Bộ nhớ HBF (High Bandwidth Flash): SK Hynix và Sandisk chính thức công bố chuẩn kỹ thuật tại FMS 2026
HBF (High Bandwidth Flash) là một tầng bộ nhớ mới, dựa trên NAND flash, sử dụng kỹ thuật xếp chồng TSV tương tự HBM. Chuẩn kỹ thuật HBF chính thức được SK Hynix và Sandisk công bố tại hội nghị FMS 2026 thông qua dự án mã nguồn mở OCP.
Đăng bởiBiên tập bằng DeepSeek-V4-FlashHình ảnh được tạo bằng GPT Image 1.5
HBF (High Bandwidth Flash) là một tầng bộ nhớ mới, dựa trên NAND flash, sử dụng kỹ thuật xếp chồng TSV tương tự HBM.
Chuẩn kỹ thuật HBF chính thức được SK Hynix và Sandisk công bố tại hội nghị FMS 2026 thông qua dự án mã nguồn mở OCP.
HBF hỗ trợ ba mức băng thông: 0.4 TB/s, 1.6 TB/s và 3.0 TB/s, với dung lượng tối đa 512 GB mỗi module.
Google và Tenstorrent đã tham gia liên minh HBF, thúc đẩy hệ sinh thái mở cho công nghệ này.
What is High Bandwidth Flash (HBF), what standard specifications were released by SK Hynix and Sandisk at the Future of Memory and Storage 2HBF (High Bandwidth Flash) specification overview as announced at the Future of Memory and Storage 2026 conference.
Prompt AI
Create a landscape editorial hero image for this Studio Global article: What is High Bandwidth Flash (HBF), what standard specifications were released by SK Hynix and Sandisk at the Future of Memory and Storage 2. Article summary: ## What Is High Bandwidth Flash (HBF). Topic tags: general, general web, user generated. Style: premium digital editorial illustration, source-backed research mood, clean composition, high detail, modern web publication hero. Use reference image context only for broad subject, composition, and topical grounding; do not copy the exact image. Avoid: logos, brand marks, copyrighted characters, real person likenesses, fake screenshots, UI text, readable text, watermarks, charts with fake numbers, clickbait thumbnails, icons, and tiny thumbnail layouts. Make it useful as an illustrative visual, not as factual evidence.
openai.com
High Bandwidth Flash (HBF) là gì?
High Bandwidth Flash (HBF) là một tầng bộ nhớ mới, nằm giữa bộ nhớ băng thông cao HBM (High Bandwidth Memory) và ổ SSD truyền thống . Công nghệ này sử dụng các chip nhớ NAND flash được xếp chồng lên nhau theo chiều dọc và kết nối với nhau bằng các khe xuyên silic (TSV) – tương tự như cách HBM xếp chồng các chip DRAM. Nhờ đó, HBF có thể cung cấp băng thông ngang ngửa HBM nhưng với dung lượng và chi phí tương đương NAND flash . HBF được thiết kế chủ yếu cho các tác vụ suy luận AI, nơi các trọng số mô hình lớn cần được di chuyển nhanh chóng từ bộ nhớ lưu trữ vào bộ xử lý mà không bị giới hạn bởi độ trễ của PCIe hay SSD .
Studio Global AI
Tiếp tục nghiên cứu của bạn
Trang này bao gồm câu trả lời dựa trên nguồn mà bạn có thể tiếp tục bên trong Studio Global.
Câu trả lời ngắn gọn cho "Bộ nhớ HBF (High Bandwidth Flash): SK Hynix và Sandisk chính thức công bố chuẩn kỹ thuật tại FMS 2026" là gì?
HBF (High Bandwidth Flash) là một tầng bộ nhớ mới, dựa trên NAND flash, sử dụng kỹ thuật xếp chồng TSV tương tự HBM.
Những điểm chính cần xác nhận đầu tiên là gì?
HBF (High Bandwidth Flash) là một tầng bộ nhớ mới, dựa trên NAND flash, sử dụng kỹ thuật xếp chồng TSV tương tự HBM. Chuẩn kỹ thuật HBF chính thức được SK Hynix và Sandisk công bố tại hội nghị FMS 2026 thông qua dự án mã nguồn mở OCP.
Tôi nên làm gì tiếp theo trong thực tế?
HBF hỗ trợ ba mức băng thông: 0.4 TB/s, 1.6 TB/s và 3.0 TB/s, với dung lượng tối đa 512 GB mỗi module.
