Bộ nhớ HBF (High Bandwidth Flash): SK Hynix và Sandisk chính thức công bố chuẩn kỹ thuật tại FMS 2026

Chuẩn kỹ thuật HBF được công bố tại FMS 2026

Vào ngày 4 tháng 8 năm 2026, tại hội nghị Future of Memory and Storage (FMS) tổ chức ở Santa Clara, California, SK hynix và Sandisk đã chính thức công bố các thông số kỹ thuật HBF đầu tiên thông qua Open Compute Project (OCP) . Đây là một cột mốc quan trọng, đánh dấu sự hợp tác của liên minh HBF được khởi động từ tháng 2 năm 2026, sau bản ghi nhớ hợp tác được ký kết vào tháng 8 năm 2025 .

Những điểm chính của chuẩn kỹ thuật HBF:

• Mở và miễn phí bản quyền: Chuẩn này được công bố theo dạng mã nguồn mở và miễn phí bản quyền để thúc đẩy sự áp dụng rộng rãi trong toàn ngành .
• Xây dựng nền tảng từ liên minh: Dựa trên kết quả làm việc của nhóm chuyên trách HBF trong khuôn khổ OCP .

Thông số kỹ thuật chi tiết của HBF

Cấu hình xếp chồng và dung lượng

• Số lớp chip NAND: Hỗ trợ cấu hình xếp chồng 8 lớp và 16 lớp .
• Dung lượng tối đa mỗi module: Lên đến 512 GB .
• Module thế hệ đầu tiên (do Sandisk phát triển) sử dụng cấu hình xếp chồng 16 lớp .

Các mức băng thông

Chuẩn HBF xác định ba mức hiệu năng :

Sandisk cho biết HBF thế hệ đầu tiên của họ sẽ nhắm tới băng thông đọc lên tới 1.6 TB/s, tương đương với một ngăn xếp HBM4, nhưng với dung lượng gấp khoảng 10 lần .

Kết nối

• Bus bộ nhớ song song, tốc độ cao: HBF sử dụng bus bộ nhớ song song, tốc độ cao kết nối trực tiếp với GPU/bộ tăng tốc, tương tự giao diện của HBM, thay vì giao thức lưu trữ PCIe/NVMe .
• Công bố qua OCP: Các thông số vật lý và điện đều được công bố theo khuôn khổ phần cứng mở của OCP .

Liên minh và đối tác trong ngành

Liên minh HBF được dẫn dắt bởi SK hynix và Sandisk. Hai tên tuổi lớn khác đã chính thức tham gia:

• Google – tham gia để hỗ trợ phát triển hệ sinh thái .
• Tenstorrent – công ty khởi nghiệp về chip AI cũng gia nhập liên minh trong quá trình tiêu chuẩn hóa .

Hiện chưa có danh sách chính thức các thành viên khác, nhưng Samsung được cho là đang phát triển công nghệ HBF riêng (xem phần cạnh tranh bên dưới).

Lộ trình thương mại hóa HBF

• Mẫu thử bộ nhớ HBF: Dự kiến có mặt trong nửa cuối năm 2026 từ Sandisk .
• Thiết bị suy luận AI đầu tiên sử dụng HBF: Dự kiến bắt đầu lấy mẫu vào đầu năm 2027 .
• Mục tiêu sản xuất hàng loạt: Sandisk đang lên kế hoạch xây dựng dây chuyền sản xuất thử nghiệm vào nửa cuối năm 2026, với sản xuất hàng loạt dự kiến vào năm 2027 .
• Thông báo tại FMS không cập nhật lịch trình sản phẩm; các mốc thời gian này vẫn dựa trên hướng dẫn trước đó của công ty .

Bức tranh cạnh tranh HBF: Cuộc đua của ba 'ông lớn'

Lĩnh vực HBF đang nổi lên với ba hướng tiếp cận khác nhau:

Sự khác biệt chính giữa các hướng tiếp cận

• Khoảng cách kiến trúc: HBF (SK hynix/Sandisk và Samsung) kết nối NAND trực tiếp với bus bộ nhớ GPU thông qua xếp chồng TSV, đạt băng thông trên 1.6 TB/s, sánh ngang HBM. Hướng tiếp cận của Kioxia giữ NAND trên PCIe, cho băng thông ~64 GB/s, thấp hơn nhiều, nhưng dung lượng mỗi module cao hơn (5 TB) và tích hợp đơn giản hơn .
• Mở so với độc quyền: Chuẩn kỹ thuật của liên minh SK hynix/Sandisk là mở qua OCP. Trong khi đó, Samsung và Kioxia đang theo đuổi thiết kế độc quyền.
• Thời điểm ra mắt: Liên minh HBF đang dẫn trước khoảng 12-18 tháng so với tiến độ công bố của Samsung; GP Series SSD của Kioxia gần sản xuất hơn nhưng phục vụ một phân khúc hiệu năng khác.

Tóm lại, HBF là một bước tiến quan trọng trong việc giải quyết bài toán bộ nhớ cho AI, đặc biệt là các tác vụ suy luận đòi hỏi cả băng thông cao và dung lượng lớn. Với sự hậu thuẫn của các ông lớn như Google và liên minh mở OCP, HBF hứa hẹn sẽ tạo ra một cuộc chơi mới trên thị trường bộ nhớ, nơi cuộc chiến giữa các gã khổng lồ công nghệ sẽ còn rất gay cấn.