Samsung đang đặt cược rằng nút thắt bộ nhớ của ngành AI không thể được giải quyết chỉ bằng cách làm các chip nhanh hơn. Tại Memory Executive Summit diễn ra trong khuôn khổ SEMICON Taiwan 2026, hãng công bố chiến lược CUBE — viết tắt của Capacity, Utilization, Bandwidth và Efficiency, tương ứng với dung lượng, khả năng tận dụng, băng thông và hiệu quả. 24

Điểm cốt lõi của CUBE là biến bộ nhớ thành một hệ thống ba chiều, thay vì tiếp tục bố trí các chip trên một mặt phẳng hai chiều. Samsung muốn tăng dung lượng theo chiều dọc, rút ngắn đường đi của dữ liệu giữa bộ nhớ và logic, đồng thời xử lý băng thông, điện năng và nhiệt như những vấn đề liên kết với nhau.

Tuy nhiên, cần phân biệt rõ: Samsung mới công bố các mục tiêu phát triển và kiến trúc ý tưởng, chưa đưa ra đầy đủ thông số của những sản phẩm thương mại sẽ xuất xưởng.

Bốn ưu tiên trong chiến lược CUBE

Dung lượng: mở rộng lên trên thay vì mở rộng ra ngoài

Samsung muốn tăng dung lượng bộ nhớ theo chiều dọc mà không làm lớn thêm diện tích bo mạch in (PCB). Điều này có ý nghĩa đặc biệt với các hệ thống AI, nơi bộ tăng tốc cần truy cập những vùng bộ nhớ lớn hơn nhưng vẫn bị giới hạn bởi diện tích bo mạch, kích thước gói chip và khả năng cấp điện. 249

Khả năng tận dụng: để mỗi lớp đảm nhiệm nhiều công việc hơn

CUBE không chỉ đơn giản là chồng thêm nhiều khuôn nhớ. Samsung cho biết hãng sẽ tối ưu vị trí và mối liên hệ giữa logic với bộ nhớ, nhằm hạn chế việc dữ liệu phải di chuyển qua những tuyến đường dài hoặc chờ đợi ở các đường truyền kém hiệu quả. 449

Băng thông: thay đường truyền ngang bằng các liên kết dọc

Lộ trình này hướng tới việc tăng băng thông bằng cách rút ngắn khoảng cách giữa logic xử lý và bộ nhớ. Với ý tưởng zHBM, Samsung muốn sử dụng các kết nối dọc mật độ cao, thay cho cấu trúc phổ biến hiện nay là đặt HBM cạnh bộ tăng tốc AI. 812

Hiệu quả: giảm chi phí năng lượng của việc di chuyển dữ liệu

Mỗi lần di chuyển dữ liệu đều tiêu tốn năng lượng. Trong khi đó, các gói chip AI ngày càng dày đặc lại sinh nhiều nhiệt hơn. Vì vậy, mục tiêu hiệu quả của CUBE bao gồm cả điện năng và nhiệt, xem băng thông, mức tiêu thụ điện và điện trở nhiệt là một bài toán thiết kế thống nhất. 551

HBM5: mục tiêu tham vọng nhưng còn thiếu thông số nền tảng

Samsung đang phát triển HBM5, thế hệ kế tiếp sau HBM4E, với các mục tiêu chính:

• Hiệu năng gấp đôi HBM4E
• Hiệu năng trên mỗi watt tăng 20%
• Điện trở nhiệt giảm 20% 126

Các thông tin được công bố cũng đề cập đến quy trình DRAM cấp 1c, đế chip 2 nm do Samsung phát triển nội bộ và Heat Path Block — cấu trúc được thiết kế để hỗ trợ đưa nhiệt ra khỏi chồng bộ nhớ. 37

Dù vậy, các con số trên vẫn nên được hiểu là mục tiêu, chưa phải kết quả đã được chứng minh độc lập trên sản phẩm hoàn thiện. Samsung chưa công bố băng thông tuyệt đối của HBM5, dung lượng cuối cùng, số lớp xếp chồng hay điều kiện đo cụ thể để xác định “gấp đôi hiệu năng” nghĩa là gì. Con số này có thể đề cập đến tốc độ giao tiếp, thông lượng mỗi chồng nhớ hoặc một năng lực rộng hơn ở cấp hệ thống; dữ liệu hiện có chưa đủ để kết luận. 7