Bộ nhớ HBF (High Bandwidth Flash): SK Hynix và Sandisk chính thức công bố chuẩn kỹ thuật tại FMS 2026
HBF (High Bandwidth Flash) là một tầng bộ nhớ mới, dựa trên NAND flash, sử dụng kỹ thuật xếp chồng TSV tương tự HBM. Chuẩn kỹ thuật HBF chính thức được SK Hynix và Sandisk công bố tại hội nghị FMS 2026 thông qua dự án mã nguồn mở OCP.
Đăng bởiBiên tập bằng DeepSeek-V4-FlashHình ảnh được tạo bằng GPT Image 1.5
HBF (High Bandwidth Flash) là một tầng bộ nhớ mới, dựa trên NAND flash, sử dụng kỹ thuật xếp chồng TSV tương tự HBM.
Chuẩn kỹ thuật HBF chính thức được SK Hynix và Sandisk công bố tại hội nghị FMS 2026 thông qua dự án mã nguồn mở OCP.
HBF hỗ trợ ba mức băng thông: 0.4 TB/s, 1.6 TB/s và 3.0 TB/s, với dung lượng tối đa 512 GB mỗi module.
Google và Tenstorrent đã tham gia liên minh HBF, thúc đẩy hệ sinh thái mở cho công nghệ này.
What is High Bandwidth Flash (HBF), what standard specifications were released by SK Hynix and Sandisk at the Future of Memory and Storage 2HBF (High Bandwidth Flash) specification overview as announced at the Future of Memory and Storage 2026 conference.
Prompt AI
Create a landscape editorial hero image for this Studio Global article: What is High Bandwidth Flash (HBF), what standard specifications were released by SK Hynix and Sandisk at the Future of Memory and Storage 2. Article summary: ## What Is High Bandwidth Flash (HBF). Topic tags: general, general web, user generated. Style: premium digital editorial illustration, source-backed research mood, clean composition, high detail, modern web publication hero. Use reference image context only for broad subject, composition, and topical grounding; do not copy the exact image. Avoid: logos, brand marks, copyrighted characters, real person likenesses, fake screenshots, UI text, readable text, watermarks, charts with fake numbers, clickbait thumbnails, icons, and tiny thumbnail layouts. Make it useful as an illustrative visual, not as factual evidence.
openai.com
High Bandwidth Flash (HBF) là gì?
High Bandwidth Flash (HBF) là một tầng bộ nhớ mới, nằm giữa bộ nhớ băng thông cao HBM (High Bandwidth Memory) và ổ SSD truyền thống . Công nghệ này sử dụng các chip nhớ NAND flash được xếp chồng lên nhau theo chiều dọc và kết nối với nhau bằng các khe xuyên silic (TSV) – tương tự như cách HBM xếp chồng các chip DRAM. Nhờ đó, HBF có thể cung cấp băng thông ngang ngửa HBM nhưng với dung lượng và chi phí tương đương NAND flash . HBF được thiết kế chủ yếu cho các tác vụ suy luận AI, nơi các trọng số mô hình lớn cần được di chuyển nhanh chóng từ bộ nhớ lưu trữ vào bộ xử lý mà không bị giới hạn bởi độ trễ của PCIe hay SSD .
Studio Global AI
Tiếp tục nghiên cứu của bạn
Trang này bao gồm câu trả lời dựa trên nguồn mà bạn có thể tiếp tục bên trong Studio Global.
Câu trả lời ngắn gọn cho "Bộ nhớ HBF (High Bandwidth Flash): SK Hynix và Sandisk chính thức công bố chuẩn kỹ thuật tại FMS 2026" là gì?
HBF (High Bandwidth Flash) là một tầng bộ nhớ mới, dựa trên NAND flash, sử dụng kỹ thuật xếp chồng TSV tương tự HBM.
Những điểm chính cần xác nhận đầu tiên là gì?
HBF (High Bandwidth Flash) là một tầng bộ nhớ mới, dựa trên NAND flash, sử dụng kỹ thuật xếp chồng TSV tương tự HBM. Chuẩn kỹ thuật HBF chính thức được SK Hynix và Sandisk công bố tại hội nghị FMS 2026 thông qua dự án mã nguồn mở OCP.
Tôi nên làm gì tiếp theo trong thực tế?
HBF hỗ trợ ba mức băng thông: 0.4 TB/s, 1.6 TB/s và 3.0 TB/s, với dung lượng tối đa 512 GB mỗi module.
