AI đang siết nguồn cung DRAM và NAND — và áp lực có thể kéo dài đến 2027

AI đang biến thị trường bộ nhớ từ một chu kỳ lên xuống quen thuộc thành bài toán phân bổ nguồn cung. Các hãng đám mây quy mô siêu lớn xây cụm AI cần bộ nhớ băng thông cao (HBM) đi cùng bộ tăng tốc AI, DRAM dung lượng lớn cho máy chủ và lượng NAND đáng kể để lưu trữ. Các nhà sản xuất vì thế ưu tiên những dòng sản phẩm giá trị cao này, trong khi nhu cầu từ PC, điện thoại và thiết bị điện tử khác vẫn tồn tại — làm phần công suất dư trong thị trường bộ nhớ thông thường ngày càng mỏng. 28

Vì sao AI gây áp lực lên cả DRAM lẫn NAND?

HBM là điểm nghẽn dễ thấy nhất. Đây là dạng DRAM chuyên dụng đặt gần các bộ xử lý AI tiên tiến; việc sản xuất phụ thuộc vào công suất chế tạo tiên tiến và công đoạn đóng gói chuyên biệt vốn khan hiếm. IDC xác định nhu cầu hạ tầng AI — đặc biệt là HBM và DRAM mật độ cao trong cấu hình máy chủ GPU — là động lực chính của mất cân đối hiện nay: nhu cầu máy chủ tăng nhanh hơn khả năng đáp ứng của nguồn cung. 8

Nhưng tác động không chỉ dừng ở HBM. Hệ thống AI cũng cần các cụm lưu trữ lớn, tốc độ cao, qua đó hỗ trợ nhu cầu NAND doanh nghiệp. Khi các hãng bộ nhớ dồn sản xuất và đầu tư cho sản phẩm phục vụ AI có biên lợi nhuận cao hơn, người mua DRAM và NAND thông thường phải cạnh tranh mạnh hơn để có công suất hoặc chấp nhận mức giá cao hơn. IDC cho biết việc tái phân bổ sang bộ nhớ AI đã góp phần gây thiếu hụt cho mảng điện tử tiêu dùng. 48

Tại sao tình trạng khan hiếm có thể kéo dài đến năm 2027?

Không thể tăng sản lượng bộ nhớ chỉ trong vài tháng. Công suất mới cần được xây dựng, lắp đặt thiết bị, kiểm định và nâng dần tỷ lệ sản phẩm đạt chuẩn; với HBM còn có yêu cầu đóng gói tiên tiến. Sassine Ghazi, CEO Synopsys, nhận định tình trạng căng thẳng sẽ tiếp diễn trong năm 2026 và 2027 vì cần thời gian để đưa công suất mới vào vận hành. 12

Micron cũng cho rằng AI đang định hình nhu cầu nhanh hơn khả năng bổ sung nguồn cung của ngành, và dự báo thị trường còn chật chội sâu trong năm 2027, thậm chí lâu hơn. 7 Triển vọng của IDC cho thấy mức hạn chế này: tổ chức này dự báo nguồn cung DRAM năm 2026 tăng 16% so với cùng kỳ, còn NAND tăng 17% — đều thấp hơn các mức tăng trưởng lịch sử. 14

Điều đó không có nghĩa mọi loại bộ nhớ đều thiếu theo cùng một mức độ. Điều khoản hợp đồng, thế hệ sản phẩm, mức phân bổ của nhà cung cấp và nhu cầu đầu cuối có thể tạo ra diễn biến rất khác giữa HBM, DRAM máy chủ, DRAM cho thiết bị khách và NAND. Tuy vậy, mẫu số chung là công suất mới đang đến chậm hơn tốc độ tăng của nhu cầu do AI dẫn dắt.

Giá DRAM và NAND có thể ảnh hưởng thế nào đến PC, điện thoại?

Bộ nhớ là một phần đáng kể trong cấu thành chi phí của thiết bị. IDC cho biết smartphone và PC đang chịu áp lực chi phí linh kiện cao hơn, làm thay đổi bài toán kinh tế của sản phẩm. 8 Nhà sản xuất có thể chọn hấp thụ chi phí bằng biên lợi nhuận thấp hơn, tăng giá bán, điều chỉnh cấu hình RAM/dung lượng lưu trữ hoặc thay đổi kế hoạch sản phẩm.

