CXMT nhắm đến NAND tại Bắc Kinh, nhưng chưa phải nhà máy flash thương mại

CXMT được cho là đang chuẩn bị một dây chuyền nghiên cứu-phát triển (R&D) và sản xuất thử bộ nhớ NAND flash tại cơ sở mới ở Bắc Kinh. Nếu triển khai, đây sẽ là bước đi đưa hãng chip nhớ Trung Quốc vượt ra ngoài mảng DRAM cốt lõi để tiếp cận thị trường bộ nhớ lưu trữ lâu dài cho hệ thống AI, máy chủ và các thiết bị điện toán khác. Tuy nhiên, điểm cần nhấn mạnh là: đây mới là kế hoạch R&D được đưa tin, không phải chương trình sản xuất NAND thương mại quy mô lớn đã được công bố. 1

CXMT được cho là đang xây gì ở Bắc Kinh?

Theo những người am hiểu vấn đề trao đổi với Reuters, ChangXin Memory Technologies (CXMT) dự định lập một dây chuyền sản xuất phục vụ R&D NAND flash tại nhà máy mới ở Bắc Kinh. Công ty cũng đã thành lập một viện nghiên cứu tại Bắc Kinh, trong đó có hạng mục phát triển NAND. 1

CXMT được cho là đã trao đổi về dự án NAND với các khách hàng tiềm năng, gồm một startup đang cần chip lưu trữ cho hệ thống AI và siêu máy tính. Chi tiết này cho thấy hãng đang song song thăm dò nhu cầu thị trường và phát triển công nghệ, chứ chưa phải đã có thỏa thuận cung ứng số lượng lớn. 1

DRAM và NAND phục vụ hai vai trò khác nhau. DRAM là bộ nhớ làm việc tốc độ cao mà bộ xử lý sử dụng trong lúc vận hành; còn NAND là bộ nhớ flash không mất dữ liệu khi tắt nguồn, xuất hiện trong SSD và các hệ thống lưu trữ trung tâm dữ liệu. Vì vậy, một chương trình NAND có thể giúp CXMT cung cấp danh mục chip nhớ đầy đủ hơn cho những khách hàng đang mua hoặc đánh giá DRAM của hãng.

Vì sao CXMT muốn mở rộng sang NAND lúc này?

Động thái được đưa tin diễn ra trong bối cảnh nguồn cung bộ nhớ toàn cầu thắt chặt do nhu cầu hạ tầng AI. Reuters cho biết các lãnh đạo trong ngành dự kiến áp lực nguồn cung sẽ kéo dài ít nhất đến năm 2027, trong khi việc bổ sung năng lực NAND bị hạn chế vì các nhà sản xuất lớn ưu tiên đầu tư cho DRAM và HBM, tức bộ nhớ băng thông cao dùng cho AI. 1

Với CXMT, NAND có thể mở ra tệp khách hàng nội địa rộng hơn: nhà phát triển hệ thống AI, hãng máy chủ, đơn vị vận hành trung tâm dữ liệu, nhà cung cấp thiết bị lưu trữ, hãng PC và nhà sản xuất thiết bị điện tử. Các cuộc trao đổi được báo cáo với bên cần NAND cho AI và siêu máy tính là dấu hiệu rõ nhất về logic thương mại này. 1

Điều đó cũng giúp CXMT có một danh mục bộ nhớ toàn diện hơn. Dù vậy, chưa thể suy ra rằng công ty sẽ sớm trở thành nhà cung cấp NAND đáng kể; đây trước hết là cơ hội tăng mức độ hiện diện với các khách hàng muốn tìm nguồn cho cả bộ nhớ làm việc lẫn bộ nhớ lưu trữ từ doanh nghiệp Trung Quốc.

Thách thức trực diện với YMTC, và thách thức dài hạn với các hãng toàn cầu

CXMT lâu nay chủ yếu gắn với DRAM, trong khi Yangtze Memory Technologies Co. (YMTC) là doanh nghiệp Trung Quốc chuyên về NAND đã có vị thế. Nếu CXMT triển khai sáng kiến NAND, ranh giới phân công này sẽ mờ đi và hai công ty sẽ cạnh tranh gần hơn trong cùng một thị trường. Reuters cũng đưa tin YMTC đã gửi mẫu DRAM điện năng thấp cho khách hàng, cho thấy sự phân tách DRAM của CXMT và NAND của YMTC vốn đã bắt đầu thu hẹp. 1

Ở thị trường NAND toàn cầu, CXMT có thể trở thành đối thủ bổ sung của các nhà cung cấp lâu đời như Samsung Electronics, SK hynix và Micron. Nhưng không nên hiểu kế hoạch ở Bắc Kinh là bằng chứng CXMT đã tương đương các hãng này về công nghệ NAND, quy mô, sản lượng hay mức độ được khách hàng thẩm định. Thông tin hiện có chỉ đề cập R&D và sản xuất thử, trong khi các doanh nghiệp dẫn đầu đã vận hành hoạt động NAND thương mại ổn định. 1

