2027年延续卖方市场。7

手机、PC和GPU会受到什么影响

手机与PC

内存是终端设备物料成本中的重要部分，尤其对价格敏感的中低端机型更是如此。LPDDR和NAND采购成本上涨后，厂商可选项有限：提高零售价、在同价位下减少内存或存储配置、削减其他规格，或自行承受更低利润率。有关手机市场的报道显示，内存涨价与供应受限已在影响行业规模和采购决策。4551

压力很可能首先集中在入门级设备，因为这类产品的利润空间更难吸收元器件涨价。

GPU与AI服务器

对AI硬件而言，HBM并非一种可以简单加价转嫁的普通零件，而是加速器封装中必须通过认证的核心组成部分。即使GPU需求旺盛，HBM短缺仍可能限制高端加速器和AI服务器的实际出货量。3129

这也促使云服务商等大型买家签订更长期的供货协议，进一步减少留给中小型或价格敏感客户的非锁定产能。10

芯片设计正在转向“内存优先”

这场紧缺强化了内存优先的系统设计思路。AI性能越来越取决于计算单元与内存之间能否高效搬运数据，而不只是堆叠更多算力。

因此，芯片与系统设计者会更重视：

• 更高的每瓦内存带宽；
• 采用HBM、并让逻辑与内存更紧密集成的封装；
• 先进封装和更大的封装内存池；
• 降低数据搬运量及内存容量需求的软件和模型技术。

这是HBM成为产能瓶颈所带来的工程层面推论，并非一项量化市场预测。但总体趋势明确：内存可得性与带宽，正成为AI系统设计的硬约束。317

为什么扩产不会立刻带来缓解

新增内存产能要变成可销售的合格产品，需要很长链条。晶圆厂落成只是第一步，后续还包括设备安装、良率爬坡、工艺认证、先进封装能力扩展，以及客户验证。IDC指出，AI服务器需求增长速度仍快于供给响应；同时，技术限制也会约束中国厂商在先进制程上的有效供给贡献。8

中国厂商方面，长鑫存储（CXMT，DRAM）和长江存储（YMTC，NAND）都在扩产，未来可能成为更重要的供应方。但有关其2026年至2027年新增产出的报道显示，这部分供应很可能被AI服务器需求、进口替代、先进晶圆限制和漫长的客户认证周期吸收。它们并不能立即替代已通过验证的领先HBM供给。411

更贴近现实的结论是：新增产能会在时间推移中发挥作用，尤其可能改善NAND和主流内存供给；但它难以迅速解除HBM和服务器DRAM的瓶颈。在产能、良率、封装与认证追上需求之前，AI基础设施投资很可能让DRAM维持异常紧张的状态，至少延续至2027年。78