Samsung trình làng tầm nhìn bộ nhớ 3D thế hệ mới tại FMS 2026

zHBM — Kiến Trúc HBM Dọc Đột Phá

Có lẽ sự kiện thu hút sự chú ý nhất của Samsung là zHBM, một kiến trúc ý tưởng xếp chồng bộ nhớ băng thông cao theo chiều dọc ngay phía trên bộ tăng tốc AI, thay vì đặt bên cạnh trên một lớp nền silicon . Công nghệ wafer bonding tiên tiến giúp cho sự sắp xếp này trở nên khả thi . Samsung tuyên bố zHBM có thể mang lại hiệu năng gấp ~8 lần HBM5, mật độ bộ nhớ gấp hơn 10 lần, hiệu suất năng lượng gấp 3 lần và giảm hơn một nửa điện trở nhiệt . Điều quan trọng cần lưu ý là zHBM mới chỉ được trưng bày dưới dạng mô hình ý tưởng vật lý (mock-up), chứ chưa phải là sản phẩm thương mại và không có lịch trình thương mại hóa cụ thể . Kiến trúc này, nếu được hiện thực hóa, sẽ loại bỏ lớp nền silicon vốn là nền tảng cho mọi thế hệ HBM trước đây .

zNAND-O — Kiến Trúc 3D NAND Cho AI Biên

Samsung cũng giới thiệu zNAND-O, một ý tưởng kết hợp công nghệ V-NAND với các kết nối xuyên silicon (TSV) để xếp chồng 4 hoặc 8 chip NAND theo chiều dọc trong một gói duy nhất . Kiến trúc này được thiết kế cho khối lượng công việc AI biên (edge AI), với Samsung nhấn mạnh những cải tiến về sử dụng không gian, hiệu năng I/O và độ trễ . Cũng giống như zHBM, zNAND-O là một ý tưởng chưa có ngày thương mại hóa cụ thể .

Mẫu Thử HBM4E và Mô Hình HBM5

Samsung đã trưng bày mẫu thử HBM4E — bước tiếp theo trong lộ trình HBM của mình — và mô hình ý tưởng HBM5 tại gian hàng . Công ty đã bắt đầu sản xuất hàng loạt HBM4 đầu tiên trong ngành từ tháng 2 năm 2026 sử dụng công nghệ DRAM 1c và chip 4nm, và đến tháng 5 năm 2026 đã trở thành công ty đầu tiên cung cấp mẫu thử HBM4E cho khách hàng toàn cầu . Sản xuất hàng loạt HBM4E được nhắm mục tiêu vào năm 2027, sử dụng quy trình Hybrid Bonding thế hệ thứ 4 của Samsung .

LPDDR5X-PIM — Bộ Nhớ Xử Lý Tại Chỗ

Samsung đã trình diễn LPDDR5X-PIM, mà họ mô tả là bộ nhớ LPDDR đầu tiên trong ngành có khả năng xử lý tại chỗ (processing-in-memory - PIM) . Thiết kế này thực hiện các thao tác dữ liệu một phần ngay bên trong bộ nhớ, giảm sự di chuyển dữ liệu giữa bộ nhớ và CPU/GPU cho các tác vụ suy luận AI, từ đó có thể cải thiện hiệu quả và giảm mức tiêu thụ điện năng .

Nền Tảng SSD Doanh Nghiệp

Samsung cũng giới thiệu các nền tảng SSD doanh nghiệp thế hệ tiếp theo, PM1763 và BM1773, được thiết kế cho các khối lượng công việc cơ sở hạ tầng AI .

Bối Cảnh Thị Trường: Samsung Giành Lại Vị Trí Dẫn Đầu DRAM

Thị Phần DRAM Q2 2026 Của Samsung

Theo Counterpoint Research, Samsung đã nắm giữ 39% thị trường DRAM toàn cầu theo doanh thu trong Q2 2026, vượt qua SK Hynix khi đối thủ này giảm xuống còn 26% (Micron ở mức 25%) . Sự thay đổi này được thúc đẩy bởi nhu cầu mạnh mẽ đối với DRAM thông dụng và sản lượng HBM mở rộng của Samsung, trong khi SK Hynix phải đối mặt với giá HBM trì trệ . Mặc dù doanh thu của SK Hynix tăng trưởng 214% so với cùng kỳ năm ngoái, thị phần của họ đã giảm từ 39% trong Q2 2025 xuống còn 26% trong Q2 2026 . Điều này đánh dấu việc Samsung giành lại vị trí số 1 sau khi SK Hynix tạm thời dẫn đầu trong các quý trước .

