长鑫存储(CXMT)正在从一家区域性存储器供应商,成长为全球市场无法忽视的竞争者。行业估计显示,到2026年底,其DRAM月产能可能达到约35万片;到2028年底,产能或进一步升至50万至60万片。
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这一规模可能削弱传统DRAM市场由少数厂商主导的格局,也有助于降低中国对进口存储器的依赖。但它能否缓解全球AI存储器短缺,关键并不只是“能生产多少片晶圆”,还取决于制程技术、良率、产品结构、先进封装以及客户认证进度。
更可能出现的局面是一个分化的市场:传统DRAM的竞争加剧、价格承压,而用于AI加速器的高带宽存储器(HBM)及其他先进产品仍然供不应求。
为什么长鑫存储的扩产计划重要
长鑫存储据报道通过在上海证券交易所科创板上市募集了579.2亿元人民币,约合1.256万亿韩元。资金预计将用于生产线升级、技术研发和新增产能。
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公司计划在2027年和2028年分别为上海工厂增加约10万片月产能。韩国《韩国时报》援引分析师估计,这些扩产完成后,长鑫存储到2028年底的月产能可能达到约55万片。
11 其他估计则将区间上调至每月50万至60万片。
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如果这些计划顺利落地,长鑫存储将进入与现有头部厂商相近的制造规模。它可以增加中国国内用于手机、个人电脑、服务器及其他电子产品的存储器供应,并为中国设备制造商提供三星、SK海力士和美光之外的选择。
长鑫存储的市场份额已经开始上升。Counterpoint数据显示,其DRAM收入份额从2025年第一季度的3%升至2026年第一季度的8%,成为该市场排名第四的供应商。
35 Counterpoint还表示,2026年第一季度全球DRAM收入达到970亿美元,长鑫存储收入同比增长超过700%。
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晶圆产能不等于有效供应
“每月投片量”衡量的是制造能力,而不是最终通过测试、能够交付给客户的存储器数量。长鑫存储对市场供应的实际贡献,还取决于以下因素:
- 制程成熟度: 新一代DRAM需要更先进的制造能力。
- 良率: 如果大量晶圆上的芯片无法通过测试,投片量增加也未必能带来相应的有效供应。
- 芯片尺寸与存储密度: 同一片晶圆能够产出多少可用比特,取决于具体产品设计。
- 产品结构: 普通DDR4或DDR5产能不能直接替代HBM产能。
- 客户认证: 服务器和AI客户必须验证性能、可靠性和一致性,才会大规模采用新供应商的产品。
这一区别是理解长鑫存储扩张影响的关键。即使其传统DRAM产量大幅增加,并对市场价格形成压力,也不代表用于AI加速器的HBM供应会同步增加。
有报道称,长鑫存储正在推进HBM生产,但目前可见的数字仍属于预测,并不能证明其已经具备领先的HBM竞争力。有估计认为,其HBM月投片量可能在2027年达到5.5万片、2028年达到10万片,但该估计同时指出,长鑫存储的HBM技术仍落后于领先供应商。
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HBM才是AI存储器市场的分水岭
HBM是一种专门为AI加速器及其他高性能处理器设计的存储器,特点是提供极高带宽。它并不是个人电脑、手机和普通服务器所使用的主流DRAM的简单替代品。
Counterpoint公布的2026年第一季度HBM收入数据表明,该市场高度集中:SK海力士占58%,三星和美光各占21%。
36 长鑫存储未出现在上述主要供应商名单中。这并不意味着它未来无法成为HBM竞争者,但说明其当前优势主要体现在整体DRAM市场,而不是最关键的AI存储器细分领域。
这也解释了为什么长鑫存储扩产,并不会自动推翻美光关于存储器市场可能持续紧张的判断。美光表示,AI需求增长和结构性供给限制,可能使DRAM和NAND市场在2027年之后仍然偏紧。
18 据报道,美光的HBM3E和HBM4产品订单已排满至2027年,需求还延伸至2028年。