Vào ngày 4 tháng 8 năm 2026, tại hội nghị Future of Memory and Storage (FMS) tổ chức ở Santa Clara, California, SK hynix và Sandisk đã chính thức công bố các thông số kỹ thuật HBF đầu tiên thông qua Open Compute Project (OCP) . Đây là một cột mốc quan trọng, đánh dấu sự hợp tác của liên minh HBF được khởi động từ tháng 2 năm 2026, sau bản ghi nhớ hợp tác được ký kết vào tháng 8 năm 2025 .
Những điểm chính của chuẩn kỹ thuật HBF:
Mở và miễn phí bản quyền: Chuẩn này được công bố theo dạng mã nguồn mở và miễn phí bản quyền để thúc đẩy sự áp dụng rộng rãi trong toàn ngành .
Xây dựng nền tảng từ liên minh: Dựa trên kết quả làm việc của nhóm chuyên trách HBF trong khuôn khổ OCP .
Thông số kỹ thuật chi tiết của HBF
Cấu hình xếp chồng và dung lượng
Số lớp chip NAND: Hỗ trợ cấu hình xếp chồng 8 lớp và 16 lớp .
Dung lượng tối đa mỗi module: Lên đến 512 GB .
Module thế hệ đầu tiên (do Sandisk phát triển) sử dụng cấu hình xếp chồng 16 lớp .
Các mức băng thông
Chuẩn HBF xác định ba mức hiệu năng :
Cấp độ
Băng thông đọc
Cơ bản
~0.4 TB/s
Trung cấp
~1.6 TB/s
Cao cấp
~3.0 TB/s
Sandisk cho biết HBF thế hệ đầu tiên của họ sẽ nhắm tới băng thông đọc lên tới 1.6 TB/s, tương đương với một ngăn xếp HBM4, nhưng với dung lượng gấp khoảng 10 lần .
Kết nối
Bus bộ nhớ song song, tốc độ cao: HBF sử dụng bus bộ nhớ song song, tốc độ cao kết nối trực tiếp với GPU/bộ tăng tốc, tương tự giao diện của HBM, thay vì giao thức lưu trữ PCIe/NVMe .
Công bố qua OCP: Các thông số vật lý và điện đều được công bố theo khuôn khổ phần cứng mở của OCP .
Liên minh và đối tác trong ngành
Liên minh HBF được dẫn dắt bởi SK hynix và Sandisk. Hai tên tuổi lớn khác đã chính thức tham gia:
Google – tham gia để hỗ trợ phát triển hệ sinh thái .
Tenstorrent – công ty khởi nghiệp về chip AI cũng gia nhập liên minh trong quá trình tiêu chuẩn hóa .
Hiện chưa có danh sách chính thức các thành viên khác, nhưng Samsung được cho là đang phát triển công nghệ HBF riêng (xem phần cạnh tranh bên dưới).
Lộ trình thương mại hóa HBF
Mẫu thử bộ nhớ HBF: Dự kiến có mặt trong nửa cuối năm 2026 từ Sandisk .
Thiết bị suy luận AI đầu tiên sử dụng HBF: Dự kiến bắt đầu lấy mẫu vào đầu năm 2027.
Mục tiêu sản xuất hàng loạt: Sandisk đang lên kế hoạch xây dựng dây chuyền sản xuất thử nghiệm vào nửa cuối năm 2026, với sản xuất hàng loạt dự kiến vào năm 2027 .
Thông báo tại FMS không cập nhật lịch trình sản phẩm; các mốc thời gian này vẫn dựa trên hướng dẫn trước đó của công ty .
Bức tranh cạnh tranh HBF: Cuộc đua của ba 'ông lớn'
Lĩnh vực HBF đang nổi lên với ba hướng tiếp cận khác nhau:
Công ty / Hướng tiếp cận
Công nghệ
Mục tiêu dung lượng / băng thông
Tiến độ
Ghi chú
SK hynix + Sandisk (Liên minh HBF)
Chuẩn mở OCP; NAND xếp chồng TSV
512 GB / lên tới 3.0 TB/s (Thế hệ 1: 1.6 TB/s)
Mẫu: H2 2026, thiết bị: đầu 2027
Chuẩn mở; Google & Tenstorrent tham gia
Samsung
NAND băng thông cao riêng (chưa có tên chính thức)
Nhắm tới dung lượng và băng thông tương đương HBF
Nhắm tới cuối 2027 – đầu 2028 cho sản phẩm của Nvidia/AMD/Google
Phát triển song song; không thuộc liên minh SK hynix/Sandisk
Kioxia
Dòng "GP Series" XL-Flash; module SSD kết nối PCIe 5.0
Module 5 TB / băng thông 64 GB/s ; lộ trình tới 100M IOPS
GP Series SSD từ Q3 2026; 100M IOPS vào 2027
Kiến trúc khác biệt: vẫn là SSD PCIe, không phải bộ nhớ bus; phát triển theo yêu cầu của Nvidia
Nvidia
Không trực tiếp phát triển HBF, nhưng đóng vai trò là bên chứng nhận và khách hàng chính
N/A
Hợp tác với Kioxia về SSD siêu nhanh; đánh giá HBF của Samsung cho GPU tương lai
Nvidia là "cửa ngõ chứng nhận" quan trọng cho bất kỳ sản phẩm HBF nào muốn đến được hệ sinh thái GPU
Sự khác biệt chính giữa các hướng tiếp cận
Khoảng cách kiến trúc: HBF (SK hynix/Sandisk và Samsung) kết nối NAND trực tiếp với bus bộ nhớ GPU thông qua xếp chồng TSV, đạt băng thông trên 1.6 TB/s, sánh ngang HBM. Hướng tiếp cận của Kioxia giữ NAND trên PCIe, cho băng thông ~64 GB/s, thấp hơn nhiều, nhưng dung lượng mỗi module cao hơn (5 TB) và tích hợp đơn giản hơn .