Những điểm quan trọng vẫn chưa rõ

Báo cáo của Reuters chưa trả lời các câu hỏi then chốt về khả năng triển khai:

• Ngày bắt đầu: Chưa có thời điểm được báo cáo cho việc dây chuyền R&D đi vào vận hành. 1
• Chuyển sang thương mại: CXMT chưa xác nhận công khai liệu dây chuyền thử nghiệm có trở thành fab NAND sản xuất số lượng lớn hay không. 1
• Công nghệ: Chưa có thông tin về node quy trình, số lớp, kiến trúc NAND, hay công nghệ xếp chồng/liên kết cụ thể của dây chuyền đề xuất. 1
• Công suất và sản lượng: Chưa có mục tiêu wafer start, số liệu yield, lịch xuất hàng, chỉ tiêu doanh số hoặc khối lượng thương mại. 1

Những khoảng trống này rất quan trọng. Một dây chuyền R&D có thể giúp tích lũy kinh nghiệm quy trình và tạo mẫu cho khách hàng, nhưng tự nó không đồng nghĩa nguồn cung NAND đáng kể trong ngắn hạn. Hiện chưa có đủ bằng chứng công khai để kết luận NAND do CXMT sản xuất sẽ sớm giảm đáng kể tình trạng thiếu hụt bộ nhớ lưu trữ, hoặc nhanh chóng trở thành nguồn flash lớn cho SSD và máy chủ. 1

Cần tách bạch với các dự án khác của CXMT

Nhiều thông tin xoay quanh CXMT đề cập những công nghệ và cơ sở khác nhau; không nên gộp chúng thành một lộ trình NAND đã được xác nhận.

Dự án fab bộ nhớ thứ hai tại Bắc Kinh

Tháng 8, Reuters đưa tin CXMT đang cân nhắc xây một nhà máy chip nhớ wafer 12 inch thứ hai ở khu Yizhuang, Bắc Kinh, đồng thời trao đổi về nguồn vốn với một trung tâm sản xuất công nghệ được chính quyền địa phương hậu thuẫn. Đây là thông tin về khả năng mở rộng công suất; nó không xác nhận dự án sẽ là fab NAND thương mại và cũng không nêu lịch sản xuất NAND cam kết. 3

HBM là nỗ lực riêng dựa trên DRAM

CXMT cũng được cho là đã bắt đầu sản xuất HBM3E với số lượng nhỏ; một số nhà thiết kế chip Trung Quốc, gồm T-Head của Alibaba và Cambricon, đang thử nghiệm loại bộ nhớ này với bộ xử lý của họ. HBM là DRAM xếp chồng dành cho điện toán AI, không phải NAND flash. 2

Một báo cáo riêng cho biết yield sản xuất thử HBM3 ban đầu của CXMT vào khoảng 25%, so với mốc xấp xỉ 80% được nêu như chuẩn tham chiếu cho sản xuất hàng loạt. Con số này thuộc hoạt động HBM, không phải yield NAND và không phải bằng chứng về dây chuyền NAND dự kiến ở Bắc Kinh. 17

Chưa có lộ trình XStacking được xác nhận cho dây chuyền NAND này

Bài Reuters ngày 18/9 không nêu XStacking hay bất kỳ quy trình liên kết hoặc xếp chồng NAND cụ thể nào cho dây chuyền mà CXMT đang được cho là đề xuất. Với các thông tin hiện có, chưa thể gán một công nghệ NAND, node hay lộ trình sản xuất cụ thể cho dự án. 1

Điều đáng theo dõi tiếp theo

Kế hoạch NAND tại Bắc Kinh của CXMT có ý nghĩa chiến lược vì nó có thể mở rộng công ty từ DRAM sang thị trường lưu trữ bổ trợ, đúng lúc nguồn cung bộ nhớ toàn cầu căng thẳng. Nó cũng có thể làm cạnh tranh với YMTC tại Trung Quốc gay gắt hơn và, về dài hạn, bổ sung một đối thủ mới cho thị trường NAND quốc tế. 1

Tuy vậy, ở thời điểm hiện tại, cách hiểu phù hợp nhất là đây là sáng kiến R&D và sản xuất thử giai đoạn đầu. Những dấu hiệu có thể biến nó thành sự kiện lớn của thị trường vẫn chưa xuất hiện: ngày vận hành, thông số kỹ thuật, quá trình khách hàng thẩm định, công suất thương mại, yield và quyết định tăng tốc lên sản xuất hàng loạt.