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这两种判断可以同时成立:
- 长鑫存储为主流DRAM市场增加大量产能;
- AI客户继续争夺经过认证的HBM和高端服务器存储器;
- 普通存储器价格可能先行走弱,而先进存储器供应尚未完全跟上需求。
长鑫存储将如何影响美光
长鑫存储对美光的直接威胁,很可能取决于产品结构,而不是全面冲击美光的所有业务。如果长鑫存储能够顺利提高中低端DRAM产量,那么在客户认证门槛较低、买方更容易更换供应商的产品领域,价格压力可能率先出现。
这种影响主要体现在三个方面。
传统DRAM价格可能下行
新增的中国供应可能压低平均销售价格,尤其是在消费电子和低端商业市场。如果长鑫存储更重视扩大出货量,或得到足以承受较低利润率的支持,价格压力可能更加明显。
中国市场的竞争加剧
中国电子制造商可以借助长鑫存储降低对进口DRAM的依赖。即使长鑫存储无法替代现有供应商的全部产品,其存在也可能增强客户的议价能力。
行业加速转向高端产品
如果三星、SK海力士和美光将更多产能转向HBM和先进服务器存储器,市场可能进一步分层:普通DRAM竞争加剧,而高端存储器仍受到配额限制。
美光近期业绩说明了这种差异的重要性。公司公布的2026财年第三季度收入为414.6亿美元,上一年同期为93亿美元。
17 路透社还报道称,客户已承诺支付220亿美元以锁定存储器供应,美光预计供给紧张状况将持续到2027年之后。
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这些数据反映出当前供需环境非常有利,但并不意味着高利润率能够永久维持。长鑫存储扩产带来的主要风险,是普通DRAM价格可能早于HBM价格恢复正常。
高盛的预测应如何理解
“高盛预计2027年DRAM存在5.9%的结构性短缺”这一说法需要谨慎看待。现有报道将另一组预测归因于高盛:2026年DRAM供给缺口为4.9%,2027年缩小至2.5%。
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这仍然代表市场短缺,但说明缺口正在收窄。因此,它与这样的情景并不矛盾:长鑫存储新增产能的重要性逐步提高,但AI需求依然强劲,暂时不足以导致全球市场立即供过于求。
时间点尤其重要。如果长鑫存储的产量在市场已经从严重短缺走向供需平衡时到达,即使是中等规模的有效供应增加,也可能对价格产生显著影响。存储器市场具有明显的周期性,当买方不再担心供应配额时,价格可能迅速变化。
投资者真正应关注的是良率
长鑫存储最重要的进展,不只是其宣布了多少晶圆投片量。投资者和存储器买方还应关注公司能否证明以下能力:
- 新一代DRAM制程拥有稳定良率;
- 能够大规模生产高密度DDR5和服务器存储器;
- HBM封装和堆叠良率达到可靠水平;
- 获得主要中国客户及国际客户认证;
- 在中国以外扩大销售;
- 不依赖短缺推动的高价环境,也能实现盈利。
产能目标可以完成,但产品质量、产品结构或客户接受度仍可能落后。反过来,如果长鑫存储成功完成先进产品认证,其有效产能带来的冲击可能超过单纯的晶圆数量所显示的水平。
结论:长鑫存储会先改变普通DRAM,而不是立即主导HBM
根据目前可见证据,长鑫存储更可能首先通过传统DRAM重塑市场,而不是立即在HBM领域取得主导地位。到2028年底,其月产能可能达到约50万至60万片,这将降低中国对进口存储器的依赖,挑战现有供应商在主流产品中的地位,并限制大宗存储器长期利润率的上行空间。
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但仅凭长鑫存储自身的扩产,暂时还不足以消除AI存储器短缺。HBM市场仍主要由SK海力士、三星和美光掌握,真正的瓶颈包括制程能力、良率、先进封装和客户认证,而不仅是前端晶圆产能。
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对美光而言,基准情景是利弊并存:传统DRAM业务面临更大的价格和利润率下行风险,但只要AI需求持续、先进产品认证优势仍在,其高端存储器收入仍可能获得支撑。对美光最悲观的情景,要求长鑫存储迅速缩小技术和良率差距,而不只是建成更多晶圆厂。