Mở so với độc quyền: Chuẩn kỹ thuật của liên minh SK hynix/Sandisk là mở qua OCP. Trong khi đó, Samsung và Kioxia đang theo đuổi thiết kế độc quyền.
Thời điểm ra mắt: Liên minh HBF đang dẫn trước khoảng 12-18 tháng so với tiến độ công bố của Samsung; GP Series SSD của Kioxia gần sản xuất hơn nhưng phục vụ một phân khúc hiệu năng khác.
Tóm lại, HBF là một bước tiến quan trọng trong việc giải quyết bài toán bộ nhớ cho AI, đặc biệt là các tác vụ suy luận đòi hỏi cả băng thông cao và dung lượng lớn. Với sự hậu thuẫn của các ông lớn như Google và liên minh mở OCP, HBF hứa hẹn sẽ tạo ra một cuộc chơi mới trên thị trường bộ nhớ, nơi cuộc chiến giữa các gã khổng lồ công nghệ sẽ còn rất gay cấn.
Vào ngày 4 tháng 8 năm 2026, tại hội nghị Future of Memory and Storage (FMS) tổ chức ở Santa Clara, California, SK hynix và Sandisk đã chính thức công bố các thông số kỹ thuật HBF đầu tiên thông qua Open Compute Project (OCP) . Đây là một cột mốc quan trọng, đánh dấu sự hợp tác của liên minh HBF được khởi động từ tháng 2 năm 2026, sau bản ghi nhớ hợp tác được ký kết vào tháng 8 năm 2025 .
Những điểm chính của chuẩn kỹ thuật HBF:
Mở và miễn phí bản quyền: Chuẩn này được công bố theo dạng mã nguồn mở và miễn phí bản quyền để thúc đẩy sự áp dụng rộng rãi trong toàn ngành .
Xây dựng nền tảng từ liên minh: Dựa trên kết quả làm việc của nhóm chuyên trách HBF trong khuôn khổ OCP .
Thông số kỹ thuật chi tiết của HBF
Cấu hình xếp chồng và dung lượng
Số lớp chip NAND: Hỗ trợ cấu hình xếp chồng 8 lớp và 16 lớp .
Dung lượng tối đa mỗi module: Lên đến 512 GB .
Module thế hệ đầu tiên (do Sandisk phát triển) sử dụng cấu hình xếp chồng 16 lớp .
Các mức băng thông
Chuẩn HBF xác định ba mức hiệu năng :
Cấp độ
Băng thông đọc
Cơ bản
~0.4 TB/s
Trung cấp
~1.6 TB/s
Cao cấp
~3.0 TB/s
Sandisk cho biết HBF thế hệ đầu tiên của họ sẽ nhắm tới băng thông đọc lên tới 1.6 TB/s, tương đương với một ngăn xếp HBM4, nhưng với dung lượng gấp khoảng 10 lần .
Kết nối
Bus bộ nhớ song song, tốc độ cao: HBF sử dụng bus bộ nhớ song song, tốc độ cao kết nối trực tiếp với GPU/bộ tăng tốc, tương tự giao diện của HBM, thay vì giao thức lưu trữ PCIe/NVMe .
Công bố qua OCP: Các thông số vật lý và điện đều được công bố theo khuôn khổ phần cứng mở của OCP .