Do đó, không thể chuyển tuyên bố “gấp đôi” thành một con số đáng tin cậy tính bằng terabyte mỗi giây. Muốn so sánh với bất kỳ kết quả trình diễn HBM4E nào, cần dùng cùng định nghĩa về hiệu năng, cùng cấu hình chồng nhớ và điều kiện thử nghiệm tương đương.

zHBM đưa bộ nhớ lên trực tiếp bộ tăng tốc AI

Phần táo bạo hơn trong lộ trình là zHBM. Với HBM thông thường, bộ nhớ được đặt cạnh bộ tăng tốc AI, thường kết nối thông qua một gói chip tiên tiến hoặc interposer. zHBM sẽ thay đổi cách bố trí đó bằng việc đặt bộ nhớ trực tiếp phía trên CPU, GPU hoặc một bộ tăng tốc khác, tạo thành cấu trúc logic - bộ nhớ theo chiều dọc. 81217

Samsung đề xuất sử dụng tích hợp cấp wafer và liên kết đồng lai (hybrid copper bonding). Các kết nối đồng - đồng trực tiếp có thể tạo ra đường tín hiệu ngắn và dày đặc hơn so với cấu trúc truyền thống. Mục tiêu là tăng băng thông, đồng thời giảm năng lượng cần thiết để truyền dữ liệu. 17

Samsung từng công bố mục tiêu zHBM đạt hiệu năng cao hơn tới 8 lần so với một thiết kế HBM tham chiếu, hiệu năng trên mỗi watt cao hơn tới 3 lần, cùng mức giảm lớn về điện trở nhiệt. 1618

Vì sao có nơi nói zHBM nhanh hơn 4 lần, nơi khác nói 8 lần?

Các con số liên quan đến zHBM hiện không hoàn toàn đồng nhất. Cách diễn đạt rõ ràng nhất trong công bố công khai của Samsung cho biết một hệ thống giao tiếp thế hệ mới kết hợp zHBM có thể đạt khoảng 8 lần hiệu năng của HBM5. 1822 Trong khi đó, một số bài viết khác lại so sánh ý tưởng này với HBM4E hoặc đưa ra khoảng 4-8 lần. 11352

Sự khác biệt có thể đến từ nhiều cách lấy mốc thế hệ, định nghĩa khác nhau về “hiệu năng”, hoặc việc phân biệt giữa hiệu năng của giao diện với hiệu năng của cả một chồng bộ nhớ. Samsung chưa công bố đủ thông số tuyệt đối để quy đổi và đối chiếu các tuyên bố này một cách thống nhất.

Kết luận thận trọng nhất là zHBM đề xuất một giao diện bộ nhớ dày đặc hơn, ngắn hơn và được tích hợp theo chiều dọc. Đây chưa phải bằng chứng cho thấy một hệ thống AI thương mại đã đạt mức tăng 4 hoặc 8 lần.

Thời điểm thương mại hóa zHBM vẫn chưa chắc chắn

Samsung hiện mô tả zHBM như một kiến trúc ý tưởng và chưa đưa ra lịch sản xuất cụ thể trong các thông tin được cung cấp. Vì vậy, những dự đoán rằng công nghệ này sẽ được thương mại hóa vào một năm nhất định nên được xem là kỳ vọng của ngành, không phải cam kết chính thức từ Samsung. 1323

Sự thận trọng này là cần thiết bởi zHBM kéo theo nhiều thách thức về sản xuất và đóng gói — những vấn đề thường không thể hiện qua các hệ số hiệu năng trên bản trình bày.

zNAND-O giải quyết một bài toán khác của bộ nhớ AI

zNAND-O là một hướng phát triển riêng, không nhằm thay thế HBM trong các máy chủ AI. Đây là giải pháp dựa trên NAND tích hợp theo chiều dọc, hướng tới AI trên thiết bị và những ứng dụng cần mật độ lưu trữ cao nhưng truy cập nhanh hơn NAND thông thường. Các thông tin được đưa ra mô tả mục tiêu đạt mật độ bit cao hơn đáng kể so với DRAM, đồng thời cải thiện băng thông đọc và hiệu quả điện năng so với NAND truyền thống. 4613

Một số nguồn đề cập khả năng bắt đầu lấy mẫu với khách hàng vào năm 2028, nhưng thông tin về thời điểm này chưa nhất quán giữa các báo cáo. Vì vậy, đây nên được xem là kế hoạch được đưa tin, chưa phải ngày ra mắt được bảo đảm. 131416

