FMS 2026: Kioxia và Sandisk trình diễn NAND QLC dày đặc nhất thế giới, ra mắt chuẩn High Bandwidth Flash đầu tiên cho AI

Thông số kỹ thuật chính

• Mật độ bit: >37 Gb/mm² — con số tương đương với mức tăng khoảng ~60% so với công nghệ thế hệ thứ 8 của họ .
• Số lớp bán dẫn: 332 lớp hoạt động .
• Giao diện: 4.8 Gb/s qua chuẩn Toggle DDR6.0 .
• Cải tiến chủ chốt: Công nghệ CMOS Directly Bonded to Array (CBA). Thay vì chế tạo trên cùng một tấm wafer, CMOS logic và mảng bộ nhớ được sản xuất riêng rẽ rồi ghép nối với nhau ở cấp độ tấm wafer. Cách tiếp cận này cho phép cải thiện hiệu suất năng lượng và tạo ra bước nhảy vọt về mật độ .

Thiết bị đã được trình diễn trực tiếp tại hội nghị . Trước đó, vào tháng 7 năm 2026, Sandisk và Kioxia đã bắt đầu gửi mẫu NAND TLC BiCS10 dung lượng 1Tb, một biến thể ba-bit, với mật độ hơn 29 Gb/mm² . Biến thể QLC được trình diễn tại FMS là một bước tiến xa hơn nữa về mật độ, tận dụng kiến trúc bốn-bit trên một ô nhớ.

Sandisk & SK hynix — Bản đặc tả High Bandwidth Flash (HBF) đầu tiên

Sandisk và SK hynix đã phát hành bản đặc tả kỹ thuật chuẩn mở đầu tiên cho High Bandwidth Flash (HBF) thông qua Open Compute Project (OCP) . Bản đặc tả này định nghĩa một tầng bộ nhớ hoàn toàn mới nằm giữa HBM và các ổ SSD truyền thống, được tối ưu hóa cụ thể cho các tác vụ suy luận (inference) AI, nơi các mô hình lớn đòi hỏi dung lượng bộ nhớ vượt xa khả năng kinh tế mà HBM có thể cung cấp.

Thông số kỹ thuật chính

• Dung lượng mỗi stack: Lên tới 512 GB sử dụng cấu hình NAND 8-high và 16-high .
• Băng thông mục tiêu: Lên tới 3.0 TB/s (1.6 TB/s mỗi chiều), với ba cấp độ hiệu năng (Grade 1-3) từ khoảng 0.4 TB/s đến 3.0 TB/s .
• Chuẩn kết nối: UCIe (Universal Chiplet Interconnect Express) .
• Các thành viên tham gia: Google (DeepMind) và Tenstorrent đã gia nhập nhóm công tác HBF trong quá trình tiêu chuẩn hóa .

Vị thế chiến lược

HBF được thiết kế để lấp đầy khoảng trống về tốc độ-dung lượng giữa HBM (nhanh nhưng dung lượng hạn chế) và SSD thông thường (dung lượng lớn nhưng chậm hơn) . Sandisk tuyên bố HBF có thể cung cấp dung lượng gấp 8-16 lần HBM với chi phí tương đương. Kết quả mô phỏng hiệu năng trên mô hình Llama 3.1 405B tham số cho thấy mức chênh lệch chỉ trong vòng 2,2% so với cấu hình HBM có dung lượng vô hạn giả định .

Lộ trình sản phẩm

Bản đặc tả mở đã được công bố ngay tại hội nghị. Các mẫu bộ nhớ dự kiến xuất hiện vào cuối năm 2026, và các thiết bị thương mại dự kiến ra mắt vào đầu năm 2027 .

Các phiên thảo luận nổi bật tại FMS 2026

Bài diễn thuyết của Sandisk: "NAND: Nền tảng linh hoạt & có khả năng mở rộng cho Kỷ nguyên AI"

Buổi diễn thuyết dự kiến diễn ra vào lúc 11h40 sáng thứ Tư, ngày 5 tháng 8 năm 2026 theo giờ PT tại Mission City Ballroom của Trung tâm Hội nghị Santa Clara. Bài phát biểu do các lãnh đạo của Sandisk – Jim Elliott (CRO), Khurram Ismail (CPO) và Alper Ilkbahar (CTO) – trình bày, tập trung vào việc tối ưu hóa ở cấp độ hệ thống và vai trò của NAND trong việc hiện thực hóa suy luận AI ở quy mô lớn .

Bài diễn thuyết của SK hynix: "Điều phối Hạ tầng AI Hiệu quả thông qua Bộ nhớ Phân tầng trong Kỷ nguyên AI Tác tử"

Được trình bày vào ngày khai mạc (4 tháng 8) bởi Phó Chủ tịch Điều hành Kim Chun-sung và Phó Chủ tịch Kang Uk-song, phiên này đã thảo luận về các giải pháp bộ nhớ phân tầng cho hạ tầng AI .

Phiên thảo luận chung: "Phá vỡ Bức tường Bộ nhớ với High Bandwidth Flash"

Một phiên thảo luận bàn tròn dự kiến diễn ra vào lúc 9h45 sáng thứ Năm, ngày 6 tháng 8 với sự góp mặt của Phó Chủ tịch Sandisk Rajeev Nagabhirava, Phó Chủ tịch SK hynix Lim Eui-cheol và Kỹ sư cao cấp Xiaoyu Ma của Google DeepMind. Phiên này sẽ bàn luận về cách HBF giải quyết khoảng cách giữa sức mạnh tính toán và bộ nhớ đối với các tác vụ suy luận AI .

Ghi chú: Tiêu đề phiên thảo luận được xác nhận bởi nhiều nguồn tin chính thức, bao gồm tài liệu báo chí của Sandisk và phòng tin của SK hynix. Mô tả chính xác của phiên thảo luận nên được kiểm tra qua lịch trình trực tiếp của FMS 2026. Tuy nhiên, một phiên thảo luận chuyên đề "Phá vỡ Bức tường Bộ nhớ" (Breaking the Memory Wall) liên tục được liệt kê trong các bài đưa tin chính thức .

Tại sao những thông báo này quan trọng với Hạ tầng AI

Những thông báo tại FMS 2026 giải quyết hai thách thức nền tảng trong hạ tầng AI: mật độ lưu trữ và băng thông bộ nhớ. NAND QLC BiCS10 mang đến khả năng lưu trữ dày đặc hơn, tiết kiệm năng lượng hơn cho các hồ dữ liệu huấn luyện và các tầng lưu trữ dung lượng cao. Trong khi đó, HBF đại diện cho một lớp bộ nhớ hoàn toàn mới, có thể giảm đáng kể độ trễ và chi phí suy luận bằng cách cung cấp bộ nhớ nhanh, dung lượng lớn gần với bộ tăng tốc AI (GPU/TPU...), mà không phải chịu chi phí mở rộng HBM.

Cách tiếp cận tiêu chuẩn mở thông qua OCP, với sự hậu thuẫn từ Google và Tenstorrent, báo hiệu một sự đồng thuận của toàn ngành nhằm tiêu chuẩn hóa tầng bộ nhớ mới này thay vì phân mảnh thành các giải pháp độc quyền .