Liên minh và đối tác trong ngành
Liên minh HBF được dẫn dắt bởi SK hynix và Sandisk. Hai tên tuổi lớn khác đã chính thức tham gia:
Google – tham gia để hỗ trợ phát triển hệ sinh thái .
Tenstorrent – công ty khởi nghiệp về chip AI cũng gia nhập liên minh trong quá trình tiêu chuẩn hóa .
Hiện chưa có danh sách chính thức các thành viên khác, nhưng Samsung được cho là đang phát triển công nghệ HBF riêng (xem phần cạnh tranh bên dưới).
Lộ trình thương mại hóa HBF
Mẫu thử bộ nhớ HBF: Dự kiến có mặt trong nửa cuối năm 2026 từ Sandisk .
Thiết bị suy luận AI đầu tiên sử dụng HBF: Dự kiến bắt đầu lấy mẫu vào đầu năm 2027.
Mục tiêu sản xuất hàng loạt: Sandisk đang lên kế hoạch xây dựng dây chuyền sản xuất thử nghiệm vào nửa cuối năm 2026, với sản xuất hàng loạt dự kiến vào năm 2027 .
Thông báo tại FMS không cập nhật lịch trình sản phẩm; các mốc thời gian này vẫn dựa trên hướng dẫn trước đó của công ty .
Bức tranh cạnh tranh HBF: Cuộc đua của ba 'ông lớn'
Lĩnh vực HBF đang nổi lên với ba hướng tiếp cận khác nhau:
Công ty / Hướng tiếp cận
Công nghệ
Mục tiêu dung lượng / băng thông
Tiến độ
Ghi chú
SK hynix + Sandisk (Liên minh HBF)
Chuẩn mở OCP; NAND xếp chồng TSV
512 GB / lên tới 3.0 TB/s (Thế hệ 1: 1.6 TB/s)
Mẫu: H2 2026, thiết bị: đầu 2027
Chuẩn mở; Google & Tenstorrent tham gia
Samsung
NAND băng thông cao riêng (chưa có tên chính thức)
Nhắm tới dung lượng và băng thông tương đương HBF
Nhắm tới cuối 2027 – đầu 2028 cho sản phẩm của Nvidia/AMD/Google
Phát triển song song; không thuộc liên minh SK hynix/Sandisk
Kioxia
Dòng "GP Series" XL-Flash; module SSD kết nối PCIe 5.0
Module 5 TB / băng thông 64 GB/s ; lộ trình tới 100M IOPS
GP Series SSD từ Q3 2026; 100M IOPS vào 2027
Kiến trúc khác biệt: vẫn là SSD PCIe, không phải bộ nhớ bus; phát triển theo yêu cầu của Nvidia
Nvidia
Không trực tiếp phát triển HBF, nhưng đóng vai trò là bên chứng nhận và khách hàng chính
N/A
Hợp tác với Kioxia về SSD siêu nhanh; đánh giá HBF của Samsung cho GPU tương lai
Nvidia là "cửa ngõ chứng nhận" quan trọng cho bất kỳ sản phẩm HBF nào muốn đến được hệ sinh thái GPU
Sự khác biệt chính giữa các hướng tiếp cận
Khoảng cách kiến trúc: HBF (SK hynix/Sandisk và Samsung) kết nối NAND trực tiếp với bus bộ nhớ GPU thông qua xếp chồng TSV, đạt băng thông trên 1.6 TB/s, sánh ngang HBM. Hướng tiếp cận của Kioxia giữ NAND trên PCIe, cho băng thông ~64 GB/s, thấp hơn nhiều, nhưng dung lượng mỗi module cao hơn (5 TB) và tích hợp đơn giản hơn .
Mở so với độc quyền: Chuẩn kỹ thuật của liên minh SK hynix/Sandisk là mở qua OCP. Trong khi đó, Samsung và Kioxia đang theo đuổi thiết kế độc quyền.
Thời điểm ra mắt: Liên minh HBF đang dẫn trước khoảng 12-18 tháng so với tiến độ công bố của Samsung; GP Series SSD của Kioxia gần sản xuất hơn nhưng phục vụ một phân khúc hiệu năng khác.
Tóm lại, HBF là một bước tiến quan trọng trong việc giải quyết bài toán bộ nhớ cho AI, đặc biệt là các tác vụ suy luận đòi hỏi cả băng thông cao và dung lượng lớn. Với sự hậu thuẫn của các ông lớn như Google và liên minh mở OCP, HBF hứa hẹn sẽ tạo ra một cuộc chơi mới trên thị trường bộ nhớ, nơi cuộc chiến giữa các gã khổng lồ công nghệ sẽ còn rất gay cấn.