Dẫn đầu DRAM chưa đồng nghĩa dẫn đầu cuộc đua HBM

Samsung bước vào thời điểm công bố CUBE với vị thế mạnh trên thị trường DRAM nói chung. Dữ liệu của Counterpoint Research cho thấy Samsung chiếm 39% doanh thu DRAM toàn cầu trong quý II/2026, đứng trước SK hynix với 26% và Micron với 25%. 33

Tuy nhiên, con số này không thể được dùng để khẳng định Samsung đang dẫn đầu ở mọi thế hệ HBM hoặc trong công nghệ đóng gói bộ nhớ 3D. Doanh thu DRAM tổng thể còn bao gồm nhiều phân khúc ngoài bộ tăng tốc AI, nên không chứng minh Samsung đã vượt lên trong HBM5, zHBM hay bộ nhớ liên kết đồng lai.

Câu hỏi cạnh tranh thực sự là công ty nào có thể biến một kiến trúc giàu tiềm năng thành các gói chip ổn định, sản xuất số lượng lớn và dễ tích hợp vào hệ thống AI của khách hàng.

Những bài toán kỹ thuật sẽ quyết định số phận CUBE

Tản nhiệt

Đặt bộ nhớ ngay phía trên một bộ tăng tốc công suất cao giúp rút ngắn đường truyền điện, nhưng cũng đưa bộ nhớ vào môi trường nhiệt khó xử lý hơn. Các phép thử quan trọng sẽ bao gồm nhiệt độ duy trì, chênh lệch nhiệt giữa các lớp, khả năng kiểm soát điểm nóng, tính tương thích với hệ thống làm mát và độ tin cậy dưới tải AI thực tế — chứ không chỉ là mức giảm điện trở nhiệt trên danh nghĩa.

Tỷ lệ thành công của liên kết đồng lai

zHBM đòi hỏi căn chỉnh wafer với độ chính xác cực cao, cùng các bề mặt liên kết sạch và phẳng. Khi diện tích liên kết và mật độ kết nối tăng lên, các khuyết tật cũng trở nên nghiêm trọng hơn. Nhà sản xuất sẽ phải kiểm soát quy trình, sàng lọc khuôn đạt chuẩn trước khi lắp ráp và tìm cách xử lý các cụm bị lỗi toàn phần hoặc một phần.

Kiểm thử và độ tin cậy dài hạn

Một gói chip xếp dọc cần được kiểm thử sau khi liên kết. Nhà sản xuất cũng phải phát hiện các lỗi kết nối tiềm ẩn, đồng thời kiểm soát hiện tượng cong vênh, ứng suất cơ học, di chuyển điện và tác động của việc thay đổi nhiệt độ lặp đi lặp lại. Những yêu cầu này có thể ảnh hưởng trực tiếp đến tỷ lệ thành phẩm và chi phí.

Chiều cao chồng nhớ và tích hợp gói chip

Thêm nhiều lớp có thể tăng dung lượng, nhưng đồng thời khiến việc làm mát, cấp điện và bảo đảm độ bền cơ học khó hơn. Thiết kế tối ưu sẽ phụ thuộc vào công suất của bộ tăng tốc, gói chip và hệ thống tản nhiệt của khách hàng, dung lượng cần thiết cũng như hệ sinh thái sản xuất đi kèm.

Kết luận

CUBE là nỗ lực của Samsung nhằm cạnh tranh trong lĩnh vực bộ nhớ AI bằng tích hợp theo chiều dọc, thay vì chỉ tăng tốc DRAM. HBM5 là hướng sản phẩm gần hơn, với mục tiêu hiệu năng gấp đôi HBM4E, hiệu năng trên mỗi watt tăng 20% và điện trở nhiệt giảm 20%. zHBM là canh bạc kiến trúc dài hạn: đặt bộ nhớ trực tiếp phía trên bộ tăng tốc và dùng liên kết đồng lai để rút ngắn đường đi của dữ liệu.

Lộ trình này có ý nghĩa kỹ thuật rõ rệt, nhưng những con số lớn nhất vẫn là mục tiêu với định nghĩa chưa đầy đủ. Vị thế cuối cùng của Samsung sẽ không chỉ phụ thuộc vào việc bài trình bày có thể nêu mức tăng 2 lần hay 8 lần, mà còn vào khả năng đạt tỷ lệ thành phẩm, kiểm soát nhiệt, kiểm thử, duy trì độ tin cậy và tích hợp thành công vào gói chip của khách hàng.

