Lộ trình tăng tốc sản xuất chip 3nm và 2nm của TSMC năm 2026

Tăng tốc sản xuất 2nm

• Sản xuất hàng loạt: Chip 2nm (N2) bắt đầu sản xuất hàng loạt vào quý 4/2025, chuyển đổi từ kiến trúc FinFET sang kiến trúc nanosheet (GAA) .
• Mục tiêu cuối năm 2026: TSMC đặt mục tiêu đạt 100.000 WPM cho chip 2nm vào cuối năm 2026 .
• Tốc độ tăng trưởng kép (CAGR): TSMC kỳ vọng công suất 2nm sẽ tăng trưởng với tốc độ kép hàng năm là 70% từ năm 2026 đến năm 2028 .
• Khách hàng: AMD đang nhắm đến sản xuất CPU trên tiến trình 2nm bắt đầu từ năm 2026; Google và AWS cũng đặt mục tiêu sử dụng 2nm sớm . NVIDIA dự kiến sẽ chuyển các đơn hàng tăng tốc AI sang 2nm với số lượng lớn .
• Năng suất: Đường cong học hỏi về năng suất của 2nm đang vượt trội so với thế hệ 3nm trước đó ở cùng giai đoạn .

Kế hoạch mở rộng nhà máy

Đài Loan (cơ sở chính):

• Có tới 10 nhà máy được báo cáo đang được xây dựng hoặc bắt đầu vào năm 2026 trên khắp các khu khoa học phía Bắc, Trung tâm và phía Nam của Đài Loan .
• Năm nhà máy 2nm đang được xây dựng đồng thời trong năm nay — hai ở Tân Trúc (Nhà máy 20) và ba ở Cao Hùng (Nhà máy 22) — đây là đợt xây dựng một nút duy nhất lớn nhất trong lịch sử TSMC .
• TSMC đã tăng gấp đôi tốc độ xây dựng lịch sử của mình, xây dựng hoặc chuyển đổi chín giai đoạn nhà máy mỗi năm trong giai đoạn 2025–2026, tăng từ mức trung bình lịch sử là bốn .

Arizona, Hoa Kỳ:

• Vào tháng 7/2026, TSMC công bố thêm khoản đầu tư 100 tỷ USD vào Arizona, nâng tổng vốn đầu tư lên 265 tỷ USD .
• Nhà máy 1 (4nm): Đã bắt đầu sản xuất và đóng góp vào lợi nhuận .
• Nhà máy 2: Dự kiến đưa thiết bị vào trong quý 4/2026, sản xuất hàng loạt được đẩy lên nửa cuối năm 2027 (thay vì 2028) .
• Nhà máy 3: Mục tiêu đưa thiết bị vào tháng 9/2027 .
• TSMC đang mua thêm một lô đất thứ hai ở Arizona để thiết lập một "cụm nhà máy gigafab" độc lập .

Nhật Bản (Kumamoto):

• Vào tháng 2/2026, TSMC công bố kế hoạch sản xuất chip 3nm tại Kumamoto, với số vốn đầu tư ước tính khoảng 17 tỷ USD .

Triển vọng thế hệ tiếp theo 1.4nm (A14)

• Vị trí nhà máy: Khu khoa học Đài Trung (Miền Trung Đài Loan).
• Tình trạng xây dựng: Đang tiến độ sớm hơn kế hoạch. Giai đoạn 1 (tòa nhà đầu tiên) dự kiến hoàn thành trước tháng 4/2027 .
• Sản xuất thử nghiệm: Có thể bắt đầu ngay trong quý 3/2027 .
• Mục tiêu sản xuất hàng loạt: Giữa năm 2028 (nửa cuối 2028) .
• Đầu tư: Ước tính 48,5–49 tỷ USD cho cơ sở 1.4nm .
• Công nghệ: Sẽ sử dụng GAAFET thế hệ thứ 2 (NanoFlex Pro) với công nghệ quang khắc EUV hiện tại — TSMC đã thông báo với ASML sẽ không áp dụng High-NA EUV trước năm 2029 .
• Quan tâm của khách hàng: Nhận được sự quan tâm mạnh mẽ từ Apple, Qualcomm, NVIDIA, AMD và các khách hàng AI/HPC; quy trình xác nhận nội bộ (validation) cho A14 đã đạt gần 90% mục tiêu .
• Lộ trình dài hạn: Sau A14 (1.4nm), TSMC dự kiến cả A13 và A12 sẽ đạt sản xuất hàng loạt vào năm 2029 .