三星的900层突破,讲的是精密键合而非极限蚀刻。其背后的 CMB (单元多重键合) 技术,将存储单元区域与其外围的逻辑电路分开制造于不同晶圆上,最后再合体。这种“分而治之”的策略,巧妙地避开了在单一底座上不断叠加所造成的物理极限 。
要让这个疯狂的想法成真,三星的团队必须解决三项工程噩梦:
1. SK海力士已抢占量产高地:2025年8月,SK海力士率先开始量产其321层4D NAND芯片,成为全球首家迈过300层大关的厂商 。反观三星,其自家的第九代 (V9) 286层QLC NAND的量产计划据报已推迟至2026年上半年,商业化步伐遭到质疑
。
2. “第二梯队”正快步追赶:中国厂商长江存储 (YMTC) 在2025年初就开始量产294层NAND,并正加速研发300层以上的技术,差距进一步缩小 。同时,日本的铠侠和美国的闪迪(原西部数据)等厂商也在激进投资。这其中的一个关键背景是,韩国的双雄——三星和SK海力士——近年都将大量资本支出倾斜到了AI加速器所需的HBM(高带宽内存)上,这在客观上为对手们留下了蚕食NAND市场份额的窗口
。
3. 敏感的价格与供应博弈:为提振价格,全球顶尖的NAND厂商在2025年下半年采取了联合减产行动,三星甚至被曝考虑在2026年提价20%–30% 。更高的层数本应带来更低的每比特制造成本,但在对手们正加紧扩张供应的当口,试图激进提价无异于走钢丝
。
即便如此,三星的整体财务表现依然势头凶猛。在最新的财报季度,其NAND业务营收同比暴增104.7%,达到135.1亿美元,按营收计算的市场份额从28%激增至31.6% 。但保住这个位子,需要的是技术与商业化的双重持续执行力。
堆叠更多NAND层数的竞赛,绝不只是芯片厂商间的数字营销战,它实际上是下一代AI基础设施的根本性使能器。AI数据中心的爆炸性增长,正在要求存储变得更密、更快、更便宜。
海量数据集渴求更高密度
AI训练集群需要将庞大的数据集存放在离GPU很近的地方,以供高速反复读取。更高的层数,意味着可以在同样大小的SSD(固态硬盘)中塞进更大的容量,这对于寸土寸金的超大规模数据中心至关重要 。这也将加速数据中心里老旧的HDD(机械硬盘)被替换为高容量SSD的进程,因为在AI世界,实时数据访问没有妥协余地
。
断崖式下降的存储成本
3D NAND的每一次世代更迭,都在直接拉低存储一个比特数据的成本。当AI负载产生出天文数字般的文本、图像、音视频数据时,经济高效的存储是将AI推理和训练成本降至可行的关键 。行业正竞相在2026年实现2Tb(太比特)的QLC芯片量产,这一里程碑将进一步驱动企业级SSD的成本降低,满足数据饥渴的AI应用
。
催生全新的AI内存架构
或许意义最深远的是,NAND闪存的角色正从一个被动的储存库,转变为AI内存层级中的活跃成员。新的架构如 HBF(高容量近存) 正在设计中,它提供一个高带宽的闪存层,插在高性能的HBM(高带宽内存)与较慢的SSD海量存储之间,为“温数据”有效拓展HBM容量 。同样,智能AI SSD 的概念,是将小型计算单元直接集成到存储盘上,在数据被喂给GPU之前就完成诸如过滤、重排等预处理工作,从而解放宝贵的GPU算力和内存带宽
。这些架构革命的基石,正是400层、900层乃至未来1000+层NAND所提供的巨大密度和低廉成本。
市场研究机构Counterpoint在一份关于向1000层3D NAND扩展的报告中精辟总结了这个挑战:供应商必须“实现更致密但结构完美的3D NAND架构,并具备卓越性能,与算力和DRAM能力在AI时代共同成长” 。三星的900层原型,就是一个确凿的信号——那条看似不可能的“致密、高性能存储”之路,已经触手可及。
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