Samsung đang đặt cược rằng nút thắt bộ nhớ của ngành AI không thể được giải quyết chỉ bằng cách làm các chip nhanh hơn. Tại Memory Executive Summit diễn ra trong khuôn khổ SEMICON Taiwan 2026, hãng công bố chiến lược CUBE — viết tắt của Capacity, Utilization, Bandwidth và Efficiency, tương ứng với dung lượng, khả năng tận dụng, băng thông và hiệu quả. 24

Điểm cốt lõi của CUBE là biến bộ nhớ thành một hệ thống ba chiều, thay vì tiếp tục bố trí các chip trên một mặt phẳng hai chiều. Samsung muốn tăng dung lượng theo chiều dọc, rút ngắn đường đi của dữ liệu giữa bộ nhớ và logic, đồng thời xử lý băng thông, điện năng và nhiệt như những vấn đề liên kết với nhau.

Tuy nhiên, cần phân biệt rõ: Samsung mới công bố các mục tiêu phát triển và kiến trúc ý tưởng, chưa đưa ra đầy đủ thông số của những sản phẩm thương mại sẽ xuất xưởng.

Bốn ưu tiên trong chiến lược CUBE

Dung lượng: mở rộng lên trên thay vì mở rộng ra ngoài

Samsung muốn tăng dung lượng bộ nhớ theo chiều dọc mà không làm lớn thêm diện tích bo mạch in (PCB). Điều này có ý nghĩa đặc biệt với các hệ thống AI, nơi bộ tăng tốc cần truy cập những vùng bộ nhớ lớn hơn nhưng vẫn bị giới hạn bởi diện tích bo mạch, kích thước gói chip và khả năng cấp điện. 249

Khả năng tận dụng: để mỗi lớp đảm nhiệm nhiều công việc hơn

CUBE không chỉ đơn giản là chồng thêm nhiều khuôn nhớ. Samsung cho biết hãng sẽ tối ưu vị trí và mối liên hệ giữa logic với bộ nhớ, nhằm hạn chế việc dữ liệu phải di chuyển qua những tuyến đường dài hoặc chờ đợi ở các đường truyền kém hiệu quả. 449

Băng thông: thay đường truyền ngang bằng các liên kết dọc

Lộ trình này hướng tới việc tăng băng thông bằng cách rút ngắn khoảng cách giữa logic xử lý và bộ nhớ. Với ý tưởng zHBM, Samsung muốn sử dụng các kết nối dọc mật độ cao, thay cho cấu trúc phổ biến hiện nay là đặt HBM cạnh bộ tăng tốc AI. 812

Hiệu quả: giảm chi phí năng lượng của việc di chuyển dữ liệu

Mỗi lần di chuyển dữ liệu đều tiêu tốn năng lượng. Trong khi đó, các gói chip AI ngày càng dày đặc lại sinh nhiều nhiệt hơn. Vì vậy, mục tiêu hiệu quả của CUBE bao gồm cả điện năng và nhiệt, xem băng thông, mức tiêu thụ điện và điện trở nhiệt là một bài toán thiết kế thống nhất. 551

HBM5: mục tiêu tham vọng nhưng còn thiếu thông số nền tảng

Samsung đang phát triển HBM5, thế hệ kế tiếp sau HBM4E, với các mục tiêu chính:

• Hiệu năng gấp đôi HBM4E
• Hiệu năng trên mỗi watt tăng 20%
• Điện trở nhiệt giảm 20% 126

Các thông tin được công bố cũng đề cập đến quy trình DRAM cấp 1c, đế chip 2 nm do Samsung phát triển nội bộ và Heat Path Block — cấu trúc được thiết kế để hỗ trợ đưa nhiệt ra khỏi chồng bộ nhớ. 37

Dù vậy, các con số trên vẫn nên được hiểu là mục tiêu, chưa phải kết quả đã được chứng minh độc lập trên sản phẩm hoàn thiện. Samsung chưa công bố băng thông tuyệt đối của HBM5, dung lượng cuối cùng, số lớp xếp chồng hay điều kiện đo cụ thể để xác định “gấp đôi hiệu năng” nghĩa là gì. Con số này có thể đề cập đến tốc độ giao tiếp, thông lượng mỗi chồng nhớ hoặc một năng lực rộng hơn ở cấp hệ thống; dữ liệu hiện có chưa đủ để kết luận. 7

