Samsung Trình Làng HBM5 Tại Computex 2026 Với Đế Khuôn 2nm và Công Nghệ Tản Nhiệt Mới

• Đế khuôn 2nm sản xuất nội bộ: Samsung có kế hoạch tự sản xuất đế khuôn trên tiến trình xưởng đúc (foundry) 2nm của chính mình – một bước thu nhỏ quy trình đầy tham vọng cho một sản phẩm bộ nhớ và là lần đầu tiên trong dòng sản phẩm HBM của hãng .
• Heat Path Block (HPB): Một thiết kế nhiệt tạo ra các đường dẫn nhiệt bổ sung giữa các bề mặt vật lý của khuôn (die), trực tiếp hạ thấp nhiệt trở và cải thiện độ ổn định khi vận hành. Samsung khẳng định HPB đã được triển khai và xác minh thông qua thế hệ HBM4E trước đó .
• Cấu hình xếp chồng: HBM5 được chuẩn bị với các tùy chọn xếp chồng DRAM 12, 16 và 20 lớp để đáp ứng nhu cầu dung lượng ngày càng tăng từ các bộ tăng tốc AI .

Về mặt thời gian, Samsung đã bắt đầu xuất mẫu HBM4E 12 lớp từ tháng 5 năm 2026, và dự kiến sản xuất hàng loạt HBM5 vào khoảng năm 2028 . Ông Song nói thêm, thời điểm triển khai cuối cùng của HPB hoàn toàn có thể được đẩy nhanh tùy theo nhu cầu của khách hàng và điều kiện thị trường .

Cục diện cạnh tranh: Samsung đấu SK Hynix

Computex 2026 đã phơi bày rõ nét các chiến lược trái ngược của hai nhà cung cấp HBM thống trị thế giới:

Nước cờ của Samsung: Chiến lược "siêu khoảng cách công nghệ" – nhảy vọt lên một thế hệ tiến trình mới và giới thiệu HPB để khẳng định vị thế là nhà cung cấp tiên tiến nhất . Màn ra mắt HBM5 nối tiếp cột mốc trước đó của Samsung khi là hãng đầu tiên trên thế giới sản xuất hàng loạt HBM4 .

Đòn đáp trả của SK Hynix: Tập trung gấp đôi vào vị thế thống trị đã được chứng minh và quy mô cung ứng. Trong quý I năm 2026, SK Hynix nắm giữ 58% thị phần HBM toàn cầu, so với 21% của Samsung, theo dữ liệu từ Counterpoint Research . Chủ tịch Chey Tae-won cũng tại sự kiện này cam kết sẽ tăng gấp đôi công suất wafer trong vòng 5 năm, với lý do dự báo tình trạng thiếu hụt bộ nhớ sẽ kéo dài đến năm 2030 .

Vị thế của Nvidia: CEO Jensen Huang đã công khai ca ngợi thành công của SK Hynix tại Computex mà không hề nhắc đến Samsung . Sự im lặng này nhấn mạnh vị thế "thắt cổ chai" hiện tại của SK Hynix với tư cách là nhà cung cấp HBM chính cho GPU AI của Nvidia. Tuy nhiên, Nvidia vốn nổi tiếng với chiến lược sử dụng hai nhà cung cấp để duy trì lợi thế đàm phán, điều này vẫn giúp Samsung có vé tham dự cho các thế hệ chip tăng tốc AI tương lai .

Tại sao giải nhiệt trở thành chiến trường quyết định

Việc chuyển đổi sang các cấu trúc HBM xếp chồng 16 và 20 lớp đã khiến khả năng tản nhiệt trở thành nút thắt cổ chai chính cho hiệu năng của bộ tăng tốc AI . Các khuôn HBM được xếp chồng theo chiều dọc và tích hợp chặt chẽ với chip logic, nghĩa là nhiệt lượng bị giữ lại giữa các lớp sẽ làm suy giảm tính toàn vẹn tín hiệu, tăng mức tiêu thụ điện năng và rút ngắn tuổi thọ linh kiện.

HPB của Samsung giải quyết vấn đề này ngay từ cấp độ kiến trúc. Thay vì chỉ dựa vào các giải pháp làm mát bên ngoài, HPB tạo ra các đường truyền nhiệt chuyên dụng xuyên qua lớp vật lý (PHY) của chính con chip, định tuyến năng lượng nhiệt ra khỏi khối xếp chồng một cách hiệu quả hơn . Samsung cho biết thiết kế này đã được xác thực trên HBM4E về tính toàn vẹn cấu trúc, độ ổn định của gói đóng (package) và hiệu năng nhiệt .

SK Hynix cũng đang chạy đua để đảm bảo các công nghệ làm mát HBM thế hệ tiếp theo, nhưng việc Samsung công khai đặt cược vào HPB là một tín hiệu cho thấy họ tin rằng đổi mới về nhiệt – chứ không chỉ là chiều cao xếp chồng – có thể vượt qua lợi thế về chuỗi cung ứng của đối thủ . Với dự báo thị trường HBM sẽ tiếp tục cháy hàng đến hết năm 2026 và lộ trình chip tăng tốc AI đòi hỏi bộ nhớ ngày càng nhanh hơn, ai thắng trong cuộc đua về nhiệt sẽ có thể giành được vị trí trong các thế hệ chip Nvidia Rubin và xa hơn thế nữa.