Таке компонування має скоротити шлях передавання даних між пам’яттю та обчислювальним чипом. Чим коротший цей шлях, тим вищою потенційно може бути пропускна здатність і тим менше енергії витрачається на переміщення даних .

За оцінкою Samsung, майбутня інтерфейсна система на базі zHBM може забезпечити:

• до 8 разів вищу продуктивність, ніж HBM5 ;
• понад 10 разів вищу щільність пам’яті завдяки новому поколінню wafer bonding — технології з’єднання кремнієвих пластин ;
• приблизно втричі кращу енергоефективність, що відповідає орієнтовно на 66% меншому споживанню енергії порівняно з HBM5 .

Однак це важливе уточнення: zHBM поки що є концептуальною моделлю, а не серійним продуктом . Тому заявлені показники не слід сприймати як характеристики готових прискорювачів, доступних на ринку.

Разом із zHBM Samsung представила концепцію zNAND-O, орієнтовану на виконання ШІ-висновків на периферійних пристроях — edge AI .

V10 BV-NAND: понад 400 шарів і вже серійне виробництво

На відміну від zHBM, V10 BV-NAND — Bonding V-NAND — є конкретною технологією флеш-пам’яті, яку Samsung уже запустила в масове виробництво. Це перша NAND-пам’ять компанії, створена із застосуванням wafer bonding: масив комірок пам’яті та периферійна логіка виготовляються окремо, після чого кремнієві пластини з’єднуються .

Основні заявлені характеристики V10 BV-NAND:

• понад 400 активних шарів — найбільша кількість, яку Samsung досі оголошувала для своєї лінійки V-NAND ;
• приблизно на 58% вища щільність пам’яті, ніж у попереднього покоління V9 ;
• приблизно втричі краща енергоефективність завдяки архітектурі з’єднання пластин, а також нижчий тепловий опір ;
• масове виробництво, що робить V10 BV-NAND першою комерційною NAND-технологією, яка перевищила позначку у 400 шарів .

Для ШІ-інфраструктури це важливо не лише через місткість. Велика кількість даних, зокрема контекст і кеш, дедалі частіше стає вузьким місцем під час роботи моделей. Щільніша та енергоефективніша флеш-пам’ять може дати дата-центрам додатковий рівень зберігання без перенесення всіх даних у дорогу HBM.

HBF: проміжний рівень між HBM і NVMe SSD

Ще один ключовий анонс зробили SK hynix і SanDisk. Компанії оприлюднили через Open Compute Project (OCP) першу відкриту технічну специфікацію High Bandwidth Flash (HBF) .

HBF задумана як проміжний рівень між надшвидкою, але дорожчою та обмеженою за місткістю HBM і звичайними NVMe SSD. Її мета — поєднати більшу місткість NAND із набагато вищою швидкістю доступу, ніж у традиційних накопичувачів, насамперед для ШІ-висновків .

Перша специфікація передбачає:

• до 512 ГБ місткості;
• конфігурації зі стеками NAND на 8 або 16 кристалів;
• до 3,0 ТБ/с пропускної здатності через інтерфейс UCIe .

До альянсу HBF також приєдналися Google DeepMind і Tenstorrent . Їхня участь важлива для формування не лише самої специфікації, а й сумісної екосистеми — від процесорів та серверів до програмного забезпечення.

Чому HBM уже недостатньо

Головний висновок доповідей і панельних дискусій FMS 2026 полягає в тому, що одна лише HBM не зможе задовольнити зростання потреб ШІ. Великі моделі та агентні системи постійно працюють із дедалі більшими обсягами параметрів, контексту й проміжних даних.

Тому індустрія рухається до ієрархічної пам’яті — системи, у якій різні типи пам’яті виконують різні ролі:

1. HBM забезпечує максимальну швидкість біля ШІ-прискорювача.
2. HBF-клас флеш-пам’яті додає місткість і швидкий доступ до часто потрібних даних.
3. CXL-пам’ять дає змогу розширювати та спільно використовувати пул пам’яті між компонентами системи.
4. NVMe-накопичувачі зберігають найбільші обсяги даних за нижчої вартості.

Саме таку диверсифіковану інфраструктуру, що виходить за межі самої HBM, у своїх матеріалах щодо агентних ШІ-висновків описувала, зокрема, Marvell .

Що залишилося непідтвердженим

У запиті, на який спирається цей матеріал, також ішлося про два гучні твердження. Перше — нібито Nvidia прогнозує, що кількість ШІ-агентів зрештою перевищить населення Землі, а ціноутворення на пам’ять зміститься від вартості гігабайта до вартості операції введення-виведення.

Друге — що Samsung, SK hynix і Micron уже розпродали всі свої виробничі потужності DRAM і HBM на 2027 рік, а клієнти отримують лише 60–70% від замовлених обсягів.

Доступні опубліковані джерела FMS 2026 не підтверджують жодне з цих тверджень. Вони могли прозвучати під час окремої доповіді або панельної дискусії, матеріали якої ще не потрапили до індексованих звітів. Тому їх не варто подавати як встановлені факти.

Висновок

FMS 2026 продемонструвала одразу три різні напрямки розвитку пам’яті для ШІ. Samsung працює над радикальним вертикальним компонуванням із zHBM, уже виробляє V10 BV-NAND із понад 400 шарами, а SK hynix і SanDisk намагаються створити відкритий проміжний рівень пам’яті за допомогою HBF.

Спільний сигнал зрозумілий: майбутні ШІ-системи не покладатимуться на один тип пам’яті. Їхня продуктивність залежатиме від того, наскільки добре HBM, флеш-пам’ять, CXL і NVMe працюватимуть разом у єдиній багаторівневій архітектурі.