Trong các kịch bản cho năm 2026, IDC ước tính giá bán trung bình của điện thoại thông minh có thể tăng 3%–5% ở kịch bản trung bình và 6%–8% ở kịch bản bi quan. Đây là các kịch bản phân tích, không phải khẳng định rằng mọi mẫu điện thoại đều sẽ tăng giá đúng mức đó. 14

Với các nhà cung ứng linh kiện ở hạ nguồn, rủi ro chủ yếu mang tính gián tiếp: thị trường PC, điện thoại hoặc thiết bị ngoại vi đắt hơn có thể làm thay đổi sản lượng giao hàng của khách hàng, cơ cấu sản phẩm và nhu cầu tồn kho. Các tài liệu hiện có không xác lập tác động tài chính, dự báo hay hướng dẫn cụ thể cho Sonix Technology, nên không thể định lượng ảnh hưởng riêng với doanh nghiệp này từ những bằng chứng trên.

Cảnh báo của Phison về NAND nên được hiểu ra sao?

Khein-Seng Pua, CEO Phison, cảnh báo NAND flash có thể đối mặt với đợt thiếu hụt nghiêm trọng nhất vào năm 2027. 17 Trong một báo cáo riêng về phát biểu của ông, Pua cho biết ông được thông tin rằng công suất NAND mới có thể mất khoảng bốn năm mới bắt kịp nhu cầu — nếu nhận định này đúng, mốc cân bằng có thể rơi vào năm 2030 hoặc muộn hơn. 19

Nên xem đây là một đánh giá rủi ro, không phải dự báo thị trường đã được xác lập. Kết luận được nhiều nguồn hỗ trợ hơn trong ngắn hạn là nguồn cung bộ nhớ có thể tiếp tục căng và giá ở mức cao đến hết năm 2027. Kịch bản kéo tới năm 2030 phụ thuộc vào tốc độ đưa công suất mới lên sản lượng, cải thiện tỷ lệ sản phẩm đạt chuẩn, tỷ trọng sản xuất vẫn dành cho bộ nhớ AI và liệu nhu cầu hạ tầng AI có giữ tốc độ hiện tại hay không. 71219

Khi nào công suất mới có thể giúp hạ nhiệt?

Dự án hơn 4 tỷ USD của SK hynix tại bang Indiana, Mỹ, cho thấy cả quy mô phản ứng lẫn thời gian triển khai dài. Công ty dự kiến hoàn thiện phòng sạch vào tháng 10/2028 và bắt đầu sản xuất hàng loạt HBM4E trong quý III/2029. CEO Kwak Noh-jung cho biết ông dự đoán tình trạng thiếu bộ nhớ sẽ kéo dài đến hết năm 2030.

Cơ sở này có thể bổ sung đáng kể năng lực đóng gói HBM tại Mỹ từ cuối năm 2029. Tuy nhiên, đây không phải liều thuốc tức thời cho mọi phân khúc bộ nhớ: một nhà máy đóng gói tập trung vào HBM thế hệ mới tự thân không tạo thêm đủ nguồn wafer, cũng không giải quyết các nút thắt của DRAM và NAND thông thường.

Điều đáng chú ý với người mua thiết bị và doanh nghiệp

Cơn siết bộ nhớ không còn chỉ là câu chuyện của ngành bán dẫn. Nó đang trở thành vấn đề lập kế hoạch sản phẩm đối với hãng thiết bị, đồng thời là bài toán mua hàng của các công ty trong chuỗi cung ứng. Trung tâm dữ liệu AI đang sử dụng năng lực bộ nhớ vốn có thể phục vụ nhiều thị trường điện tử khác, trong khi công suất thay thế mất nhiều năm mới xuất hiện.

Áp lực rõ rệt nhất nhiều khả năng vẫn nằm ở bộ nhớ phục vụ AI và máy chủ, nhưng giá DRAM và NAND tiêu dùng có thể chịu tác động lan tỏa ít nhất đến năm 2027. Sự cải thiện có thể đến không đồng đều khi công suất mới tăng dần, song các nhận định về một cuộc “thiết lập lại” hoàn toàn của thị trường vào một năm cụ thể cần được nhìn nhận thận trọng — đặc biệt khi năng lực bổ sung chủ yếu nhắm vào HBM, thay vì toàn bộ chuỗi cung ứng bộ nhớ.