Do đó, không thể chuyển tuyên bố “gấp đôi” thành một con số đáng tin cậy tính bằng terabyte mỗi giây. Muốn so sánh với bất kỳ kết quả trình diễn HBM4E nào, cần dùng cùng định nghĩa về hiệu năng, cùng cấu hình chồng nhớ và điều kiện thử nghiệm tương đương.

zHBM đưa bộ nhớ lên trực tiếp bộ tăng tốc AI

Phần táo bạo hơn trong lộ trình là zHBM. Với HBM thông thường, bộ nhớ được đặt cạnh bộ tăng tốc AI, thường kết nối thông qua một gói chip tiên tiến hoặc interposer. zHBM sẽ thay đổi cách bố trí đó bằng việc đặt bộ nhớ trực tiếp phía trên CPU, GPU hoặc một bộ tăng tốc khác, tạo thành cấu trúc logic - bộ nhớ theo chiều dọc. 81217

Samsung đề xuất sử dụng tích hợp cấp wafer và liên kết đồng lai (hybrid copper bonding). Các kết nối đồng - đồng trực tiếp có thể tạo ra đường tín hiệu ngắn và dày đặc hơn so với cấu trúc truyền thống. Mục tiêu là tăng băng thông, đồng thời giảm năng lượng cần thiết để truyền dữ liệu. 17

Samsung từng công bố mục tiêu zHBM đạt hiệu năng cao hơn tới 8 lần so với một thiết kế HBM tham chiếu, hiệu năng trên mỗi watt cao hơn tới 3 lần, cùng mức giảm lớn về điện trở nhiệt. 1618

Vì sao có nơi nói zHBM nhanh hơn 4 lần, nơi khác nói 8 lần?

Các con số liên quan đến zHBM hiện không hoàn toàn đồng nhất. Cách diễn đạt rõ ràng nhất trong công bố công khai của Samsung cho biết một hệ thống giao tiếp thế hệ mới kết hợp zHBM có thể đạt khoảng 8 lần hiệu năng của HBM5. 1822 Trong khi đó, một số bài viết khác lại so sánh ý tưởng này với HBM4E hoặc đưa ra khoảng 4-8 lần. 11352

Sự khác biệt có thể đến từ nhiều cách lấy mốc thế hệ, định nghĩa khác nhau về “hiệu năng”, hoặc việc phân biệt giữa hiệu năng của giao diện với hiệu năng của cả một chồng bộ nhớ. Samsung chưa công bố đủ thông số tuyệt đối để quy đổi và đối chiếu các tuyên bố này một cách thống nhất.

Kết luận thận trọng nhất là zHBM đề xuất một giao diện bộ nhớ dày đặc hơn, ngắn hơn và được tích hợp theo chiều dọc. Đây chưa phải bằng chứng cho thấy một hệ thống AI thương mại đã đạt mức tăng 4 hoặc 8 lần.

Thời điểm thương mại hóa zHBM vẫn chưa chắc chắn

Samsung hiện mô tả zHBM như một kiến trúc ý tưởng và chưa đưa ra lịch sản xuất cụ thể trong các thông tin được cung cấp. Vì vậy, những dự đoán rằng công nghệ này sẽ được thương mại hóa vào một năm nhất định nên được xem là kỳ vọng của ngành, không phải cam kết chính thức từ Samsung. 1323

Sự thận trọng này là cần thiết bởi zHBM kéo theo nhiều thách thức về sản xuất và đóng gói — những vấn đề thường không thể hiện qua các hệ số hiệu năng trên bản trình bày.

zNAND-O giải quyết một bài toán khác của bộ nhớ AI

zNAND-O là một hướng phát triển riêng, không nhằm thay thế HBM trong các máy chủ AI. Đây là giải pháp dựa trên NAND tích hợp theo chiều dọc, hướng tới AI trên thiết bị và những ứng dụng cần mật độ lưu trữ cao nhưng truy cập nhanh hơn NAND thông thường. Các thông tin được đưa ra mô tả mục tiêu đạt mật độ bit cao hơn đáng kể so với DRAM, đồng thời cải thiện băng thông đọc và hiệu quả điện năng so với NAND truyền thống. 4613

Một số nguồn đề cập khả năng bắt đầu lấy mẫu với khách hàng vào năm 2028, nhưng thông tin về thời điểm này chưa nhất quán giữa các báo cáo. Vì vậy, đây nên được xem là kế hoạch được đưa tin, chưa phải ngày ra mắt được bảo đảm. 131416