Таке компонування має скоротити шлях передавання даних між пам’яттю та обчислювальним чипом. Чим коротший цей шлях, тим вищою потенційно може бути пропускна здатність і тим менше енергії витрачається на переміщення даних .

За оцінкою Samsung, майбутня інтерфейсна система на базі zHBM може забезпечити:

• до 8 разів вищу продуктивність, ніж HBM5 ;
• понад 10 разів вищу щільність пам’яті завдяки новому поколінню wafer bonding — технології з’єднання кремнієвих пластин ;
• приблизно втричі кращу енергоефективність, що відповідає орієнтовно на 66% меншому споживанню енергії порівняно з HBM5 .

Однак це важливе уточнення: zHBM поки що є концептуальною моделлю, а не серійним продуктом . Тому заявлені показники не слід сприймати як характеристики готових прискорювачів, доступних на ринку.

Разом із zHBM Samsung представила концепцію zNAND-O, орієнтовану на виконання ШІ-висновків на периферійних пристроях — edge AI .

V10 BV-NAND: понад 400 шарів і вже серійне виробництво

На відміну від zHBM, V10 BV-NAND — Bonding V-NAND — є конкретною технологією флеш-пам’яті, яку Samsung уже запустила в масове виробництво. Це перша NAND-пам’ять компанії, створена із застосуванням wafer bonding: масив комірок пам’яті та периферійна логіка виготовляються окремо, після чого кремнієві пластини з’єднуються .

Основні заявлені характеристики V10 BV-NAND:

• понад 400 активних шарів — найбільша кількість, яку Samsung досі оголошувала для своєї лінійки V-NAND ;
• приблизно на 58% вища щільність пам’яті, ніж у попереднього покоління V9 ;
• приблизно втричі краща енергоефективність завдяки архітектурі з’єднання пластин, а також нижчий тепловий опір ;
• масове виробництво, що робить V10 BV-NAND першою комерційною NAND-технологією, яка перевищила позначку у 400 шарів .

Для ШІ-інфраструктури це важливо не лише через місткість. Велика кількість даних, зокрема контекст і кеш, дедалі частіше стає вузьким місцем під час роботи моделей. Щільніша та енергоефективніша флеш-пам’ять може дати дата-центрам додатковий рівень зберігання без перенесення всіх даних у дорогу HBM.

HBF: проміжний рівень між HBM і NVMe SSD

Ще один ключовий анонс зробили SK hynix і SanDisk. Компанії оприлюднили через Open Compute Project (OCP) першу відкриту технічну специфікацію High Bandwidth Flash (HBF) .

HBF задумана як проміжний рівень між надшвидкою, але дорожчою та обмеженою за місткістю HBM і звичайними NVMe SSD. Її мета — поєднати більшу місткість NAND із набагато вищою швидкістю доступу, ніж у традиційних накопичувачів, насамперед для ШІ-висновків .

Перша специфікація передбачає:

• до 512 ГБ місткості;
• конфігурації зі стеками NAND на 8 або 16 кристалів;
• до 3,0 ТБ/с пропускної здатності через інтерфейс UCIe .

До альянсу HBF також приєдналися Google DeepMind і Tenstorrent . Їхня участь важлива для формування не лише самої специфікації, а й сумісної екосистеми — від процесорів та серверів до програмного забезпечення.

Чому HBM уже недостатньо

Головний висновок доповідей і панельних дискусій FMS 2026 полягає в тому, що одна лише HBM не зможе задовольнити зростання потреб ШІ. Великі моделі та агентні системи постійно працюють із дедалі більшими обсягами параметрів, контексту й проміжних даних.

Тому індустрія рухається до ієрархічної пам’яті — системи, у якій різні типи пам’яті виконують різні ролі:

1. HBM забезпечує максимальну швидкість біля ШІ-прискорювача.
2. HBF-клас флеш-пам’яті додає місткість і швидкий доступ до часто потрібних даних.
3. CXL-пам’ять дає змогу розширювати та спільно використовувати пул пам’яті між компонентами системи.
4. NVMe-накопичувачі зберігають найбільші обсяги даних за нижчої вартості.

Саме таку диверсифіковану інфраструктуру, що виходить за межі самої HBM, у своїх матеріалах щодо агентних ШІ-висновків описувала, зокрема, Marvell .

Що залишилося непідтвердженим

У запиті, на який спирається цей матеріал, також ішлося про два гучні твердження. Перше — нібито Nvidia прогнозує, що кількість ШІ-агентів зрештою перевищить населення Землі, а ціноутворення на пам’ять зміститься від вартості гігабайта до вартості операції введення-виведення.

Друге — що Samsung, SK hynix і Micron уже розпродали всі свої виробничі потужності DRAM і HBM на 2027 рік, а клієнти отримують лише 60–70% від замовлених обсягів.

Доступні опубліковані джерела FMS 2026 не підтверджують жодне з цих тверджень. Вони могли прозвучати під час окремої доповіді або панельної дискусії, матеріали якої ще не потрапили до індексованих звітів. Тому їх не варто подавати як встановлені факти.

Висновок

FMS 2026 продемонструвала одразу три різні напрямки розвитку пам’яті для ШІ. Samsung працює над радикальним вертикальним компонуванням із zHBM, уже виробляє V10 BV-NAND із понад 400 шарами, а SK hynix і SanDisk намагаються створити відкритий проміжний рівень пам’яті за допомогою HBF.

Спільний сигнал зрозумілий: майбутні ШІ-системи не покладатимуться на один тип пам’яті. Їхня продуктивність залежатиме від того, наскільки добре HBM, флеш-пам’ять, CXL і NVMe працюватимуть разом у єдиній багаторівневій архітектурі.