Chuyển Dịch Sang Các Thỏa Thuận Dài Hạn Với Khách Hàng AI (LTA)

Trong cuộc họp báo cáo thu nhập Q2 2026 vào ngày 30 tháng 7, Samsung đã công bố một sự thay đổi chiến lược lớn: họ có kế hoạch phân bổ 60–70% tổng công suất sản xuất bộ nhớ của mình cho các thỏa thuận cung cấp dài hạn (LTA) .

Các chi tiết chính của cấu trúc LTA:

• Cấu trúc hợp đồng "cuốn chiếu 5 năm": thời hạn cơ bản là 5 năm với tùy chọn gia hạn hàng năm .
• Các hợp đồng bao gồm tiền đặt cọc trước (Samsung cho biết họ đã nhận được khoảng một phần tư tổng số tiền tạm ứng) và giới hạn giá giới hạn mức giảm giá hàng quý ở mức tối đa 5%, trong khi khả năng tăng giá về cơ bản là không giới hạn .
• Samsung đã ký LTA với năm khách hàng trung tâm dữ liệu lớn nhất toàn cầu (được cho là AWS, Microsoft, Google, Meta và Oracle) và đang trong giai đoạn đàm phán cuối cùng với năm khách hàng khác .
• Ngược lại, Micron nhắm mục tiêu ~50% doanh số bán hàng của mình theo các Thỏa thuận Khách hàng Chiến lược .

Theo một cuộc khảo sát của Bank of America Merrill Lynch, các điều khoản hợp đồng rõ ràng có lợi cho nhà cung cấp, với mức giảm giá được giới hạn ở mức 5% mỗi quý trong khi tiềm năng tăng giá là không bị hạn chế .

Động Lực Ngành Rộng Lớn Hơn Tại FMS 2026

Samsung không phải là công ty duy nhất tạo ra tin tức tại FMS 2026:

• SK Hynix và Sandisk đã cùng công bố tiêu chuẩn High Bandwidth Flash (HBF) đầu tiên, một lớp lưu trữ mới được thiết kế để thu hẹp khoảng cách hiệu suất giữa HBM và SSD . Các thông số kỹ thuật HBF bao gồm dung lượng lên tới 512 GB (trong cấu hình xếp chồng 8 và 16 die NAND) với băng thông dao động từ ~0,4 TB/s đến 3,0 TB/s, sử dụng giao diện Universal Chiplet Interconnect Express (UCIe) . Google và Tenstorrent đang tham gia vào liên minh HBF .
• Kioxia đã giới thiệu dòng SSD PCIe 6.0 NVMe GP1 Series được tối ưu hóa cho truy cập trực tiếp GPU, và đồng trình bày với Nvidia về lưu trữ flash cơ sở hạ tầng AI . Kioxia cũng giới thiệu dòng SSD doanh nghiệp CM10 Series PCIe 6.0 và NX1 Series, cả hai đều hỗ trợ làm mát bằng chất lỏng trực tiếp .
• Micron đã có SSD doanh nghiệp 9650 PCIe 6.0 được sản xuất hàng loạt từ tháng 2 năm 2026 — ổ PCIe 6.0 thương mại đầu tiên .
• SK Hynix cũng đã trình diễn 4D NAND thế hệ thứ mười (V10) 375 lớp tại gian hàng của mình, tuyên bố hiệu suất năng lượng tăng gấp 2,5 lần .

Kết luận: Thông điệp của Samsung tại FMS 2026 là về sự tái phát minh kiến trúc — zHBM và zNAND-O đại diện cho những bước đột phá triệt để so với các thiết kế bộ nhớ hiện tại — được hỗ trợ bởi đà tăng trưởng mạnh mẽ trên thị trường DRAM và một mô hình kinh doanh mới dựa trên LTA, khóa chặt 60–70% công suất cho các khách hàng AI. Toàn bộ ngành công nghiệp đang rõ ràng hướng tới các kiến trúc bộ nhớ phân tầng (HBM, HBF, SSD) và giao diện PCIe 6.0, báo hiệu một giai đoạn cạnh tranh và đổi mới khốc liệt trong bộ nhớ cơ sở hạ tầng AI.