Dẫn đầu DRAM chưa đồng nghĩa dẫn đầu cuộc đua HBM

Samsung bước vào thời điểm công bố CUBE với vị thế mạnh trên thị trường DRAM nói chung. Dữ liệu của Counterpoint Research cho thấy Samsung chiếm 39% doanh thu DRAM toàn cầu trong quý II/2026, đứng trước SK hynix với 26% và Micron với 25%. 33

Tuy nhiên, con số này không thể được dùng để khẳng định Samsung đang dẫn đầu ở mọi thế hệ HBM hoặc trong công nghệ đóng gói bộ nhớ 3D. Doanh thu DRAM tổng thể còn bao gồm nhiều phân khúc ngoài bộ tăng tốc AI, nên không chứng minh Samsung đã vượt lên trong HBM5, zHBM hay bộ nhớ liên kết đồng lai.

Câu hỏi cạnh tranh thực sự là công ty nào có thể biến một kiến trúc giàu tiềm năng thành các gói chip ổn định, sản xuất số lượng lớn và dễ tích hợp vào hệ thống AI của khách hàng.

Những bài toán kỹ thuật sẽ quyết định số phận CUBE

Tản nhiệt

Đặt bộ nhớ ngay phía trên một bộ tăng tốc công suất cao giúp rút ngắn đường truyền điện, nhưng cũng đưa bộ nhớ vào môi trường nhiệt khó xử lý hơn. Các phép thử quan trọng sẽ bao gồm nhiệt độ duy trì, chênh lệch nhiệt giữa các lớp, khả năng kiểm soát điểm nóng, tính tương thích với hệ thống làm mát và độ tin cậy dưới tải AI thực tế — chứ không chỉ là mức giảm điện trở nhiệt trên danh nghĩa.

Tỷ lệ thành công của liên kết đồng lai

zHBM đòi hỏi căn chỉnh wafer với độ chính xác cực cao, cùng các bề mặt liên kết sạch và phẳng. Khi diện tích liên kết và mật độ kết nối tăng lên, các khuyết tật cũng trở nên nghiêm trọng hơn. Nhà sản xuất sẽ phải kiểm soát quy trình, sàng lọc khuôn đạt chuẩn trước khi lắp ráp và tìm cách xử lý các cụm bị lỗi toàn phần hoặc một phần.

Kiểm thử và độ tin cậy dài hạn

Một gói chip xếp dọc cần được kiểm thử sau khi liên kết. Nhà sản xuất cũng phải phát hiện các lỗi kết nối tiềm ẩn, đồng thời kiểm soát hiện tượng cong vênh, ứng suất cơ học, di chuyển điện và tác động của việc thay đổi nhiệt độ lặp đi lặp lại. Những yêu cầu này có thể ảnh hưởng trực tiếp đến tỷ lệ thành phẩm và chi phí.

Chiều cao chồng nhớ và tích hợp gói chip

Thêm nhiều lớp có thể tăng dung lượng, nhưng đồng thời khiến việc làm mát, cấp điện và bảo đảm độ bền cơ học khó hơn. Thiết kế tối ưu sẽ phụ thuộc vào công suất của bộ tăng tốc, gói chip và hệ thống tản nhiệt của khách hàng, dung lượng cần thiết cũng như hệ sinh thái sản xuất đi kèm.

Kết luận

CUBE là nỗ lực của Samsung nhằm cạnh tranh trong lĩnh vực bộ nhớ AI bằng tích hợp theo chiều dọc, thay vì chỉ tăng tốc DRAM. HBM5 là hướng sản phẩm gần hơn, với mục tiêu hiệu năng gấp đôi HBM4E, hiệu năng trên mỗi watt tăng 20% và điện trở nhiệt giảm 20%. zHBM là canh bạc kiến trúc dài hạn: đặt bộ nhớ trực tiếp phía trên bộ tăng tốc và dùng liên kết đồng lai để rút ngắn đường đi của dữ liệu.

Lộ trình này có ý nghĩa kỹ thuật rõ rệt, nhưng những con số lớn nhất vẫn là mục tiêu với định nghĩa chưa đầy đủ. Vị thế cuối cùng của Samsung sẽ không chỉ phụ thuộc vào việc bài trình bày có thể nêu mức tăng 2 lần hay 8 lần, mà còn vào khả năng đạt tỷ lệ thành phẩm, kiểm soát nhiệt, kiểm thử, duy trì độ tin cậy và tích hợp thành công vào gói chip của khách hàng.